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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1849386A
公开(公告)日：2006-10-18
申请号：CN200480017132.X
申请日：2004-06-18
Applicant: 东京応化工业株式会社 , 英特尔公司
CPC classification number: G03F7/425 , C11D7/06 , C11D7/267 , C11D7/32 , C11D7/34 , C11D7/5004 , C11D11/0047 , H01L21/02063 , H01L21/31133
Abstract: 一种清洁组合物，包含至少氢氧化季铵、水溶性有机溶剂、水、抗蚀剂和占溶液总量的1重量％或更低的氢氧化钾。该清洁组合物可以单独有效地从半导体基底表面去除光刻胶薄膜、隐埋材料和金属残余物。
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公开(公告)号：CN1849386B
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：CN200480017132.X
申请日：2004-06-18
Applicant: 东京応化工业株式会社 , 英特尔公司
CPC classification number: G03F7/425 , C11D7/06 , C11D7/267 , C11D7/32 , C11D7/34 , C11D7/5004 , C11D11/0047 , H01L21/02063 , H01L21/31133
Abstract: 一种清洁组合物，包含至少氢氧化季铵、水溶性有机溶剂、水、抗蚀剂和占溶液总量的1重量％或更低的氢氧化钾。该清洁组合物可以单独有效地从半导体基底表面去除光刻胶薄膜、隐埋材料和金属残余物。
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公开(公告)号：CN1683487A
公开(公告)日：2005-10-19
申请号：CN200510051838.4
申请日：2005-01-21
Applicant: 东京応化工业株式会社
IPC: C11D7/28 , H01L21/302 , G03F7/42
CPC classification number: C11D7/10 , C11D7/264 , C11D7/5004 , C11D11/0047 , C23G1/125 , C23G1/22 , G03F7/423 , G03F7/426
Abstract: 提供一种剥离洗涤液，其不会过度腐蚀金属布线图案的侧壁和形成布线上面的金属层，能够良好地剥离布线上面的难剥离性堆积物。该剥离洗涤液的特征在于，至少含有氟化合物、水溶性有机溶剂、水以及相对于总量0.1～20质量％的二齿配体。或者，其特征在于，至少含有碱性水溶液、选自具有羧基的有机化合物及其酸酐中的至少一种、水以及相对于总量0.5～10质量％的二齿配体。
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公开(公告)号：CN1389907A
公开(公告)日：2003-01-08
申请号：CN02121528.6
申请日：2002-04-30
Applicant: 东京応化工业株式会社
IPC: H01L21/316
CPC classification number: H01L21/31116 , H01L21/316 , H01L21/76802
Abstract: 提供一种在湿剥离光刻胶图案时SiO2涂层(夹层绝缘膜)不易受损伤的涂层处理方法。将在衬底上形成的低介电系数的SiO2类涂层,通过光刻胶图案进行蚀刻处理后,利用由氦气所产生的等离子体来处理上述的经蚀刻处理后的SiO2类涂层。通过这一方法,在后工序进行光刻胶图案的湿剥离处理时,不仅不会损伤到SiO2类涂层,而且可维持较低的介电系数。
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公开(公告)号：CN1245743C
公开(公告)日：2006-03-15
申请号：CN02121528.6
申请日：2002-04-30
Applicant: 东京応化工业株式会社
IPC: H01L21/316
CPC classification number: H01L21/31116 , H01L21/316 , H01L21/76802
Abstract: 提供一种在湿剥离光刻胶图案时SiO2涂层(夹层绝缘膜)不易受损伤的涂层处理方法。将在衬底上形成的低介电系数的SiO2类涂层，通过光刻胶图案进行蚀刻处理后，利用由氦气所产生的等离子体来处理上述的经蚀刻处理后的SiO2类涂层。通过这一方法，在后工序进行光刻胶图案的湿剥离处理时，不仅不会损伤到SiO2类涂层，而且可维持较低的介电系数。
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