公开(公告)号：CN1849386A

公开(公告)日：2006-10-18

申请号：CN200480017132.X

申请日：2004-06-18

Applicant: 东京応化工业株式会社 ,  英特尔公司

Inventor： 横井滋 ,  胁屋和正 ,  原口高之 ,  M·A·赫斯塞恩 ,  L·I·乔恩格 ,  S·C·克拉克

IPC: C11D11/00 ,  H01L21/306 ,  C11D7/32 ,  C11D7/06 ,  C11D7/50 ,  C11D7/34 ,  C11D7/26

CPC classification number: G03F7/425 ,  C11D7/06 ,  C11D7/267 ,  C11D7/32 ,  C11D7/34 ,  C11D7/5004 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/31133

Abstract: 一种清洁组合物，包含至少氢氧化季铵、水溶性有机溶剂、水、抗蚀剂和占溶液总量的1重量％或更低的氢氧化钾。该清洁组合物可以单独有效地从半导体基底表面去除光刻胶薄膜、隐埋材料和金属残余物。

公开(公告)号：CN1849386B

公开(公告)日：2010-07-28

申请号：CN200480017132.X

申请日：2004-06-18

Applicant: 东京応化工业株式会社 ,  英特尔公司

Inventor： 横井滋 ,  胁屋和正 ,  原口高之 ,  M·A·赫斯塞恩 ,  L·I·乔恩格 ,  S·C·克拉克

IPC: C11D11/00 ,  H01L21/306 ,  C11D7/32 ,  C11D7/06 ,  C11D7/50 ,  C11D7/34 ,  C11D7/26

CPC classification number: G03F7/425 ,  C11D7/06 ,  C11D7/267 ,  C11D7/32 ,  C11D7/34 ,  C11D7/5004 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/31133

Abstract: 一种清洁组合物，包含至少氢氧化季铵、水溶性有机溶剂、水、抗蚀剂和占溶液总量的1重量％或更低的氢氧化钾。该清洁组合物可以单独有效地从半导体基底表面去除光刻胶薄膜、隐埋材料和金属残余物。

公开(公告)号：CN1683487A

公开(公告)日：2005-10-19

申请号：CN200510051838.4

申请日：2005-01-21

Applicant: 东京応化工业株式会社

Inventor： 原口高之 ,  横井滋 ,  胁屋和正

IPC: C11D7/28 ,  H01L21/302 ,  G03F7/42

CPC classification number: C11D7/10 ,  C11D7/264 ,  C11D7/5004 ,  C11D11/0047 ,  C23G1/125 ,  C23G1/22 ,  G03F7/423 ,  G03F7/426

Abstract: 提供一种剥离洗涤液，其不会过度腐蚀金属布线图案的侧壁和形成布线上面的金属层，能够良好地剥离布线上面的难剥离性堆积物。该剥离洗涤液的特征在于，至少含有氟化合物、水溶性有机溶剂、水以及相对于总量0.1～20质量％的二齿配体。或者，其特征在于，至少含有碱性水溶液、选自具有羧基的有机化合物及其酸酐中的至少一种、水以及相对于总量0.5～10质量％的二齿配体。