公开(公告)号：CN1281925C

公开(公告)日：2006-10-25

申请号：CN200510011202.7

申请日：2005-01-19

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 于广华 ,  王海成 ,  王立锦 ,  滕蛟 ,  朱逢吾

IPC: G01D5/12 ,  G11B5/84

Abstract: 本发明提供了一种提高磁编码器磁鼓分辨率的方法。采用涂布工艺，挤压成形制备磁鼓后，用精细抛光砂纸抛光磁性层，使磁性涂层减薄至0.1～0.05mm。再用窄漏磁间隙的磁头对磁鼓写入磁极，采用的窄漏磁间隙为0.1～0.05mm漏磁间隙的磁头对磁鼓进行充磁，写入磁极为512对极。本发明的优点在于，工艺精简，易于操作，可写入512对极，脉冲计数完整，输出波形信号良好，元器件性能优异。

公开(公告)号：CN1042893A

公开(公告)日：1990-06-13

申请号：CN88107917

申请日：1988-11-22

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 李浩 ,  职任涛 ,  朱逢吾 ,  肖纪美

IPC: C04B28/06

Abstract: 本发明属非金属材料制造工艺。为满足国民经济发展的多种需要，一种抗水高强氧化铝水泥已经展现在人们的面前。生产这种水泥的方法除日本专利采用添加有机二羧酸或丁二酸外，还有我国的申请号为88109150申请专利提出的缩醛化表面处理。本发明以盐酸代替有机二羧酸或丁二酸，不仅使生产工艺简化易行，而且能显著降低生产成本。

公开(公告)号：CN1635590A

公开(公告)日：2005-07-06

申请号：CN200410009961.5

申请日：2004-12-03

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 于广华 ,  姜勇 ,  滕蛟 ,  王立锦 ,  张辉 ,  朱逢吾

IPC: H01F41/18 ,  H01F10/32

Abstract: 一种利用表面活化剂抑制界面反应的方法，涉及磁性多层膜的制备方法。本方法是在清洗干净的玻璃基片上依次沉积钽Ta(50～120)/氧化镍NiO(60～100)/铋Bi(或Pb、In等)(2～30)/镍铁NiFe(30～100)/钽Ta(50～90)。本发明由于采用表面活化剂Bi(或Pb、In等)插入自旋阀巨磁电阻多层膜或隧道结中的反铁磁NiO/铁磁NiFe薄膜界面，NiO与NiFe间的界面反应被抑制，其交换耦合场Hex比不插表面活化剂Bi(或Pb、In等)的交换耦合场Hex提高最大可达80％，具有制备方便、不需要磁场热处理、成本低、交换耦合场Hex提高明显等优点。

公开(公告)号：CN1151314C

公开(公告)日：2004-05-26

申请号：CN02103673.X

申请日：2002-02-08

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 于广华 ,  朱逢吾 ,  崔新发 ,  滕蛟

IPC: C23C14/34

Abstract: 一种冷阴极溅射制备薄膜的方法及装置，涉及薄膜的制备方法及装置，特别是涉及到利用溅射方法制备薄膜。本发明是在电子能谱仪样品制备室中装有样品基座来制备薄膜，控制样品制备室的本底真空为2×10-7～8×10-7Pa，溅射气压为1×10-4～3×10-4Pa，薄膜沉积速率1～3/分钟，在单晶Si或玻璃基片上依次沉积所要沉积的薄膜，采用此方法所用装置的主要结构是离子枪(6)相对于样品轰击台(5)的对称方位上安置一样品基座(2)，基片(3)被贴在基座(2)下面，并且垂直于基座(2)平面的中心轴线、样品轰击台(5)的中心轴线以及离子枪(6)的中心轴线在同一平面内。本发明不仅可以制备出均匀、性能明显提高的较薄薄膜，而且制备简单，成本低。

公开(公告)号：CN1438355A

公开(公告)日：2003-08-27

申请号：CN03119630.6

申请日：2003-03-18

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 朱逢吾 ,  于广华 ,  李海峰 ,  杨涛 ,  滕胶

IPC: C23C14/14 ,  C23C14/35 ,  H01F10/14

Abstract: 一种各向异性磁电阻坡莫合金薄膜的制备方法，涉及功能材料薄膜的制备，特别是涉及制备磁电阻薄膜。本方法是在清洗干净的玻璃基片上或单晶硅基片上沉积镍铁Ni0.81Fe0.19薄膜，将(Ni0.81Fe0.19)xCr1－x层作为种子层，x值介于0.13～0.53之间；沉积的顺序依次是1.0～12.0nm厚度的镍铁铬(Ni0.81Fe0.19)xCr1－x、10.0～200.0nm厚度的镍铁Ni0.81Fe0.19和5.0～9.0nm钽Ta。本发明由于采用体心结构的NiFeCr作为坡莫合金薄膜的一种新型种子层，其各向异性磁电阻AMR值比以传统的Ta为种子层时明显提高，最大可达34％，具有制备方便、不需要高温沉积和磁场热处理、成本低等优点。

公开(公告)号：CN1022908C

公开(公告)日：1993-12-01

申请号：CN88107917

申请日：1988-11-22

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 李浩 ,  职任涛 ,  朱逢吾 ,  肖纪美

IPC: C04B28/06

Abstract: 本发明属非金属材料制造工艺。为满足国民经济发展的多种需要，一种抗水高强矾土或高铝水泥制品已经展现在人们的面前。本发明以盐酸代替有机二羧酸或丁二酸，不仅使生产工艺简化易行，而且能显著降低生产成本。

公开(公告)号：CN101046394A

公开(公告)日：2007-10-03

申请号：CN200710064729.5

申请日：2007-03-23

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 于广华 ,  王海成 ,  王立锦 ,  杜中美 ,  滕蛟 ,  朱逢吾

IPC: G01D5/249

Abstract: 一种高精度磁编码器用磁鼓的制备方法，属于磁编码器技术领域。以铝合金为基体，以钴盐、还原剂、络合剂、缓冲剂按比例配成溶液，化学镀法制备Co－P或Co－Ni－P薄膜作为磁鼓的记录介质。薄膜中P含量为5～10％，为晶态，有磁性；膜厚为1～10μm。对用该法制得的磁鼓，可写入1024～2500对N、S磁极。本发明的优点在于：磁性薄膜磁性能优异，制备工艺稳定，实施性强，易于工业化批量生产；制得的磁鼓分辨率高，与各向异性磁电阻薄膜探头结合，可得到高精度的磁旋转编码器。

公开(公告)号：CN1808734A

公开(公告)日：2006-07-26

申请号：CN200510086798.7

申请日：2005-11-04

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 于广华 ,  张辉 ,  腾蛟 ,  王立锦 ,  李希胜 ,  朱逢吾

IPC: H01L43/12

Abstract: 本发明提供了一种提高电子罗盘精度的磁电阻薄膜的制备方法，属于磁性多层膜的制备技术领域。制备工艺为：在清洗干净的玻璃基片或单晶硅基片上沉积(Ni0.81Fe0.19)54Cr36(50～200)/Ni0.81Fe0.19(100～1500)/Ta(50～100)；然后通过一般的半导体加工工艺将薄膜加工成线宽为2～50微米的磁电阻传感元件；再结合半导体加工工艺在元件两侧平行于条形元件沉积厚为3～10微米Ni0.81Fe0.19薄膜。薄膜制备过程是在磁控溅射仪中进行，溅射室本底真空度为1×10－5～6×10－5Pa，溅射时氩气压为0.4～0.7Pa；基片用循环水冷却，平行于基片方向加有150～250Oe的磁场，以诱发一个易磁化方向。优点在于：该发明具有制备方便、成本低、电子罗盘精度明显提高。

公开(公告)号：CN1648610A

公开(公告)日：2005-08-03

申请号：CN200510011202.7

申请日：2005-01-19

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 于广华 ,  王海成 ,  王立锦 ,  滕蛟 ,  朱逢吾

IPC: G01D5/12

Abstract: 本发明提供了一种提高磁编码器磁鼓分辨率的方法。采用涂布工艺，挤压成形制备磁鼓后，用精细抛光砂纸抛光磁性层，使磁性涂层减薄至0.1～0.05mm。再用窄漏磁间隙的磁头对磁鼓写入磁极，采用的窄漏磁间隙为0.1～0.05mm漏磁间隙的磁头对磁鼓进行充磁，写入磁极为512对极。本发明的优点在于，工艺精简，易于操作，可写入512对极，脉冲计数完整，输出波形信号良好，元器件性能优异。

公开(公告)号：CN1598493A

公开(公告)日：2005-03-23

申请号：CN200410009427.4

申请日：2004-08-13

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 王海成 ,  王立锦 ,  于广华 ,  杨涛 ,  朱逢吾

IPC: G01D5/12

Abstract: 本发明提供了一种高分辨率磁编码器磁鼓的制备方法。采用涂布工艺，挤压成形制备磁鼓材料。将磁粉、粘结剂、稀释剂、固化剂、分散剂按比例混合制成磁浆，然后涂布于磁鼓基体上。将涂布后的磁鼓基体旋转固化。在磁浆处于半固化状态时，用高平整度的轴承挤压成形，达到0.15～0.4mm厚度。完全固化后，由高分辨率的光学编码器脉冲分频旋转充磁，可以对磁鼓写入128、256对极，倍频后可得到更高的分辨率。本发明的优点在于：工艺简单，操作性好，成品率高，易于批量生产。磁鼓充磁后，采用金属薄膜磁电阻传感探头检测磁鼓表面分布磁场。