公开(公告)号：CN108831741A

公开(公告)日：2018-11-16

申请号：CN201810620121.4

申请日：2018-06-15

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 冯春 ,  姚明可 ,  王世如 ,  唐晓磊 ,  于广华

IPC: H01F41/14 ,  H01F41/22

Abstract: 一种增加铁磁金属/氧化物双层膜的界面磁各向异性能的方法，属于高密度信息存储及传感技术领域。在经过表面酸化处理的硅Si基片上，沉积铬Cr/铁氮FeNx/氧化镁MgO/钽Ta多层膜，沉积完毕后进行热处理，促进N原子在间隙位置处的均匀占据。N原子能够改变Fe的配位环境，引起Fe/MgO界面处的电荷重新分布，有效地调节Fe的能带结构，大大增加dz2轨道上的电子占据，进而能够调节Fe 3dz2–O 2pz轨道杂化状态，使得薄膜的界面磁各向异性能显著增加。本发明只需要在制备Fe薄膜的过程中，通入氮气，就能够直接调节Fe-O的轨道杂化强度，并增加界面磁各向异性能，不需要高成本的稀有金属或昂贵的附加装置，具有制备简单、控制方便的特点；具有效率高、成本低等优点，适合应用于未来自旋电子学技术中。

公开(公告)号：CN108831741B

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201810620121.4

申请日：2018-06-15

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 冯春 ,  姚明可 ,  王世如 ,  唐晓磊 ,  于广华

IPC: H01F41/14 ,  H01F41/22

Abstract: 一种增加铁磁金属/氧化物双层膜的界面磁各向异性能的方法，属于高密度信息存储及传感技术领域。在经过表面酸化处理的硅Si基片上，沉积铬Cr/铁氮FeNx/氧化镁MgO/钽Ta多层膜，沉积完毕后进行热处理，促进N原子在间隙位置处的均匀占据。N原子能够改变Fe的配位环境，引起Fe/MgO界面处的电荷重新分布，有效地调节Fe的能带结构，大大增加dz2轨道上的电子占据，进而能够调节Fe 3dz2–O 2pz轨道杂化状态，使得薄膜的界面磁各向异性能显著增加。本发明只需要在制备Fe薄膜的过程中，通入氮气，就能够直接调节Fe‑O的轨道杂化强度，并增加界面磁各向异性能，不需要高成本的稀有金属或昂贵的附加装置，具有制备简单、控制方便的特点；具有效率高、成本低等优点，适合应用于未来自旋电子学技术中。