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公开(公告)号：CN109972104B
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201910164965.7
申请日：2019-03-05
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供一种弥补Co靶材质量缺陷的方法，属于磁性材料技术领域，包括以下步骤：首先选用市面上常见的高透磁率的Co靶材，并对Co靶材表面进行清洗；其次将清洗后的Co靶材放入磁控溅射仪中溅射，溅射过程中在磁控溅射仪内的基片位置平行于膜面处施加均匀磁场，最后磁控溅射沉积制得高镀膜质量、高剩磁比的5‑10nm厚的Co薄膜。本发明通过在Co薄膜沉积过程中在基片位置平行于膜面处施加600～1000Oe的均匀磁场；在磁控溅射沉积过程中Co原子被前述平行施加的均匀磁场磁化，从而使得沉积后的Co薄膜具有较好的磁性，操作简单，极大地降低了生产成本，利于规模化连续化的工业生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111009365B
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201911280695.2
申请日：2019-12-13
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种调控反铁磁薄膜材料的磁矩排列的方法，属于信息存储及传感技术领域。对钛镍铌TiNiNb形状记忆合金基片进行预拉伸处理、表面抛光以及表面的氩离子轰击处理；然后，在上述TiNiNb记忆合金基片上沉积钽Ta/镍铁NiFe/铁锰FeMn/钽Ta多层膜；沉积完毕后，在真空环境下并同时施加磁场时，对其进行热处理最后，冷却至室温即可。其原理是：通过温控TiNiNb基底的逆马氏体相变产生显著的晶格应变作用在多层膜上，通过这种应变可以控制NiFe/FeMn界面处的交换弹簧结构，从而引起FeMn的Néel矢量转动，并有效调控FeMn的磁矩排列。本发明通过简单的温度控制就能实现对交换弹簧结构的调节，进而实现对FeMn磁矩排列的有效调控，具有制备简单、控制方便、能耗低、效率高、成本低等优点。
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公开(公告)号：CN110021702B
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201910164964.2
申请日：2019-03-05
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供一种快速提高垂直磁各向异性的方法，属于磁性材料技术领域。先通过磁控溅射仪器在室温下氩气环境下磁控溅射沉积制备CoFeB/MgO结构的薄膜磁性异质结材料；然后将制备的薄膜磁性异质结材料在超高真空的反应装置内快速退火，最终获得良好垂直磁各向异性的薄膜磁性异质结材料。本发明通过对简单膜层结构的薄膜磁性异质结材料在超高真空1×10‑7~9×10‑7Torr、温度范围250~350℃、30~60秒时间内快速退火，由于在CoFeB/MgO界面，电荷在高温下发生瞬间的轨道杂化，从而获得良好垂直磁各向异性；该操作方法简便易行，适用于大规模连续化的具有良好垂直磁各向异性的薄膜磁性异质结材料生产。
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公开(公告)号：CN111009365A
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201911280695.2
申请日：2019-12-13
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种调控反铁磁薄膜材料的磁矩排列的方法，属于信息存储及传感技术领域。对钛镍铌TiNiNb形状记忆合金基片进行预拉伸处理、表面抛光以及表面的氩离子轰击处理；然后，在上述TiNiNb记忆合金基片上沉积钽Ta/镍铁NiFe/铁锰FeMn/钽Ta多层膜；沉积完毕后，在真空环境下并同时施加磁场时，对其进行热处理最后，冷却至室温即可。其原理是：通过温控TiNiNb基底的逆马氏体相变产生显著的晶格应变作用在多层膜上，通过这种应变可以控制NiFe/FeMn界面处的交换弹簧结构，从而引起FeMn的Néel矢量转动，并有效调控FeMn的磁矩排列。本发明通过简单的温度控制就能实现对交换弹簧结构的调节，进而实现对FeMn磁矩排列的有效调控，具有制备简单、控制方便、能耗低、效率高、成本低等优点。
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公开(公告)号：CN110021702A
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201910164964.2
申请日：2019-03-05
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供一种快速提高垂直磁各向异性的方法，属于磁性材料技术领域，先通过磁控溅射仪器在室温下氩气环境下磁控溅射沉积制备CoFeB/MgO结构的薄膜磁性异质结材料；然后将制备的薄膜磁性异质结材料在超高真空的反应装置内快速退火，最终获得良好垂直磁各向异性的薄膜磁性异质结材料。本发明通过对简单膜层结构的薄膜磁性异质结材料Ta(1～5nm)/Co40Fe40B20(0.5～1.4nm)/MgO(1～2nm)/Ta(1～3nm)在超高真空1×10-7～9×10-7Torr、温度范围250～350℃、30～60秒时间内快速退火，由于在CoFeB/MgO界面，电荷在高温下发生瞬间的轨道杂化，Fe的3d轨道和O的2p轨道杂化，从而获得良好垂直磁各向异性；该操作方法简便易行，适用于大规模连续化的具有良好垂直磁各向异性的薄膜磁性异质结材料生产。
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公开(公告)号：CN109972104A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201910164965.7
申请日：2019-03-05
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供一种弥补Co靶材质量缺陷的方法，属于磁性材料技术领域，包括以下步骤：首先选用市面上常见的高透磁率的Co靶材，并对Co靶材表面进行清洗；其次将清洗后的Co靶材放入磁控溅射仪中溅射，溅射过程中在磁控溅射仪内的基片位置平行于膜面处施加均匀磁场，最后磁控溅射沉积制得高镀膜质量、高剩磁比的5‑10nm厚的Co薄膜。本发明通过在Co薄膜沉积过程中在基片位置平行于膜面处施加600～1000Oe的均匀磁场；在磁控溅射沉积过程中Co原子被前述平行施加的均匀磁场磁化，从而使得沉积后的Co薄膜具有较好的磁性，操作简单，极大地降低了生产成本，利于规模化连续化的工业生产。
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