公开(公告)号：CN114068719A

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN202110862180.4

申请日：2021-07-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘庭均 ,  郑朱希 ,  马在亨 ,  李南玹

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/088

Abstract: 提供了一种半导体器件，其包括具有中心区和外围区的衬底、在中心区上的集成电路结构、以及在外围区上并围绕中心区的第一结构，其中第一结构的一部分包括：第一鳍结构，由衬底中的器件隔离区限定；第一电介质层，覆盖第一鳍结构的上表面和侧表面以及器件隔离区的上表面；在第一鳍结构上的第一栅极结构，第一栅极结构包括第一栅极导电层、覆盖第一栅极导电层的下表面和侧表面的第一栅极电介质层以及在第一栅极导电层的侧壁上的第一栅极间隔物层；以及第一绝缘结构，覆盖第一电介质层和第一栅极结构。

公开(公告)号：CN110660802B

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN201910525869.0

申请日：2019-06-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卢昶佑 ,  马在亨 ,  裴东一

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/10

Abstract: 提供了一种半导体器件，所述半导体器件可以包括：第一沟道，位于基底的第一区域上，并且在与基底的上表面基本垂直的竖直方向上彼此间隔开；第二沟道，位于基底的第二区域上，并且在竖直方向上彼此间隔开；第一栅极结构，位于基底的第一区域上，并且覆盖第一沟道中的每个的表面的至少一部分；以及第二栅极结构，位于基底的第二区域上，并且覆盖第二沟道中的每个的表面的至少一部分。第二沟道可以设置在与第一沟道中对应的第一沟道的高度基本相同的高度处，第二沟道中的最下面的第二沟道的高度可以比第一沟道中的最下面的第一沟道的高度高。

公开(公告)号：CN110660802A

公开(公告)日：2020-01-07

申请号：CN201910525869.0

申请日：2019-06-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卢昶佑 ,  马在亨 ,  裴东一

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/10

Abstract: 提供了一种半导体器件，所述半导体器件可以包括：第一沟道，位于基底的第一区域上，并且在与基底的上表面基本垂直的竖直方向上彼此间隔开；第二沟道，位于基底的第二区域上，并且在竖直方向上彼此间隔开；第一栅极结构，位于基底的第一区域上，并且覆盖第一沟道中的每个的表面的至少一部分；以及第二栅极结构，位于基底的第二区域上，并且覆盖第二沟道中的每个的表面的至少一部分。第二沟道可以设置在与第一沟道中对应的第一沟道的高度基本相同的高度处，第二沟道中的最下面的第二沟道的高度可以比第一沟道中的最下面的第一沟道的高度高。

公开(公告)号：CN110783332B

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN201910627849.4

申请日：2019-07-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金昊俊 ,  马在亨 ,  裴金钟

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/762 ,  H01L21/8234

Abstract: 提供了半导体器件。半导体器件可以包括位于基底上的第一有源图案和第二有源图案。第一有源图案和第二有源图案中的每个可以在第一方向上延伸。第一有源图案和第二有源图案可以分别沿第一方向对齐并且可以分别通过在第二方向上延伸的第一沟槽分离。第一沟槽可以限定第一有源图案的第一侧壁。半导体器件还可以包括：沟道图案，包括堆叠在第一有源图案上的第一半导体图案和第二半导体图案；虚设栅电极，位于沟道图案上并且在第二方向上延伸；以及栅极间隔件，位于虚设栅电极的一侧上，虚设栅电极的所述一侧与第一沟槽相邻。栅极间隔件可以覆盖第一有源图案的第一侧壁。

公开(公告)号：CN114551387A

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN202111331262.2

申请日：2021-11-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋昇珉 ,  权兑勇 ,  马在亨 ,  李南玹

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/50 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528

Abstract: 可以提供一种半导体器件，该半导体器件包括：衬底，包括在第一方向上延伸的划分区域；在衬底上的第一和第二有源图案，并且划分区域插设在其间，第一和第二有源图案在垂直于第一方向的第二方向上彼此间隔开；栅电极，在第一方向上延伸并与第一和第二有源图案交叉；在第一有源图案上的第一沟道图案；以及在第二有源图案上的第二沟道图案。在第一方向上，第一有源图案的最小宽度可以小于第二有源图案的最小宽度。第一沟道图案的与划分区域相邻的端部可以包括在第一方向上延伸的突出部分，并且该突出部分在平面图中可以具有三角形形状。

公开(公告)号：CN110783332A

公开(公告)日：2020-02-11

申请号：CN201910627849.4

申请日：2019-07-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金昊俊 ,  马在亨 ,  裴金钟

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/762 ,  H01L21/8234

Abstract: 提供了半导体器件。半导体器件可以包括位于基底上的第一有源图案和第二有源图案。第一有源图案和第二有源图案中的每个可以在第一方向上延伸。第一有源图案和第二有源图案可以分别沿第一方向对齐并且可以分别通过在第二方向上延伸的第一沟槽分离。第一沟槽可以限定第一有源图案的第一侧壁。半导体器件还可以包括：沟道图案，包括堆叠在第一有源图案上的第一半导体图案和第二半导体图案；虚设栅电极，位于沟道图案上并且在第二方向上延伸；以及栅极间隔件，位于虚设栅电极的一侧上，虚设栅电极的所述一侧与第一沟槽相邻。栅极间隔件可以覆盖第一有源图案的第一侧壁。