公开(公告)号：CN1245743C

公开(公告)日：2006-03-15

申请号：CN02121528.6

申请日：2002-04-30

Applicant: 东京応化工业株式会社

Inventor： 藤井恭 ,  饭田启之 ,  佐藤功 ,  胁屋和正 ,  横井滋

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01L21/316 ,  H01L21/76802

Abstract: 提供一种在湿剥离光刻胶图案时SiO2涂层(夹层绝缘膜)不易受损伤的涂层处理方法。将在衬底上形成的低介电系数的SiO2类涂层，通过光刻胶图案进行蚀刻处理后，利用由氦气所产生的等离子体来处理上述的经蚀刻处理后的SiO2类涂层。通过这一方法，在后工序进行光刻胶图案的湿剥离处理时，不仅不会损伤到SiO2类涂层，而且可维持较低的介电系数。

公开(公告)号：CN1389907A

公开(公告)日：2003-01-08

申请号：CN02121528.6

申请日：2002-04-30

Applicant: 东京応化工业株式会社

Inventor： 藤井恭 ,  饭田启之 ,  佐藤功 ,  胁屋和正 ,  横井滋

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01L21/316 ,  H01L21/76802

Abstract: 提供一种在湿剥离光刻胶图案时SiO2涂层(夹层绝缘膜)不易受损伤的涂层处理方法。将在衬底上形成的低介电系数的SiO2类涂层,通过光刻胶图案进行蚀刻处理后,利用由氦气所产生的等离子体来处理上述的经蚀刻处理后的SiO2类涂层。通过这一方法,在后工序进行光刻胶图案的湿剥离处理时,不仅不会损伤到SiO2类涂层,而且可维持较低的介电系数。