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公开(公告)号：CN1757096A
公开(公告)日：2006-04-05
申请号：CN200480005910.3
申请日：2004-03-04
Applicant: 东京応化工业株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F7/038 , G03F7/20
Abstract: 一种浸渍液，是通过液体将抗蚀剂膜曝光的液浸曝光工艺用浸渍液，由对曝光工艺中使用的曝光光透明、其沸点为70－270℃的含氟类液体构成；以及一种抗蚀剂图案形成方法，包括将上述浸渍液直接配置在抗蚀剂膜或保护膜上的工序。可同时防止液浸曝光中的抗蚀剂膜等膜的变质及使用液体的变质，形成采用液浸曝光的高分辨力抗蚀剂图案。
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公开(公告)号：CN1849386A
公开(公告)日：2006-10-18
申请号：CN200480017132.X
申请日：2004-06-18
Applicant: 东京応化工业株式会社 , 英特尔公司
CPC classification number: G03F7/425 , C11D7/06 , C11D7/267 , C11D7/32 , C11D7/34 , C11D7/5004 , C11D11/0047 , H01L21/02063 , H01L21/31133
Abstract: 一种清洁组合物，包含至少氢氧化季铵、水溶性有机溶剂、水、抗蚀剂和占溶液总量的1重量％或更低的氢氧化钾。该清洁组合物可以单独有效地从半导体基底表面去除光刻胶薄膜、隐埋材料和金属残余物。
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公开(公告)号：CN1388414A
公开(公告)日：2003-01-01
申请号：CN02141011.9
申请日：2002-05-17
Applicant: 东京応化工业株式会社
CPC classification number: H01L21/76808 , Y10T428/1419 , Y10T428/15 , Y10T428/31725
Abstract: 提供一种将埋入材料向通孔中填充时,埋入性和平坦性都优异的保护膜形成用材料,其特征是:含有有机溶剂和至少具有2个以上的脂环结构的化合物。另外,作为上述化合物,可以是从螺环烃化合物、二环单萜烯化合物、金刚烷化合物和甾类化合物中选出的至少一种。
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公开(公告)号：CN100440431C
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200480005910.3
申请日：2004-03-04
Applicant: 东京応化工业株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F7/038 , G03F7/20
Abstract: 一种浸渍液，是通过液体将抗蚀剂膜曝光的液浸曝光工艺用浸渍液，由对曝光工艺中使用的曝光光透明、其沸点为70-270℃的含氟类液体构成；以及一种抗蚀剂图案形成方法，包括将上述浸渍液直接配置在抗蚀剂膜或保护膜上的工序。可同时防止液浸曝光中的抗蚀剂膜等膜的变质及使用液体的变质，形成采用液浸曝光的高分辨力抗蚀剂图案。
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公开(公告)号：CN100346230C
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN02141011.9
申请日：2002-05-17
Applicant: 东京応化工业株式会社
CPC classification number: H01L21/76808 , Y10T428/1419 , Y10T428/15 , Y10T428/31725
Abstract: 提供一种将埋入材料向通孔中填充时，埋入性和平坦性都优异的保护膜形成用材料，其特征是：含有有机溶剂和至少具有2个以上的脂环结构的化合物。另外，作为上述化合物，可以是从螺环烃化合物、二环单萜烯化合物、金刚烷化合物和甾类化合物中选出的至少一种。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1245743C
公开(公告)日：2006-03-15
申请号：CN02121528.6
申请日：2002-04-30
Applicant: 东京応化工业株式会社
IPC: H01L21/316
CPC classification number: H01L21/31116 , H01L21/316 , H01L21/76802
Abstract: 提供一种在湿剥离光刻胶图案时SiO2涂层(夹层绝缘膜)不易受损伤的涂层处理方法。将在衬底上形成的低介电系数的SiO2类涂层，通过光刻胶图案进行蚀刻处理后，利用由氦气所产生的等离子体来处理上述的经蚀刻处理后的SiO2类涂层。通过这一方法，在后工序进行光刻胶图案的湿剥离处理时，不仅不会损伤到SiO2类涂层，而且可维持较低的介电系数。
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公开(公告)号：CN1849386B
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：CN200480017132.X
申请日：2004-06-18
Applicant: 东京応化工业株式会社 , 英特尔公司
CPC classification number: G03F7/425 , C11D7/06 , C11D7/267 , C11D7/32 , C11D7/34 , C11D7/5004 , C11D11/0047 , H01L21/02063 , H01L21/31133
Abstract: 一种清洁组合物，包含至少氢氧化季铵、水溶性有机溶剂、水、抗蚀剂和占溶液总量的1重量％或更低的氢氧化钾。该清洁组合物可以单独有效地从半导体基底表面去除光刻胶薄膜、隐埋材料和金属残余物。
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公开(公告)号：CN1751272A
公开(公告)日：2006-03-22
申请号：CN200480004780.1
申请日：2004-02-20
Applicant: 东京応化工业株式会社
IPC: G03F7/11 , G03F7/039 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供一种设置在抗蚀膜上的液浸曝光工序用抗蚀保护膜形成用材料、由上述材料形成的保护膜及具有抗蚀膜的复合膜、及使用上述膜的抗蚀图案形成方法，上述材料具有下述特性：对曝光光线透明，实质上不溶于液浸曝光用的液体，且在上述抗蚀膜之间不发生混合，由此能够同时防止液浸曝光中的抗蚀膜的变质及使用液体的变质，使用液浸曝光形成高清晰度的抗蚀图案。
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公开(公告)号：CN1683487A
公开(公告)日：2005-10-19
申请号：CN200510051838.4
申请日：2005-01-21
Applicant: 东京応化工业株式会社
IPC: C11D7/28 , H01L21/302 , G03F7/42
CPC classification number: C11D7/10 , C11D7/264 , C11D7/5004 , C11D11/0047 , C23G1/125 , C23G1/22 , G03F7/423 , G03F7/426
Abstract: 提供一种剥离洗涤液，其不会过度腐蚀金属布线图案的侧壁和形成布线上面的金属层，能够良好地剥离布线上面的难剥离性堆积物。该剥离洗涤液的特征在于，至少含有氟化合物、水溶性有机溶剂、水以及相对于总量0.1～20质量％的二齿配体。或者，其特征在于，至少含有碱性水溶液、选自具有羧基的有机化合物及其酸酐中的至少一种、水以及相对于总量0.5～10质量％的二齿配体。
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公开(公告)号：CN1389907A
公开(公告)日：2003-01-08
申请号：CN02121528.6
申请日：2002-04-30
Applicant: 东京応化工业株式会社
IPC: H01L21/316
CPC classification number: H01L21/31116 , H01L21/316 , H01L21/76802
Abstract: 提供一种在湿剥离光刻胶图案时SiO2涂层(夹层绝缘膜)不易受损伤的涂层处理方法。将在衬底上形成的低介电系数的SiO2类涂层,通过光刻胶图案进行蚀刻处理后,利用由氦气所产生的等离子体来处理上述的经蚀刻处理后的SiO2类涂层。通过这一方法,在后工序进行光刻胶图案的湿剥离处理时,不仅不会损伤到SiO2类涂层,而且可维持较低的介电系数。
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