公开(公告)号：CN105097489B

公开(公告)日：2018-02-13

申请号：CN201510250282.5

申请日：2015-05-15

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 久松亨 ,  本田昌伸

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/033

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/67069

Abstract: 本发明提供能够抑制由蚀刻形成的线条的粗糙且能够维持在蚀刻后残留的光致抗蚀剂的高度的等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置。等离子体蚀刻方法包括堆积工序和蚀刻工序。在堆积工序中，利用含有四氯化硅气体、甲烷气体以及氢气的第1处理气体的等离子体将含有硅和碳的保护层堆积在由基底层和具有规定图案的光致抗蚀剂依次层叠而成的被处理体的光致抗蚀剂上。在蚀刻工序中，将堆积有保护层的光致抗蚀剂作为掩模并利用与第1处理气体不同的第2处理气体的等离子体来对基底层进行蚀刻。

公开(公告)号：CN105845550A

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201610067618.9

申请日：2016-01-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 木原嘉英 ,  久松亨 ,  大石智之 ,  本田昌伸

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L21/31144 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02208 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/02107 ,  H01L21/02252

Abstract: 本发明提供一种被处理体的处理方法，通过该方法，即使掩模的开口的纵横比高，也能够使形成于被处理体上的氧化硅膜的膜厚偏差降低。在一个实施方式的方法中，反复进行包括以下步骤的流程来形成氧化硅膜：(a)在等离子体处理装置的处理容器内，生成包含卤化硅气体的第一气体的等离子体，从而在被处理体上形成反应前驱体的第一步骤；(b)在第一步骤之后，在处理容器内生成稀有气体的等离子体的第二步骤；(c)在第二步骤之后，在处理容器内生成包含氧气的第二气体的等离子体，形成氧化硅膜的第三步骤；和(d)在第三步骤之后，在处理容器内生成稀有气体的等离子体的第四步骤。

公开(公告)号：CN105316639A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201510455789.4

申请日：2015-07-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 木原嘉英 ,  本田昌伸 ,  久松亨

IPC: C23C14/38 ,  H01J37/32 ,  H01J37/34

CPC classification number: C23C14/34 ,  C23C14/06 ,  C23C14/0605 ,  C23C14/0694 ,  C23C14/3414 ,  C23C14/3435 ,  C23C14/345 ,  C23C16/30 ,  C23C16/509 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32577 ,  H01J37/3414 ,  H01J37/3417 ,  H01J37/3426 ,  H01J37/3432 ,  H01J37/3438 ,  H01J37/3491

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法。目的在于在腔室内的电极上形成作为靶发挥功能的膜并对所形成的膜进行溅射。在该等离子体处理装置中，载置基板的第一电极与同上述第一电极相向地配置的第二电极以隔开规定的间隙的方式相向地配置，该等离子体处理装置具有：第一高频电源，其向上述第二电极供给第一高频电力；直流电源，其向上述第二电极供给直流电力；以及气体供给源，其向腔室内供给气体，上述第二电极具有利用通过供给第一气体和上述第一高频电力而生成的等离子体形成的反应产物的膜，上述第二电极成为利用通过供给第二气体、上述第一高频电力以及上述直流电力而生成的等离子体对上述反应产物的膜进行溅射的靶。

公开(公告)号：CN105097489A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201510250282.5

申请日：2015-05-15

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 久松亨 ,  本田昌伸

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/033

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/0332

Abstract: 本发明提供能够抑制由蚀刻形成的线条的粗糙且能够维持在蚀刻后残留的光致抗蚀剂的高度的等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置。等离子体蚀刻方法包括堆积工序和蚀刻工序。在堆积工序中，利用含有四氯化硅气体、甲烷气体以及氢气的第1处理气体的等离子体将含有硅和碳的保护层堆积在由基底层和具有规定图案的光致抗蚀剂依次层叠而成的被处理体的光致抗蚀剂上。在蚀刻工序中，将堆积有保护层的光致抗蚀剂作为掩模并利用与第1处理气体不同的第2处理气体的等离子体来对基底层进行蚀刻。

公开(公告)号：CN104867827A

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201510080883.6

申请日：2015-02-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 北垣内圭二 ,  胜沼隆幸 ,  本田昌伸

IPC: H01L21/311

CPC classification number: H01L21/31116 ,  C23C2/006 ,  H01J37/32091 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/311 ,  H01L21/76897

Abstract: 本发明提供一种对由氧化硅构成的区域进行蚀刻的蚀刻方法。一技术方案的蚀刻方法包括以下工序：将具有由氧化硅构成的区域的被处理体暴露在含有碳氟化合物气体的处理气体的等离子体中的工序(a)，在该工序(a)中，对该区域进行蚀刻且在该区域上形成含有碳氟化合物的堆积物；以及利用所述堆积物所含有的碳氟化合物的自由基对所述区域进行蚀刻的工序(b)，在该方法中，交替地重复执行工序(a)和工序(b)。

公开(公告)号：CN104081502A

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201380007751.X

申请日：2013-02-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 川又诚也 ,  本田昌伸

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/308 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76838 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11582

Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制造方法，其对形成于衬底上的相对介电常数不同的第一膜和第二膜交替层叠而形成的多层膜，以多层膜上的光致抗蚀剂层(PR)为掩模，利用等离子体进行蚀刻，将多层膜形成为阶梯形状，该半导体器件的制造方法反复进行如下工序：以光致抗蚀剂层为掩模对第一膜进行蚀刻的第一工序；将处理室内的压力设定为6～30Torr，对下部电极施加等离子体生成用的高频电力和偏置用的高频电力，利用由此生成的等离子体，对光致抗蚀剂层进行蚀刻的第二工序；以光致抗蚀剂层和第一膜为掩模对第二膜进行蚀刻的第三工序。

公开(公告)号：CN101154569B

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN200710140294.8

申请日：2003-06-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山口智代 ,  布瀬晓志 ,  藤本究 ,  本田昌伸 ,  永关一也 ,  高明辉 ,  榎本隆 ,  伊藤弘治 ,  北村彰规

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/3105 ,  G03F7/40

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法，其特征在于，具有如下工序：将被处理体配置在处理容器内，该被处理体具有蚀刻对象部、覆盖该蚀刻对象部的防止反射层、和覆盖该防止反射层、形成有开口图案的ArF光刻胶或F2光刻胶构成的光刻胶层；向所述处理容器中导入处理气体；等离子体化所述处理气体；和使该等离子体作用于所述被处理体，使所述光刻胶层的耐等离子体性提高的同时，通过所述开口图案，蚀刻所述防止反射层。

公开(公告)号：CN102117733B

公开(公告)日：2013-09-04

申请号：CN201010561532.4

申请日：2010-11-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 本田昌伸 ,  村上贵宏 ,  三村高范 ,  花冈秀敏

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/687 ,  H01J37/36

CPC classification number: B08B7/0035 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32862

Abstract: 提供一种基板处理装置及其清洁方法，不使下部电极的自偏压升高就能够提高基板载置台的附着物的去除率。在规定处理条件下清洁处理室(102)内时，按照根据下部电极(111)的自偏压以如下方式设定的流量比将含有O2气体和惰性气体的处理气体提供给处理室内，对下部电极(111)与上部电极(120)的电极之间施加高频电力来产生等离子体，该方式为：上述下部电极的自偏压的绝对值越小，上述O2气体的流量比越小，而惰性气体的流量比越大。

公开(公告)号：CN101552189B

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN200910129594.5

申请日：2009-03-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 本田昌伸 ,  中谷理子

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/24 ,  G03F7/26

Abstract: 本发明提供等离子体处理方法。其通过简便且有效的抗蚀剂改性法能够强化抗蚀剂的耐蚀刻性，提高薄膜加工的精度、稳定性。在腔室(10)内从上部电极(喷淋头)(60)喷出的处理气体在两电极(12、60)之间通过高频放电离解、电离而生成等离子体。在此，由可变直流电源(80)将直流电压(VDC)以负极性的高压施加在上部电极(60)上。这样，通过放电从电极板(62)释放出的2次电子e-在上部离子鞘(SHU)的电场中在与离子相反的方向上被加速并穿过等离子体(PR)，进一步横穿下部离子鞘(SHL)，以规定的高能被打入基座(12)上的半导体晶片(W)表而的抗蚀剂图案(100)。

公开(公告)号：CN102209426A

公开(公告)日：2011-10-05

申请号：CN201110084206.3

申请日：2011-03-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 本田昌伸

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01J37/32165 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/32568

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法和等离子体处理装置，其根据处理控制壁电位。在处理容器内的等离子体处理空间生成等离子体，对晶片进行等离子体处理的蚀刻装置(10)包括：施加等离子体激励用的高频电力的等离子体激励用高频电源(150)；施加电位调整用的高频电力的电位调整用高频电源(140)和施加直流电压的直流电源(130)中的至少任意一个；载置晶片的载置台(125)；和位于载置于载置台(125)的晶片的外侧且与载置台(125)相对地配置，与电位调整用高频电源(140)和直流电源(130)中的至少任意一个连接的辅助电极(165)。