公开(公告)号：CN117894838A

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN202311324255.9

申请日：2023-10-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘庭均 ,  朴俊起 ,  金成焕 ,  金完敦 ,  成石铉 ,  李贤培

IPC: H01L29/78

Abstract: 一种半导体器件包括：在衬底上的有源区；彼此间隔开的多个沟道层；在衬底上的栅极结构；在栅极结构的至少一侧的源极/漏极区；以及连接到源极/漏极区的接触插塞。接触插塞包括金属半导体化合物层和在金属半导体化合物层上的阻挡层。接触插塞包括位于金属半导体化合物层和阻挡层彼此直接接触的位置处的第一倾斜表面和第二倾斜表面。阻挡层包括朝向栅极结构突出的第一端和第二端。第一端和第二端位于比最上面的沟道层的上表面高的水平处。金属半导体化合物层的最上部位于比源极/漏极区的上表面高的水平处。

公开(公告)号：CN117637752A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202311071592.1

申请日：2023-08-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘庭均 ,  朴起宽

IPC: H01L27/092

Abstract: 一种半导体器件包括：在基板的第一区域和第二区域上的第一有源鳍和第二有源鳍；隔离图案，在第一区域和第二区域之间的边界以及第一区域和第二区域的与其相邻的部分上，隔离图案将第一有源鳍和第二有源鳍分开；第一栅极结构，在第一区域上的第一有源鳍和隔离图案上；第二栅极结构，在第二区域上的第二有源鳍和隔离图案上；第一源极/漏极层，在与第一栅极结构相邻的第一有源鳍上；以及第二源极/漏极层，在与第二栅极结构相邻的第二有源鳍上。第一栅极结构与第一有源鳍重叠的部分的宽度大于第二栅极结构与第二有源鳍重叠的部分的宽度。

公开(公告)号：CN107170741B

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN201710130993.8

申请日：2017-03-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑在烨 ,  严命允 ,  车东镐 ,  刘庭均 ,  朴起宽

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 一种集成电路(IC)器件包括：彼此邻近的一对鳍形有源区，在其间有鳍分离区，所述一对鳍形有源区延伸成一行；以及在鳍分离区中的鳍分离绝缘结构，其中所述一对鳍形有源区包括第一鳍形有源区，第一鳍形有源区具有限定部分的鳍分离区的第一拐角，并且其中鳍分离绝缘结构包括：下绝缘图案，覆盖所述一对鳍形有源区的侧壁；以及上绝缘图案，在下绝缘图案上以覆盖第一拐角的至少部分，上绝缘图案具有在比所述一对鳍形有源区的每个的顶表面高的水平处的顶表面。

公开(公告)号：CN107026088B

公开(公告)日：2022-05-03

申请号：CN201710063704.7

申请日：2017-02-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴起宽 ,  刘庭均 ,  金基一 ,  成石铉 ,  严命允

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 一种制造半导体器件的方法包括由其面对的末端之间的第一沟槽分开的第一鳍式图案和第二鳍式图案，形成填充第一沟槽的第一绝缘层，去除第一绝缘层的一部分以在第一绝缘层上形成第二沟槽，以及通过增大第二沟槽的宽度形成第三沟槽。

公开(公告)号：CN114068719A

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN202110862180.4

申请日：2021-07-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘庭均 ,  郑朱希 ,  马在亨 ,  李南玹

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/088

Abstract: 提供了一种半导体器件，其包括具有中心区和外围区的衬底、在中心区上的集成电路结构、以及在外围区上并围绕中心区的第一结构，其中第一结构的一部分包括：第一鳍结构，由衬底中的器件隔离区限定；第一电介质层，覆盖第一鳍结构的上表面和侧表面以及器件隔离区的上表面；在第一鳍结构上的第一栅极结构，第一栅极结构包括第一栅极导电层、覆盖第一栅极导电层的下表面和侧表面的第一栅极电介质层以及在第一栅极导电层的侧壁上的第一栅极间隔物层；以及第一绝缘结构，覆盖第一电介质层和第一栅极结构。

公开(公告)号：CN113948449A

公开(公告)日：2022-01-18

申请号：CN202110752477.5

申请日：2021-07-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘庭均 ,  朴星一 ,  郑朱希 ,  许盛祺

IPC: H01L21/768

Abstract: 一种半导体器件，包括：衬底，包括在第一方向上延伸并且在第一方向上彼此分隔开的第一有源区和第二有源区；器件隔离层，在衬底中处于第一有源区和第二有源区之间；以及第一栅结构和第二栅结构，在衬底上在第二方向上延伸，同时分别与第一有源区和第二有源区的端部相交。第一栅结构包括第一栅电极。第二栅结构包括第二栅电极。与第二栅结构相比，第一栅结构在第一方向上朝着器件隔离层突出得更多，并且第一栅电极的下端位于比第二栅电极的下端低的高度水平上。

公开(公告)号：CN107068671B

公开(公告)日：2021-11-02

申请号：CN201610950591.8

申请日：2016-10-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金奇奂 ,  朴起宽 ,  刘庭均 ,  申东石 ,  金辰昱

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/417

Abstract: 一种半导体装置包括从基板向上突出的第一和第二有源图案、交叉第一和第二有源图案且在第一方向上延伸的栅电极、在第一有源图案上且在栅电极的至少一侧的第一源极/漏极区域、以及在第二有源图案上且在栅电极的至少一侧的第二源极/漏极区域。第一和第二源极/漏极区域具有彼此不同的导电类型，并且第二源极/漏极区域具有与所述第二有源图案的顶表面接触的底表面，并且第二源极/漏极区域的底表面的高度低于第一源极/漏极区域的与第一有源图案的顶表面接触的底表面。第一有源图案具有小于第二有源图案的第二宽度的第一宽度。

公开(公告)号：CN113497035A

公开(公告)日：2021-10-12

申请号：CN202011342115.0

申请日：2020-11-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐凤锡 ,  金大元 ,  朴范琎 ,  朴硕炯 ,  朴星一 ,  申在训 ,  杨奉燮 ,  刘庭均 ,  李在润

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 一种半导体器件包括：第一有源区，限定在衬底上；第一栅电极，跨第一有源区；第一漏区，在第一有源区中与第一栅电极相邻的位置处；底切区域，在第一有源区与第一栅电极之间；以及第一栅间隔物，在第一栅电极的侧表面上并延伸到底切区域中。

公开(公告)号：CN107017283B

公开(公告)日：2021-08-31

申请号：CN201610825443.3

申请日：2016-09-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金基一 ,  刘庭均 ,  朴起宽

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/78

Abstract: 一种半导体器件可以包括在基板上的场绝缘膜以及在基板上的具有特殊材料的鳍型图案，该鳍型图案具有第一侧壁和相反的第二侧壁。鳍型图案可以包括鳍型图案的从场绝缘膜的上表面突出的第一部分以及鳍型图案的设置在第一部分上的第二部分。鳍型图案的第三部分可以设置在第二部分上，在该处第三部分可以被鳍型图案的顶部倒圆表面覆盖，并且第一侧壁可以具有跨越第一、第二和第三部分的起伏轮廊。

公开(公告)号：CN105826385B

公开(公告)日：2021-01-05

申请号：CN201610032156.7

申请日：2016-01-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘庭均 ,  朴世玩 ,  都承右 ,  朴寅源 ,  成石铉

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供了一种用于制造半导体器件的方法。所述方法包括以下步骤：在衬底上形成包括上部和下部的第一鳍形图案；通过去除第一鳍形图案的上部的一部分形成第二鳍形图案；在第二鳍形图案上形成与第二鳍形图案交叉的虚设栅电极；以及在形成虚设栅电极之后通过去除第二鳍形图案的上部的一部分形成第三鳍形图案，其中，第二鳍形图案的上部的宽度小于第一鳍形图案的上部的宽度并且大于第三鳍形图案的上部的宽度。