基板处理装置
    61.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1783425A

    公开(公告)日:2006-06-07

    申请号:CN200510103815.3

    申请日:2005-07-29

    Inventor: 中村彰彦

    Abstract: 本发明提供一种基板处理装置,能与等离子处理装置处理速度匹配,还能提高其它处理装置的处理速度。盖基板处理装置具有一对基板盒(1、1)、输送装置(2)、一对清洗装置(供液装置)(3、3)、操作机械手(4)、冷却装置(5)、一对载置室(6、6)及一对灰化装置(等离子处理装置)(7、7)。冷却装置(5)包括冷却剂循环的冷却板(51)和将基板(W)载置于冷却板(51)上的升降支柱(52),特别是冷却板(51)是上下两个层的,所述升降支柱(52)插设于各冷却板(51)上的通孔(53)中,而且各升降支柱(52)安装在共同的支撑部件(54)上,驱动气缸使支撑部件(54)升降,由此同时使两个基板(W)升降移动。而且,由罩(31)和夹子(32)构成的清洗装置(3)也可以与冷却装置(5)一样是多层式的。

    片材形成用组合物、其制造方法、及显示屏制造用片材状未烧结体

    公开(公告)号:CN1721990A

    公开(公告)日:2006-01-18

    申请号:CN200510080926.7

    申请日:2005-06-24

    Abstract: 本发明目的是提供一种无机粉末的分散性高、能形成膜厚均匀的涂膜、且能抑制烧结后的收缩的片材形成用组合物、该片材形成用组合物的制造方法、以及显示屏制造用片材状未烧结体。本发明的片材形成用组合物含有(A)粘合剂树脂、(B)无机粉末、和(C)溶剂,所述粘合剂树脂是至少(i)有羟基的聚合性单体、(ii)用CH2=CR-COOCmH2m+1(R表示氢原子或烷基,m表示6以上的整数)表示的聚合性单体和(iii)用 CH2=CR-COOCnH2n+1(R表示氢原子或烷基,n表示4以下的整数)表示的聚合性单体的共聚物。

    基板端缘部覆膜的除去装置

    公开(公告)号:CN1710468A

    公开(公告)日:2005-12-21

    申请号:CN200510078563.3

    申请日:2005-06-17

    Abstract: 本发明提供一种能可靠地防止大型玻璃基板的端缘部的挠曲的基板端缘部覆膜的除去装置。使基板保持部(2)的轴(4)伸长来使夹具(3)上升,在该上升位置上接取基板(W)。在该状态下,由于自重,基板(W)的周边部向下方挠曲。接着,收缩轴(4)使夹具下降直到与杆部件(17)的上表面同面。于是,基板(W)的周缘部下表面由杆部件(17)支承,基板(W)保持在水平状态下。此时,在清洗组件(10)的狭缝(11)内,利用表面张力保持着清洗液(溶剂)。从这一状态开始,使左右的清洗组件(10)前进,将基板(W)的端缘部插入到清洗组件(10)的狭缝(11)内。

    单张涂膜形成装置及单张涂膜形成方法

    公开(公告)号:CN1680045A

    公开(公告)日:2005-10-12

    申请号:CN200510006324.7

    申请日:2005-01-26

    Abstract: 本发明提供一种单张涂膜形成装置以及单张涂膜形成方法,其不会产生涂膜的膜厚、色度及/或光学浓度的离散,且可以在板状被处理物上形成预定膜厚、色度及/或光学浓度。本发明的单张涂膜形成装置包括:由狭缝喷嘴向板状被处理物的表面供给涂布液的涂布装置、对涂布在前述板状被处理物的表面上的涂布液进行干燥的减压干燥装置、对前述干燥后的涂布液进行加热的加热装置,在单张涂膜形成装置中设置测定装置,对由前述加热装置加热后的前述板状被处理物的膜厚、色度及/或光学浓度进行测定,并将其测定结果转送给前述涂布装置。

    狭缝喷嘴前端的调整装置和调整方法

    公开(公告)号:CN1672806A

    公开(公告)日:2005-09-28

    申请号:CN200510067722.X

    申请日:2005-03-24

    Inventor: 岛井太 河田茂

    Abstract: 本发明的目的是提供一种狭缝喷嘴调整装置和使用所述调整装置的狭缝喷嘴调整方法,不发生狭缝喷嘴清洗不均匀,而且能够节约清洗液,结构紧凑。开有所定宽度的涂敷液喷出口的狭缝喷嘴前端的调整装置由清洗狭缝喷嘴的浸渍式清洗部、干燥清洗后的喷嘴的干燥部及调整狭缝喷嘴的喷出口的预混合部构成,而且设置在同一装置上。浸渍式清洗部在超过一定时间不使用狭缝喷嘴时兼作干燥防止部,保持浸渍狭缝喷嘴的前端。

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