公开(公告)号：CN106128753A

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201610525029.0

申请日：2016-07-05

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 冯春 ,  唐晓磊 ,  尹建娟 ,  蒋旭敏 ,  于广华

IPC: H01F41/18 ,  H01F41/30 ,  H01F10/32

CPC classification number: H01F41/18 ,  H01F10/32 ,  H01F41/302

Abstract: 一种制备FePt赝自旋阀材料的方法，属于磁性材料或自旋电子学材料领域。本发明对铜锌铝Cu‑Zn‑Al记忆合金基片进行预拉伸处理、表面酸化去氧化皮处理以及表面抛光处理；然后，在上述Cu‑Zn‑Al基片上沉积薄膜材料，结构为：铁铂FePt/钌Ru/铁铂FePt/钽Ta；沉积完毕后，在真空环境下对其进行热处理，以诱导两层FePt层的原子发生有序化排列，形成硬磁性能。最后，对上述薄膜体系进行光刻处理，以获得纳米柱状阵列结构，引出电极。通过控制温度，控制薄膜体系的应力状态，进而实现高电阻状态和低电阻状态的切换，即赝自旋阀功能。本发明具有制备简单、控制方便的特点；不需要高成本的稀有金属或昂贵的附加装置，因此具有效率高、成本低等优点，适合应用于未来自旋电子学技术中。

公开(公告)号：CN106128753B

公开(公告)日：2017-09-22

申请号：CN201610525029.0

申请日：2016-07-05

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 冯春 ,  唐晓磊 ,  尹建娟 ,  蒋旭敏 ,  于广华

IPC: H01F41/18 ,  H01F41/30 ,  H01F10/32

Abstract: 一种制备FePt赝自旋阀材料的方法，属于磁性材料或自旋电子学材料领域。本发明对铜锌铝Cu‑Zn‑Al记忆合金基片进行预拉伸处理、表面酸化去氧化皮处理以及表面抛光处理；然后，在上述Cu‑Zn‑Al基片上沉积薄膜材料，结构为：铁铂FePt/钌Ru/铁铂FePt/钽Ta；沉积完毕后，在真空环境下对其进行热处理，以诱导两层FePt层的原子发生有序化排列，形成硬磁性能。最后，对上述薄膜体系进行光刻处理，以获得纳米柱状阵列结构，引出电极。通过控制温度，控制薄膜体系的应力状态，进而实现高电阻状态和低电阻状态的切换，即赝自旋阀功能。本发明具有制备简单、控制方便的特点；不需要高成本的稀有金属或昂贵的附加装置，因此具有效率高、成本低等优点，适合应用于未来自旋电子学技术中。