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公开(公告)号：CN113889567A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202111485396.X
申请日：2021-12-07
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明涉及一种具有拓扑磁性的多组态霍尔天平材料及其制备方法，多组态霍尔天平材料依次包括提供自旋流的功能非磁性层、至少两层磁性层和功能绝缘层；相邻两层的磁性层之间设有隔离层，相邻的两磁性层用于提供不同可控方向的磁矩，隔离层用于调节相邻的两磁性层磁矩的相对方向，功能绝缘层用于辅助调节磁性层的磁矩方向；向功能非磁性层通入10mA‑60mA脉冲电流，多组态霍尔天平材料形成极性方向相反的一对磁性斯格明子。本发明可以在电流驱动下消除斯格明子霍尔效应。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117202765B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311397334.2
申请日：2023-10-26
Applicant: 北京科技大学
IPC: H10N52/85 , H10N52/01 , C23C14/35 , C23C14/14 , C23C14/08 , C23C14/06 , C30B29/02 , C30B29/16 , C30B29/20 , C30B29/38 , C30B25/02
Abstract: 本发明公开了一种降低自旋轨道矩临界电流密度的磁性多层膜及其制备方法，其结构包括：种子外延层、自旋流发生层、磁性核心层、金属功能层、氧化物功能层、顶层覆盖层；利用磁控溅射系统/分子束外延系统制备种子外延层、自旋流发生层、磁性核心层、金属功能层、氧化物功能层、顶层覆盖层；其中设置位置可调的楔形挡板附件制备自旋流发生层、金属功能层；制备种子层时，控制腔室真空度在1.0×10‑6～7.0×10‑7 Pa，温度为25℃至220℃。本发明通过该方法制备的磁性多层膜方式简易经济，可稳定降低自旋轨道矩诱导磁化翻转的临界电流密度，从而降低能量消耗。
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公开(公告)号：CN117202765A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311397334.2
申请日：2023-10-26
Applicant: 北京科技大学
IPC: H10N52/85 , H10N52/01 , C23C14/35 , C23C14/14 , C23C14/08 , C23C14/06 , C30B29/02 , C30B29/16 , C30B29/20 , C30B29/38 , C30B25/02
Abstract: 本发明公开了一种降低自旋轨道矩临界电流密度的磁性多层膜及其制备方法，其结构包括：种子外延层、自旋流发生层、磁性核心层、金属功能层、氧化物功能层、顶层覆盖层；利用磁控溅射系统/分子束外延系统制备种子外延层、自旋流发生层、磁性核心层、金属功能层、氧化物功能层、顶层覆盖层；其中设置位置可调的楔形挡板附件制备自旋流发生层、金属功能层；制备种子层时，控制腔室真空度在1.0×10‑6～7.0×10‑7 Pa，温度为25℃至220℃。本发明通过该方法制备的磁性多层膜方式简易经济，可稳定降低自旋轨道矩诱导磁化翻转的临界电流密度，从而降低能量消耗。
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公开(公告)号：CN113889567B
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111485396.X
申请日：2021-12-07
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明涉及一种具有拓扑磁性的多组态霍尔天平材料及其制备方法，多组态霍尔天平材料依次包括提供自旋流的功能非磁性层、至少两层磁性层和功能绝缘层；相邻两层的磁性层之间设有隔离层，相邻的两磁性层用于提供不同可控方向的磁矩，隔离层用于调节相邻的两磁性层磁矩的相对方向，功能绝缘层用于辅助调节磁性层的磁矩方向；向功能非磁性层通入10mA‑60mA脉冲电流，多组态霍尔天平材料形成极性方向相反的一对磁性斯格明子。本发明可以在电流驱动下消除斯格明子霍尔效应。
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公开(公告)号：CN113257995A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110699600.1
申请日：2021-06-23
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明涉及一种具有无磁场辅助磁化翻转效应的单层薄膜及其制备方法，步骤S1：在衬底基片上制备厚度可控的楔形铁磁合金单层，铁磁合金包括铁磁元素和非磁元素，楔形铁磁合金单层的厚度不均一且沿薄膜面内方向单调变化；步骤S3：采用高温快速退火对楔形铁磁合金单层的各个微区域进行有序化处理；步骤S5：通过离子辐照对有序化处理后的楔形铁磁合金单层的连续区域进行辐照处理，得到铁磁合金单层薄膜。本发明制备的铁磁合金单层薄膜在无磁场辅助下实现磁化翻转，以此作为信息磁存储材料，实现单个存储单元的磁矩操作。
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公开(公告)号：CN113257995B
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN202110699600.1
申请日：2021-06-23
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明涉及一种具有无磁场辅助磁化翻转效应的单层薄膜及其制备方法，步骤S1：在衬底基片上制备厚度可控的楔形铁磁合金单层，铁磁合金包括铁磁元素和非磁元素，楔形铁磁合金单层的厚度不均一且沿薄膜面内方向单调变化；步骤S3：采用高温快速退火对楔形铁磁合金单层的各个微区域进行有序化处理；步骤S5：通过离子辐照对有序化处理后的楔形铁磁合金单层的连续区域进行辐照处理，得到铁磁合金单层薄膜。本发明制备的铁磁合金单层薄膜在无磁场辅助下实现磁化翻转，以此作为信息磁存储材料，实现单个存储单元的磁矩操作。
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