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公开(公告)号：CN117053987A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202311324037.5
申请日：2023-10-13
Applicant: 季华实验室
IPC: G01L27/00
Abstract: 本公开涉及半导体测试技术领域，尤其涉及一种真空计校准方法、测试设备及测试系统。其中，真空计校准方法包括：获取真空计在不同压力下对应的电压量化值；基于电压量化值获取线性校准系数；采用线性校准系数对压力‑电压量化值曲线进行线性拟合，获取非线性误差；在非线性误差小于等于非线性误差阈值时，确定线性校准系数为目标校准系数。本公开的技术方案，有利于提高真空计的检测结果线性度，进而提高真空计的测量结果，以满足实际应用需求。
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公开(公告)号：CN115493744B
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211454920.1
申请日：2022-11-21
Applicant: 季华实验室
IPC: G01L21/00
Abstract: 本申请涉及半导体领域，具体而言，涉及一种宽量程的电容薄膜真空计及真空度检测方法，通过设置第一参考室和第二参考室，并且第一深度比第二深度大，第一感压膜片比第二感压膜片的厚度大，因此，第一参考室可测量的压力值比第二参考室可测量的压力值大，且第一参考室的真空度测量范围比第二参考室的真空度测量范围大，不管待测气体的压力值是大还是小，都可以通过宽量程的电容薄膜真空计实现真空度检测，无需通过多个现有的电容薄膜真空计配合使用，降低电容薄膜真空计生产成本以及避免检测过程繁杂，从而提高宽量程的电容薄膜真空计的普用性。
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公开(公告)号：CN119053000A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411332595.0
申请日：2024-09-24
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请属于等离子产成设备技术领域，公开了一种远程等离子体源腔体结构，在环形腔体的出气口处设置具有孔道和第一螺旋叶片的螺旋分离器以及副驱动线圈，利用副驱动线圈产生的磁场约束等离子体的运动范围，使等离子体从孔道穿过，输出气流中的污染颗粒物不受该磁场影响从而在螺旋流动过程中与第一螺旋叶片和出气口内壁摩擦降速并最终被吸附，有效减少从出气口输出的等离子体中包含的污染颗粒物的含量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117053987B
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202311324037.5
申请日：2023-10-13
Applicant: 季华实验室
IPC: G01L27/00
Abstract: 本公开涉及半导体测试技术领域，尤其涉及一种真空计校准方法、测试设备及测试系统。其中，真空计校准方法包括：获取真空计在不同压力下对应的电压量化值；基于电压量化值获取线性校准系数；采用线性校准系数对压力‑电压量化值曲线进行线性拟合，获取非线性误差；在非线性误差小于等于非线性误差阈值时，确定线性校准系数为目标校准系数。本公开的技术方案，有利于提高真空计的检测结果线性度，进而提高真空计的测量结果，以满足实际应用需求。
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公开(公告)号：CN116380339A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310669384.5
申请日：2023-06-07
Applicant: 季华实验室
IPC: G01L27/00
Abstract: 本申请涉及薄膜规真空计校准技术领域，公开了一种薄膜规真空计校准方法及相关设备，薄膜规真空计校准方法包括：调节所述测试腔体的压力以获取所述标准薄膜规真空计的第一测量数据和所述待测薄膜规真空计的第二测量数据，用于生成训练数据集；根据所述训练数据集，基于梯度下降算法训练增益系数模型；根据所述增益系数模型对所述待测薄膜规真空计实测的第三测量数据进行校准；可有效消除薄膜规真空计产生的误差，使薄膜规真空计测量数据更加准确可靠，且不需要人工校准，实现全自动校准，从而有利于提高校准效率。
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公开(公告)号：CN115493744A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202211454920.1
申请日：2022-11-21
Applicant: 季华实验室
IPC: G01L21/00
Abstract: 本申请涉及半导体领域，具体而言，涉及一种宽量程的电容薄膜真空计及真空度检测方法，通过设置第一参考室和第二参考室，并且第一深度比第二深度大，第一感压膜片比第二感压膜片的厚度大，因此，第一参考室可测量的压力值比第二参考室可测量的压力值大，且第一参考室的真空度测量范围比第二参考室的真空度测量范围大，不管待测气体的压力值是大还是小，都可以通过宽量程的电容薄膜真空计实现真空度检测，无需通过多个现有的电容薄膜真空计配合使用，降低电容薄膜真空计生产成本以及避免检测过程繁杂，从而提高宽量程的电容薄膜真空计的普用性。
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公开(公告)号：CN119485887A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411661740.X
申请日：2024-11-20
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及远程等离子体源的起辉方法、装置、设备及存储介质，所述方法包括：获取真空计反馈的实时压力值，当满足预设的真空条件时，控制远程等离子体源开始工作，并控制蝶阀以预设的初始开度开启；获取质谱仪反馈的实时扫描参数，基于实时扫描参数确认实时离化率；根据实时离化率调整蝶阀的开度，以调整进入工艺系统的气体流量，直至起辉成功；本申请公开的起辉方法，可根据实时离化率实时调整蝶阀的开度，以实时调整进入气源的进气量，为等离子体的生成创造理想的环境，且保证了气体流量的精确控制，从而提高了起辉的成功率和效率，整个过程无需人工干预，大大减少了操作复杂性，提升了工艺的稳定性和可靠性。
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公开(公告)号：CN116380339B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310669384.5
申请日：2023-06-07
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及薄膜规真空计校准技术领域，公开了一种薄膜规真空计校准方法及相关设备，薄膜规真空计校准方法包括：调节所述测试腔体的压力以获取所述标准薄膜规真空计的第一测量数据和所述待测薄膜规真空计的第二测量数据，用于生成训练数据集；根据所述训练数据集，基于梯度下降算法训练增益系数模型；根据所述增益系数模型对所述待测薄膜规真空计实测的第三测量数据进行校准；可有效消除薄膜规真空计产生的误差，使薄膜规真空计测量数据更加准确可靠，且不需要人工校准，实现全自动校准，从而有利于提高校准效率。
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