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公开(公告)号：CN1674147A
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN200510011392.2
申请日：2005-03-07
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供了一种抑制具有垂直磁各向异性薄膜中Mn扩散的方法，在FeMn或其他反铁磁Mn合金与Pt/Co多层膜之间插入Co的纳米氧化层或CoFe的纳米氧化层来阻止Mn的扩散。本发明的优点在于：因为采用纳米氧化层NOL插入(Pt/Co)n与FeMn或其它反铁磁Mn合金之间。Mn原子将与NOL中的Co的氧化物或Fe的氧化物反应形成MnO，从而使Mn原子陷在NOL中，阻止它的向(Pt/Co)n中的进一步扩散。这样就保证了多层膜具有良好的垂直磁各向异性及垂直交换耦合场。本发明具有制备方便、成本低、交换耦合场提高明显等优点。
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