公开(公告)号：CN113373362B

公开(公告)日：2022-06-28

申请号：CN202110669250.4

申请日：2021-06-17

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 郑新奇 ,  王守国 ,  邵苏杭 ,  许家旺 ,  杨淑娴 ,  奚磊 ,  张静言

IPC: C22C28/00 ,  B22F3/02 ,  C22F1/16 ,  C22F1/02 ,  C21D1/26 ,  B22F9/04 ,  C21D1/18 ,  C23C10/28 ,  H01F1/01 ,  H01F41/02

Abstract: 本发明涉及一种用于磁制冷的铥‑镍材料及其制备方法，铥‑镍材料的化学式为：Tm3+xNi2+y，其中，‑0.1≤x≤0.1，‑0.1≤y≤0.1，具有菱方晶体结构，晶体结构的空间群为R‑3，相变温度在2‑6K之间，在0‑2T磁场变化下的磁熵变峰值在15‑17J/(kg·K)之间。本发明采用的制备方法包括压片、破碎、研磨等方式，清洁、环保，得到的铥‑镍材料可作为极低温区、低磁场下磁制冷的用途。

公开(公告)号：CN113373362A

公开(公告)日：2021-09-10

申请号：CN202110669250.4

申请日：2021-06-17

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 郑新奇 ,  王守国 ,  邵苏杭 ,  许家旺 ,  杨淑娴 ,  奚磊 ,  张静言

IPC: C22C28/00 ,  B22F3/02 ,  C22F1/16 ,  C22F1/02 ,  C21D1/26 ,  B22F9/04 ,  C21D1/18 ,  C23C10/28 ,  H01F1/01 ,  H01F41/02

Abstract: 本发明涉及一种用于磁制冷的铥‑镍材料及其制备方法，铥‑镍材料的化学式为：Tm3+xNi2+y，其中，‑0.1≤x≤0.1，‑0.1≤y≤0.1，具有菱方晶体结构，晶体结构的空间群为R‑3，相变温度在2‑6K之间，在0‑2T磁场变化下的磁熵变峰值在15‑17J/(kg·K)之间。本发明采用的制备方法包括压片、破碎、研磨等方式，清洁、环保，得到的铥‑镍材料可作为极低温区、低磁场下磁制冷的用途。