公开(公告)号：CN1054483A

公开(公告)日：1991-09-11

申请号：CN90101025.1

申请日：1990-02-27

申请人： 森德斯特兰德数据控制公司

发明人： 杰姆斯·R·伍德罗夫

IPC分类号： G01D5/00 ,  G01P15/02 ,  C30B33/08

CPC分类号： G01P15/0802 ,  F16C11/12 ,  Y10T428/24298 ,  Y10T428/24322 ,  Y10T428/24479

摘要： 用于加速计之类微力学量传感器中的挠性构件及其制造方法，在传感器中第一部件(124)枢轴式地连接到第二部件(126)上。一方面，本发明提供连接第一和第二部件的第一和第二挠性构件(108，118)，使得能够围绕共同枢轴(128)转动。挠性构件具有一个增大稳定性的交叉式构造。每个挠性构件是通过在晶片的相对表面中蚀刻沟槽(100，102，110，112)来制成的，选择沟槽的位置和深度，使得在沟槽之间形成挠性构件。

公开(公告)号：CN109994572B

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN201910335894.2

申请日：2019-04-24

申请人： 晶澳(扬州)太阳能科技有限公司

发明人： 张俊兵 ,  蒋秀林 ,  吴兰峰

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0236 ,  C30B33/08 ,  C30B29/06

摘要： 本发明提供一种制绒辅助装置及晶体硅片处理方法，制绒辅助装置包括：承载结构，用于承载晶体硅片；激光装置，用于向所述承载结构投射激光；板体，所述板体位于所述承载结构与所述激光装置之间，所述板体上形成有多个镂空，所述激光装置投射的激光能够穿过所述镂空投射在所述承载结构上的晶体硅片上。根据本发明的制绒辅助装置，通过在板体上形成有多个镂空，激光装置投射的激光穿过镂空投射在承载结构上的晶体硅片上，对晶体硅片的表面进行损伤，降低了对激光的精度要求，能够快速高效地在晶体硅片表面形成多个损伤点，易于制绒时实现较好的绒面效果。

公开(公告)号：CN115261994B

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202210870022.8

申请日：2022-07-22

申请人： 珠海东锦石英科技有限公司

发明人： 谢尚平 ,  孙黎明 ,  莫宗均

IPC分类号： C30B33/08 ,  B08B3/10 ,  B08B3/14

摘要： 本发明提供一种能够对石英晶片腐蚀液温度恒温效果好，腐蚀动作均匀、稳定，清洗洁净度高从而达到提高腐蚀生产效率和合格率，减少晶片频率散差的一种晶片腐蚀清洗设备及其工艺。包括箱体、设置在箱体上的控制装置，在箱体上设置有均与控制装置电性连接的配液模块、腐蚀池和清洗池，配液模块包括低浓度槽体、高浓度槽体和循环过滤结构，循环过滤结构设置于箱体外壁上且通过管道与低浓度槽体和高浓度槽体相连通，利用配液模块精准地计量腐蚀液的比例，利用一次频率分选加二次腐蚀的全新工艺流程进行腐蚀清洗处理。本发明用于晶片加工生产技术领域。

公开(公告)号：CN112074928B

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN201980030451.0

申请日：2019-03-15

申请人： 住友电气工业株式会社

发明人： 宫濑贵也 ,  堀勉

IPC分类号： H01L21/20 ,  C30B29/36 ,  C30B33/02 ,  C30B33/08 ,  H01L21/205 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

摘要： 一种碳化硅外延衬底包括碳化硅衬底、碳化硅外延膜和复合缺陷。复合缺陷包括扩展缺陷和基面位错。扩展缺陷包括从位于碳化硅衬底与碳化硅外延膜之间的边界处的起点起在 方向上延伸的第一区域和沿着 方向延伸的第二区域。第一区域在 方向上具有从起点起朝向第二区域增加的宽度。基面位错包括连续到起点并沿着 方向延伸的第三区域和沿着与 方向相交的方向延伸的第四区域。当主表面的面积是第一面积并且外接于复合缺陷的四边形的面积是第二面积时，通过将第二面积除以第一面积而获得的值不大于0.001。

公开(公告)号：CN116604195B

公开(公告)日：2023-09-26

申请号：CN202310891981.2

申请日：2023-07-20

申请人： 天津视骏科技有限公司

发明人： 高杨 ,  李向前 ,  刘金波 ,  付廷喜 ,  付玉磊

IPC分类号： B23K26/362 ,  H03H3/04 ,  C30B33/08 ,  B23K101/40

摘要： 本发明涉及压电晶体领域，尤其涉及一种用于晶体刻蚀的激光调频定位处理方法，包括：S1、利用待刻蚀晶体的实时频率数据得到初始晶体刻蚀面积；S2、利用所述初始晶体刻蚀面积进行调段处理得到实时刻蚀面积；S3、根据所述实时刻蚀面积完成激光调频定位处理，分析得到当前频率调整激光需要刻蚀的面积，控制激光去刻蚀产品的振动表面以此来调整晶体的振动频率。通过这种方式可以准确的调整产品的振动频率。在做运动控制时若其空间内的X轴和Y轴安装不垂直就会出现定位偏差，根据坐标内X轴和Y轴的垂直角度偏差，在定位时利用算法进行补偿，修正定位偏差提升定位精度。

公开(公告)号：CN115621337A

公开(公告)日：2023-01-17

申请号：CN202110805651.8

申请日：2021-07-16

申请人： 福建钜能电力有限公司

发明人： 许海堂 ,  林烟烟 ,  庄辉虎 ,  张晓森

IPC分类号： H01L31/0236 ,  H01L31/18 ,  C30B33/08 ,  C30B33/00 ,  C30B29/06 ,  C11D3/39 ,  C11D7/06 ,  C11D7/08 ,  C11D7/60

摘要： 本发明公开了一种HJT电池生产中的单晶制绒工艺，所述方法包括如下步骤：硅片用纯水进行水洗，洗去表面脏污；对硅片进行预清洗；纯水水洗后对已经预处理后的硅片进行制绒，形成均匀的绒面；纯水水洗后用氢氧化钾与双氧水的混合溶液对制绒后的硅片进行一次清洗；纯水水洗后用盐酸与双氧水混合液对制绒后的硅片进行二次清洗；纯水水洗后使用氢氟酸溶液清洗硅片，达到脱水目的后再纯水水洗；硅片用纯水进行慢提拉，进行预烘干；将所得硅片进行烘干。本发明使用的制绒清洗工艺较传统单晶制绒工艺相比，工艺流程减少，清洗液不存在含氮物质，无需臭氧发生器进而杜绝改种物质对环境的污染影响，使用的的化学品种类较少，减少了使用的原材料成本。

公开(公告)号：CN110140195B

公开(公告)日：2022-11-08

申请号：CN201780062687.3

申请日：2017-08-23

申请人： 胜高股份有限公司

发明人： 西村雅史 ,  田中宏知

IPC分类号： H01L21/304 ,  B24B9/00 ,  C30B29/06 ,  C30B33/02 ,  C30B33/08 ,  H01L21/324

摘要： 提供在器件形成步骤的热处理中能够抑制从凹槽部起发生滑移的硅晶圆的倒角研磨方法、硅晶圆的制造方法和硅晶圆。其特征在于，在硅晶圆的至少一个主面侧，通过镜面倒角研磨处理，对凹槽进行过研磨。

公开(公告)号：CN115083886A

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN202210739822.6

申请日：2022-06-28

申请人： 福建晶安光电有限公司

发明人： 张佳浩 ,  郑贤良 ,  曾柏翔 ,  李瑞评 ,  陈铭欣

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L33/00 ,  H01L33/12 ,  B23K26/53 ,  C30B33/00 ,  C30B33/08 ,  B28D5/04

摘要： 本发明公开了一种衬底加工方法、发光二极管制造方法及衬底、发光二极管，所述衬底加工方法包括将晶棒进行切割处理，获得衬底，对衬底的切割表面进行刻蚀处理，以对衬底的翘曲度进行初步修复，对衬底的翘曲部分进行隐切处理，以对衬底的翘曲度进行进一步补偿修复。本发明所述的衬底加工方法不包括研磨、铜抛等制程，采用刻蚀和隐切步骤降低线切后衬底产生的内应力及翘曲度，消除了研磨制程对于衬底造成再次损伤，简化了衬底加工步骤，节省了衬底材料，进而降低了衬底的生产成本。

公开(公告)号：CN114514597A

公开(公告)日：2022-05-17

申请号：CN202080068741.7

申请日：2020-10-01

申请人： 应用材料公司

发明人： 史蒂文·C·H·洪 ,  本杰明·科伦坡 ,  罗源辉 ,  李炳灿 ,  约翰内斯·F·斯温伯格 ,  特里萨·克莱默·瓜里尼 ,  马尔科姆·J·贝文

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/28 ,  H01L21/335 ,  H01L21/336 ,  H01L21/67 ,  H01L29/423 ,  H01L29/51 ,  H01L29/775 ,  C23C8/02 ,  C23C8/16 ,  C23C8/80 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  C23C16/56 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  C30B29/52 ,  C30B33/00 ,  C30B33/08 ,  B82Y10/00

摘要： 本案说明一种制造环绕式栅极电子装置的方法。此方法包括以下步骤：通过增强原位蒸汽产生处理并结合低K层的原子层沉积来形成热氧化物层。薄热氧化物层钝化环绕式栅极(GAA)的硅层与介电层之间的界面。在低K层的沉积之后的钝化处理降低本体缺陷(bulk trap)及增强GAA晶体管的击穿性能。

公开(公告)号：CN114369876A

公开(公告)日：2022-04-19

申请号：CN202111677848.4

申请日：2021-12-31

申请人： 至微半导体(上海)有限公司

发明人： 邓信甫 ,  唐宝国 ,  张九勤

IPC分类号： C30B33/08 ,  C30B29/06

摘要： 本发明公开了一种实现梯度结构的蚀刻反应的喷淋方法，涉及到喷淋方法的技术领域，包括：步骤1：将晶体放置于腔体内，将所述晶体夹持；步骤2：控制喷淋装置升降至起始位置；步骤3：通过主旋转电机驱动所述喷淋装置由所述起始位置移动至腔体位置；步骤4：所述主旋转电机释放信息给次旋转电机；步骤5：所述次旋转电机从所述腔体内侧位置至晶体外缘做往复运动，用于驱动所述喷淋装置。短行程摆幅的设计确保有效地喷淋位置对应于晶圆外缘；调整喷淋的角度调整，专门对应于晶圆的扫描喷淋在晶圆外缘相对位置与高度；可以自旋转的喷淋角度移动，微量超短行程的交错喷淋装置。