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公开(公告)号：CN113889567A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202111485396.X
申请日：2021-12-07
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明涉及一种具有拓扑磁性的多组态霍尔天平材料及其制备方法，多组态霍尔天平材料依次包括提供自旋流的功能非磁性层、至少两层磁性层和功能绝缘层；相邻两层的磁性层之间设有隔离层，相邻的两磁性层用于提供不同可控方向的磁矩，隔离层用于调节相邻的两磁性层磁矩的相对方向，功能绝缘层用于辅助调节磁性层的磁矩方向；向功能非磁性层通入10mA‑60mA脉冲电流，多组态霍尔天平材料形成极性方向相反的一对磁性斯格明子。本发明可以在电流驱动下消除斯格明子霍尔效应。
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公开(公告)号：CN117637274B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202410091966.4
申请日：2024-01-23
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种低磁场的稀土‑铁‑硅磁制冷材料、制备方法及用途，磁制冷材料在＜7K的超低温区、0‑2 T磁场变化下，磁制冷材料的磁熵变峰值不低于9 J·kg‑1·K‑1，磁制冷材料为以下通式的化合物：RFe2Si2，RFe2Si2为ThCr2Si2型体心四方结构，其中，R为稀土元素；R满足以下通式关系：AxBy，A为Er、Ho元素中的一种，B为Gd、Tm元素中的至少一种，x+y=1，1≥x≥0.2。通过本发明制备得到的稀土‑铁‑硅磁制冷材料，制备工艺简捷，成本低，并且在超低温区（＜7K）、低磁场（0‑2 T）变化下呈现出大磁热效应，具有重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN113257995B
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN202110699600.1
申请日：2021-06-23
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明涉及一种具有无磁场辅助磁化翻转效应的单层薄膜及其制备方法，步骤S1：在衬底基片上制备厚度可控的楔形铁磁合金单层，铁磁合金包括铁磁元素和非磁元素，楔形铁磁合金单层的厚度不均一且沿薄膜面内方向单调变化；步骤S3：采用高温快速退火对楔形铁磁合金单层的各个微区域进行有序化处理；步骤S5：通过离子辐照对有序化处理后的楔形铁磁合金单层的连续区域进行辐照处理，得到铁磁合金单层薄膜。本发明制备的铁磁合金单层薄膜在无磁场辅助下实现磁化翻转，以此作为信息磁存储材料，实现单个存储单元的磁矩操作。
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公开(公告)号：CN117637274A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202410091966.4
申请日：2024-01-23
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种低磁场的稀土‑铁‑硅磁制冷材料、制备方法及用途，磁制冷材料在＜7K的超低温区、0‑2 T磁场变化下，磁制冷材料的磁熵变峰值不低于9 J·kg‑1·K‑1，磁制冷材料为以下通式的化合物：RFe2Si2，RFe2Si2为ThCr2Si2型体心四方结构，其中，R为稀土元素；R满足以下通式关系：AxBy，A为Er、Ho元素中的一种，B为Gd、Tm元素中的至少一种，x+y=1，1≥x≥0.2。通过本发明制备得到的稀土‑铁‑硅磁制冷材料，制备工艺简捷，成本低，并且在超低温区（＜7K）、低磁场（0‑2 T）变化下呈现出大磁热效应，具有重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN113373362B
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202110669250.4
申请日：2021-06-17
Applicant: 北京科技大学
IPC: C22C28/00 , B22F3/02 , C22F1/16 , C22F1/02 , C21D1/26 , B22F9/04 , C21D1/18 , C23C10/28 , H01F1/01 , H01F41/02
Abstract: 本发明涉及一种用于磁制冷的铥‑镍材料及其制备方法，铥‑镍材料的化学式为：Tm3+xNi2+y，其中，‑0.1≤x≤0.1，‑0.1≤y≤0.1，具有菱方晶体结构，晶体结构的空间群为R‑3，相变温度在2‑6K之间，在0‑2T磁场变化下的磁熵变峰值在15‑17J/(kg·K)之间。本发明采用的制备方法包括压片、破碎、研磨等方式，清洁、环保，得到的铥‑镍材料可作为极低温区、低磁场下磁制冷的用途。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112397737B
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN202110074363.X
申请日：2021-01-20
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01M4/92 , H01M8/0273 , H01M8/04 , H01M8/04007 , H01M8/2404 , H01M8/247 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种铂基磁场调控燃料电池的电堆装置及其制造方法，燃料电池的电堆装置包括U型支架，U型支架的两侧内壁均设有线圈，线圈内设有直流电磁铁的极头，位于两组极头之间的燃料电池电堆，燃料电池电堆由若干单体燃料电池顺次堆叠而成，位于燃料电池电堆下方的固定装置，固定装置上部设有温度调节装置，燃料电池的制造方法包括以下步骤：S1，制备铂基磁性多元纳米颗粒，S2，制备单体燃料电池；S3，装配燃料电池电堆。本发明将电流可控电磁铁装配在燃料电池装置外部，为燃料电池提供外磁场，改变铂基磁性多元纳米颗粒催化剂的反应过程，增强燃料电池性能。
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公开(公告)号：CN117202765B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311397334.2
申请日：2023-10-26
Applicant: 北京科技大学
IPC: H10N52/85 , H10N52/01 , C23C14/35 , C23C14/14 , C23C14/08 , C23C14/06 , C30B29/02 , C30B29/16 , C30B29/20 , C30B29/38 , C30B25/02
Abstract: 本发明公开了一种降低自旋轨道矩临界电流密度的磁性多层膜及其制备方法，其结构包括：种子外延层、自旋流发生层、磁性核心层、金属功能层、氧化物功能层、顶层覆盖层；利用磁控溅射系统/分子束外延系统制备种子外延层、自旋流发生层、磁性核心层、金属功能层、氧化物功能层、顶层覆盖层；其中设置位置可调的楔形挡板附件制备自旋流发生层、金属功能层；制备种子层时，控制腔室真空度在1.0×10‑6～7.0×10‑7 Pa，温度为25℃至220℃。本发明通过该方法制备的磁性多层膜方式简易经济，可稳定降低自旋轨道矩诱导磁化翻转的临界电流密度，从而降低能量消耗。
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公开(公告)号：CN117202765A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311397334.2
申请日：2023-10-26
Applicant: 北京科技大学
IPC: H10N52/85 , H10N52/01 , C23C14/35 , C23C14/14 , C23C14/08 , C23C14/06 , C30B29/02 , C30B29/16 , C30B29/20 , C30B29/38 , C30B25/02
Abstract: 本发明公开了一种降低自旋轨道矩临界电流密度的磁性多层膜及其制备方法，其结构包括：种子外延层、自旋流发生层、磁性核心层、金属功能层、氧化物功能层、顶层覆盖层；利用磁控溅射系统/分子束外延系统制备种子外延层、自旋流发生层、磁性核心层、金属功能层、氧化物功能层、顶层覆盖层；其中设置位置可调的楔形挡板附件制备自旋流发生层、金属功能层；制备种子层时，控制腔室真空度在1.0×10‑6～7.0×10‑7 Pa，温度为25℃至220℃。本发明通过该方法制备的磁性多层膜方式简易经济，可稳定降低自旋轨道矩诱导磁化翻转的临界电流密度，从而降低能量消耗。
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公开(公告)号：CN112397737A
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN202110074363.X
申请日：2021-01-20
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01M4/92 , H01M8/0273 , H01M8/04 , H01M8/04007 , H01M8/2404 , H01M8/247 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种铂基磁场调控燃料电池的电堆装置及其制造方法，燃料电池的电堆装置包括U型支架，U型支架的两侧内壁均设有线圈，线圈内设有直流电磁铁的极头，位于两组极头之间的燃料电池电堆，燃料电池电堆由若干单体燃料电池顺次堆叠而成，位于燃料电池电堆下方的固定装置，固定装置上部设有温度调节装置，燃料电池的制造方法包括以下步骤：S1，制备铂基磁性多元纳米颗粒，S2，制备单体燃料电池；S3，装配燃料电池电堆。本发明将电流可控电磁铁装配在燃料电池装置外部，为燃料电池提供外磁场，改变铂基磁性多元纳米颗粒催化剂的反应过程，增强燃料电池性能。
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公开(公告)号：CN102931342A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201210421031.5
申请日：2012-10-29
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01L43/10
Abstract: 本发明涉及磁性功能薄膜和以磁性多层膜材料为基础的新型材料及其元器件。一种霍尔自旋天平材料，所述材料包括多层薄膜，由两个具有垂直磁各向异性的磁性层，中间被非磁性绝缘层隔离所组成；其中一磁性层被反铁磁层钉扎，另外一磁性层与一功能层相连；材料制成Hallbar的形状。此发明保留了MTJ的优点，以低成本实现NVM，并具有与晶体管媲美的状态变化比率，能够实现3D存储阵列，且具有复杂逻辑处理的能力。解决了NVM现存的主要问题。
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