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公开(公告)号：CN1305614C
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200510011969.X
申请日：2005-06-21
申请人： 北京科技大学
IPC分类号： B22F1/00
摘要： 本发明提供了一种不易锈以铁代铜混合粉及零件的制造方法，属于粉末冶金技术领域。混合粉的制备是在去离子水中加入浓磷酸，使磷酸浓度为0.15～0.25M/L，然后加入15～30g/L的Zn3(PO4)2·4H2O，搅拌使之完全溶解。加入铁粉2500～3500g/L并搅拌均匀，放入真空箱或在空气中干燥，干燥后制成呈暗红色的化学改性铁粉。零件的制备是选取40重量%～20重量%的化学改性后的铁粉，掺入60重量%～80重量%的电解铜粉或青铜粉，于100～200MPa下压制，900～1000℃真空烧结得到零件。其优点在于：采用化学改性方法，使铁粉颗粒表面形成一层包覆层，包覆层中的元素在铁粉和铜粉之间快速扩散，强化了烧结过程、腐蚀电位提高，最终使零件的耐腐蚀性提高。
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公开(公告)号：CN113025954A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202110254760.5
申请日：2021-03-09
申请人： 北京科技大学
摘要： 一种调控铁磁多层膜相互作用的方法，属于高密度信息存储及传感技术领域。在经过表面酸化处理和超声清洗的Si基片上，沉积铂Pt/钴Co/钽Ta多层膜。沉积完毕后，对薄膜进行砷As离子注入，通过As离子调节与界面处的电子轨道占据以影响多层膜的自旋轨道耦合强度，从而调控铁磁多层膜的DM相互作用。本发明通过As离子注入的方法直接调节多层膜界面的轨道占据，从而改变自旋‑轨道耦合作用，最终调控多层膜界面的DM相互作用，该方法不依赖于特殊材料体系，具有普适性；并且，该方法可以通过改变注入离子源、注入能量以及注入密度等参数实现DM相互作用不同程度的调控，工艺简单，成本低且可控性强，能够应用于未来自旋电子学技术中。
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公开(公告)号：CN111009365A
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201911280695.2
申请日：2019-12-13
申请人： 北京科技大学
摘要： 一种调控反铁磁薄膜材料的磁矩排列的方法，属于信息存储及传感技术领域。对钛镍铌TiNiNb形状记忆合金基片进行预拉伸处理、表面抛光以及表面的氩离子轰击处理；然后，在上述TiNiNb记忆合金基片上沉积钽Ta/镍铁NiFe/铁锰FeMn/钽Ta多层膜；沉积完毕后，在真空环境下并同时施加磁场时，对其进行热处理最后，冷却至室温即可。其原理是：通过温控TiNiNb基底的逆马氏体相变产生显著的晶格应变作用在多层膜上，通过这种应变可以控制NiFe/FeMn界面处的交换弹簧结构，从而引起FeMn的Néel矢量转动，并有效调控FeMn的磁矩排列。本发明通过简单的温度控制就能实现对交换弹簧结构的调节，进而实现对FeMn磁矩排列的有效调控，具有制备简单、控制方便、能耗低、效率高、成本低等优点。
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公开(公告)号：CN1695849A
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN200510011969.X
申请日：2005-06-21
申请人： 北京科技大学
IPC分类号： B22F1/00
摘要： 本发明提供了一种不易锈以铁代铜混合粉及零件的制造方法，属于粉末冶金技术领域。混合粉的制备是在去离子水中加入浓磷酸，使磷酸浓度为0.15～0.25M/L，然后加入15～30g/L的Zn3(PO4)2·4H2O，搅拌使之完全溶解。加入铁粉2500～3500g/L并搅拌均匀，放入真空箱或在空气中干燥，干燥后制成呈暗红色的化学改性铁粉。零件的制备是选取40重量％～20重量％的化学改性后的铁粉，掺入60重量％～80重量％的电解铜粉或青铜粉，于100～200MPa下压制，900～1000℃真空烧结得到零件。其优点在于：采用化学改性方法，使铁粉颗粒表面形成一层包覆层，包覆层中的元素在铁粉和铜粉之间快速扩散，强化了烧结过程、腐蚀电位提高，最终使零件的耐腐蚀性提高。
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公开(公告)号：CN113025954B
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202110254760.5
申请日：2021-03-09
申请人： 北京科技大学
摘要： 一种调控铁磁多层膜相互作用的方法，属于高密度信息存储及传感技术领域。在经过表面酸化处理和超声清洗的Si基片上，沉积铂Pt/钴Co/钽Ta多层膜。沉积完毕后，对薄膜进行砷As离子注入，通过As离子调节与界面处的电子轨道占据以影响多层膜的自旋轨道耦合强度，从而调控铁磁多层膜的DM相互作用。本发明通过As离子注入的方法直接调节多层膜界面的轨道占据，从而改变自旋‑轨道耦合作用，最终调控多层膜界面的DM相互作用，该方法不依赖于特殊材料体系，具有普适性；并且，该方法可以通过改变注入离子源、注入能量以及注入密度等参数实现DM相互作用不同程度的调控，工艺简单，成本低且可控性强，能够应用于未来自旋电子学技术中。
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公开(公告)号：CN111009365B
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201911280695.2
申请日：2019-12-13
申请人： 北京科技大学
摘要： 一种调控反铁磁薄膜材料的磁矩排列的方法，属于信息存储及传感技术领域。对钛镍铌TiNiNb形状记忆合金基片进行预拉伸处理、表面抛光以及表面的氩离子轰击处理；然后，在上述TiNiNb记忆合金基片上沉积钽Ta/镍铁NiFe/铁锰FeMn/钽Ta多层膜；沉积完毕后，在真空环境下并同时施加磁场时，对其进行热处理最后，冷却至室温即可。其原理是：通过温控TiNiNb基底的逆马氏体相变产生显著的晶格应变作用在多层膜上，通过这种应变可以控制NiFe/FeMn界面处的交换弹簧结构，从而引起FeMn的Néel矢量转动，并有效调控FeMn的磁矩排列。本发明通过简单的温度控制就能实现对交换弹簧结构的调节，进而实现对FeMn磁矩排列的有效调控，具有制备简单、控制方便、能耗低、效率高、成本低等优点。
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公开(公告)号：CN105883752A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610274318.8
申请日：2016-04-28
申请人： 北京科技大学
CPC分类号： C01P2002/72 , C01P2004/03 , C01P2004/04 , C01P2004/20
摘要： 本发明公开了一种超薄二维碳纳米材料的两相界面制备方法，属于无机功能材料制备技术领域。其制备方法是通过一种两相界面的溶剂热方法，以含碳有机物小分子为模块自组装在油相和水相界面间合成产物，经过过滤，水洗，干燥制得超薄二维碳纳米材料。本发明的优点在于：1)在较低温度下(
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公开(公告)号：CN1718791A
公开(公告)日：2006-01-11
申请号：CN200510011994.8
申请日：2005-06-24
申请人： 北京科技大学
摘要： 一种制备不锈钢复合材料的方法，属于粉末冶金技术领域。其特征在于：将低熔点的Cu－Sn合金渗入316L不锈钢基体骨架，冷压制备具有18％～22％孔隙度的316L不锈钢的粉末骨架压坯，用双层添粉法将Cu－Sn合金置于骨架上下面，在氮氢气氛中一次完成熔渗—烧结过程。本发明的优点在于一次完成熔渗和烧结，工艺简单，效果明显。烧结制品残余孔隙大大降低，相对密度可达到97％以上。同时，由于孔隙度的降低，烧结制品的物理机械性能和抗腐蚀性能明显提高。
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公开(公告)号：CN118600384A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410975035.0
申请日：2024-07-19
申请人： 北京科技大学
摘要： 一种自旋态控制的超高磁电阻薄膜及其制备方法，属于磁性薄膜和磁传感领域。薄膜材料为（111）或（110）单晶MgO基底上生长的MgO/NiFe/MgO/Ta多层膜结构，利用单晶MgO基底控制NiFe的原子间距和原子排列方式，促进O原子进入NiFe晶格并通过超交换相互作用调节NiFe的晶体场，进而优化NiFe的自旋态，最终获得超高各向异性磁电阻的NiFe薄膜。在经过氧气环境退火和超声清洗处理的单晶MgO基片上，沉积氧化镁MgO/坡莫合金NiFe/氧化镁MgO/钽Ta多层膜结构，获得具有超高各向异性磁电阻的薄膜。本发明通过控制材料的晶体场优化NiFe的自旋态，提高各向异性磁电阻，制备的NiFe薄膜具有超高的各向异性磁电阻比率，同时具有很小的磁滞现象，能够满足超高灵敏度的各向异性磁电阻效应磁传感器的需求。
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