公开(公告)号：CN119592913A

公开(公告)日：2025-03-11

申请号：CN202411859498.7

申请日：2024-12-17

Applicant: 季华实验室

Inventor： 张川东 ,  郭远军 ,  杨振怀 ,  刘宏 ,  胡强

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/35 ,  C23C14/58 ,  G01K7/16 ,  G01K1/00 ,  G01K1/14

Abstract: 本申请涉及传感器技术领域，主要涉及一种窄滞回宽度薄膜材料及其制备方法、应用。本申请通过对二氧化钒薄膜进行掺杂引入带有磁性的稀土元素钆（Gd）和钛（Ti），作为杂质离子可有效地取代或破坏钒离子的V4+‑V4+共价键，进而增加薄膜中的缺陷对二氧化钒薄膜的相变特性进行调控，所提供的薄膜材料还具有窄的滞回宽度，有助于实现零滞回宽度的广泛应用突破，同时还具备有优异的可逆相变与循环稳定性以及超灵敏温度响应与快速开关特性，可为传感器领域的发展提供有力的支持。

公开(公告)号：CN118086847A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202410254849.5

申请日：2024-03-06

Applicant: 季华实验室

Inventor： 刘镭 ,  郭远军 ,  武帅 ,  杨振怀 ,  张川东 ,  刘宏 ,  胡琅 ,  胡强

IPC: C23C14/35

Abstract: 本申请属于磁控溅射粉末镀膜的技术领域，公开了一种粉末镀膜装置及其镀膜方法，该镀膜方法包括：响应于工作人员输入的启动指令，粉末镀膜装置驱动转台围绕转台的中心进行转动、驱动斜向样品台围绕斜向样品台的中心进行自转以及驱动磁控靶溅射镀膜原材料，以使镀膜原材料均匀地附着在斜向样品台内流动的粉末的表面，预设周期后，粉末镀膜装置驱动所有部件停止运行，得到表面镀膜均匀的粉末，通过粉末镀膜装置及对应的镀膜方法，对粉末进行镀膜，提高了粉末镀膜的效率。