公开(公告)号：CN117070917A

公开(公告)日：2023-11-17

申请号：CN202311166005.7

申请日：2023-09-11

Applicant: 季华实验室

Inventor： 郑森杰 ,  郭可升 ,  杨振怀 ,  刘宏 ,  胡强

IPC: C23C16/27 ,  C23C16/48 ,  C23C16/511 ,  C23C16/52

Abstract: 本申请属于光电技术领域，公开了一种掺杂金刚石制备方法，该方法包括：将基材和靶材放置在微波等离子体化学气相沉积系统中反应室的样品台上，反应室进行抽真空操作后，对基材的表面和靶材的表面进行清洗，向反应室输入氢气以及调节反应室的腔体气压和微波功率，以在反应室进行起辉操作和升温操作，以甲烷气体和氢气作为气源，用激光器照射靶材以析出激光诱导等离子体，并使激光诱导等离子体掺入基材表面，以使基材表面生长掺杂金刚石，通过激光技术，使靶材析出的激光诱导等离子体掺入基材表面，以使基材表面制备得到掺杂金刚石，提高了掺杂金刚石制备的效率。

公开(公告)号：CN117779032A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202410025252.3

申请日：2024-01-08

Applicant: 季华实验室

Inventor： 武帅 ,  郭可升 ,  郑森杰 ,  刘宏 ,  肖永能 ,  胡强 ,  徐平

IPC: C23C28/04 ,  C23C14/02 ,  C23C14/32 ,  C23C14/06 ,  C23C16/27 ,  C23C16/511

Abstract: 本发明公开了一种高结合性耐高温复合涂层及其制备方法，属于表面薄膜制备技术领域，方法步骤包括：对基体材料进行微加工刻蚀，以在基体材料表面形成周期性图案，进行喷砂处理，在基体材料表面溅射形成四面体非晶碳过渡层薄膜，继续化学气相沉积出金刚石保护膜，从而在基体材料表面获得高结合性耐高温复合涂层，该方法可以提高金刚石在基体材料上的形核率，增加金刚石保护膜和基体材料之间的结合力，四面体非晶碳薄膜可以贴合不同材料，如金属、塑料、无机非金属等，又不会出现沉积时严重的应力问题，将四面体非晶碳作为基体材料的过渡层可以增加金刚石在基体材料上的稳定性，在高温情况下有效保护基体材料的抗氧化以及抗腐蚀等性能。

公开(公告)号：CN117488283A

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN202311504264.6

申请日：2023-11-13

Applicant: 季华实验室

Inventor： 郭可升 ,  武帅 ,  郑森杰 ,  吴进 ,  杨振怀 ,  刘宏

IPC: C23C16/511 ,  C23C16/27 ,  C23C16/02

Abstract: 本申请涉及光电领域，公开了一种异质外延生长高导热防护金刚石薄膜及其制备方法，包括以下步骤：将基片放置在脉冲激光沉积系统的样品台上，将靶材放置在靶托，在基片表面脉冲激光沉积保护层；将沉积后的基片放置在微波等离子体化学气相沉积系统的样品台上，通入氢气和氩气，对保护层表面进行等离子体清洗；停止通入氩气，通入甲烷气体和氧气气体，在保护层表面生长金刚石；停止通入甲烷和氧气，降低氢气流量、气压、微波功率，降温速率低于每秒钟1℃，破真空后取出具有高导热防护金刚石薄膜的基片。通过脉冲激光沉积的保护层对所保护的基片的损伤非常低，并且在保护层成功的异质外延生长金刚石层，可以大幅降低金刚石和基片间直接的界面热阻。

公开(公告)号：CN117165915A

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN202311194736.2

申请日：2023-09-15

Applicant: 季华实验室

Inventor： 郑森杰 ,  郭可升 ,  杨振怀 ,  刘宏 ,  胡强

IPC: C23C16/27 ,  C23C16/511 ,  C23C16/02

Abstract: 本申请属于光电技术领域，公开了一种高透过率金刚石微结构制备方法，该方法包括：步骤S1，利用金刚石纳米粉的无水乙醇悬浊液和无水乙醇溶液，对第一基材进行超声处理和清洗，得到第二基材，步骤S2，通过激光，对第二基材进行表面刻蚀，以使第二基材表面形成设计需求的金刚石生长区域和抑制金刚石生长区域，得到第三基材，步骤S3，运用氢气、氩气和甲烷气体，基于金刚石生长区域和抑制金刚石生长区域，在第三基材表面进行金刚石生长，得到高透过率金刚石微结构，通过超声技术和激光，结合氢气、氩气和甲烷气体，基于金刚石生长区域和抑制金刚石生长区域，制备得到高透过率金刚石微结构，提高了高透过率金刚石微结构制备的效率。