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公开(公告)号：CN117885034A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202311839442.0
申请日：2023-12-28
Applicant: 福建晶安光电有限公司
Abstract: 本发明涉及衬底加工制造技术领域，特别涉及一种陶瓷研磨盘及其制备方法和应用。其中，一种陶瓷研磨盘，以质量百分比计，原料包括85％～95％的α‑氧化铝、2％～6％的晶界粘结剂、2.5％～8％的晶界强化剂及0.5％～1.5％的纳米陶瓷粉体。通过采用特定比例的α‑氧化铝及与晶界粘结剂、晶界强化剂及纳米陶瓷粉体，获得了高硬度、耐磨，同时不会产生金属污染的陶瓷研磨盘，其加工出的衬底表面均匀无划伤无锈斑，有效提高了加工良率及加工效率，在半导体衬底加工领域具有重要的实际应用价值。
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公开(公告)号：CN117866595A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202311811581.2
申请日：2023-12-26
Applicant: 福建晶安光电有限公司
Abstract: 本申请提供了一种晶片磨料、抛光液及其制备方法和应用，该晶片磨料具有壳核结构，所述壳核结构至少包括内核层和包覆于内核层表面的外壳层，其中，内核层的材料为碳化硅微粉；外壳层的材料为具有亲水性基团的超支化聚碳硅烷。通过对磨料进行有机改性处理将磨料设计为核壳结构，带有亲水性基团的聚碳硅烷外壳层有效提升了磨料附着效果和磨料附着移除能力，具有高强度的碳化硅微粉内核层用以维持抛光移除量，抛光液在使用过程中搭配碱性环境可产生强烈化学反应，实现磨料的自我复活并带来循环的化学移除能力，本申请提供的晶片磨料和抛光液在较大程度上节省了磨料用量和制造成本。
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公开(公告)号：CN111598934B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202010325306.X
申请日：2020-04-23
Applicant: 福建晶安光电有限公司
Abstract: 本发明提供一种衬底弯曲形状的测量方法、装置、存储介质及终端。该方法沿不同的圆周对衬底的表面进行圆周线扫描，获得不同圆周上的多条扫描曲线；获得衬底的圆心高度h0以及每个圆周上的多条扫描曲线的高度统计值中的最大值himax和最小值himin；根据最大值、最小值与圆心高度的关系判断衬底的弯曲类型。对于具有复杂的弯曲曲线的衬底，该方法能够保证判断结果的准确性。另外，该方法采用线扫描方法，整个过程无需人工判断，更加节约时间节约人力成本，利于衬底弯曲形状测量的量产，同时能够保证测量结果的准确性。本发明的测量装置、存储介质及终端能够执行本发明的上述方法，因此同样具有上述技术效果。
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公开(公告)号：CN113013050B
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202110225519.X
申请日：2021-03-01
Applicant: 福建晶安光电有限公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明提供一种晶片翘曲测量装置和方法，所述装置包括：加热部件，其用于加热晶片；加热控制器，用于控制加热部件的加热参数和/或状态；温度探测器，用于探测晶片、加热部件或晶片周围环境的温度；光源，用于产生探测光束；第一光学组件，用于基于探测光束获得平行入射光束；反射镜组，用于将平行入射光束进行反射形成第一入射光路和第二入射光路，以使平行入射光束分别沿两入射光路垂直于水平面到达晶片正面中央位置和晶片正面边缘位置；光电探测器，用于探测从晶片正面中央位置和晶片正面边缘位置反射的、沿第一入射光路和第二入射光路返回的光束，基于两路光返回时间差确定晶片中央位置和晶片边缘位置的高度差，从而确定受热晶片的翘曲度。
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公开(公告)号：CN111755578B
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202010670882.8
申请日：2020-07-13
Applicant: 福建晶安光电有限公司
Abstract: 本发明提供一种衬底及其加工方法以及发光二极管及其制造方法。本发明的方法中，沿多条扫描线对衬底进行激光扫描，在衬底内部形成多个改性点，该改性点可以是气泡或空洞；然后对衬底进行退火处理。激光辐照产生的气泡或空洞能够增加对光的反射，由此提高衬底的反射率；退火工艺消除或者降低了空洞或气泡周围由于激光辐照产生的热损伤层和微裂纹等缺陷，由此消除或者降低了这些缺陷对光的吸收，降低了衬底对光的吸收。在上述提高衬底的反射率降低衬底对光的吸收两方面的综合作用下，显著提高LED芯片的出光率，提高LED芯片的亮度。本发明的用于半导体器件的衬底以及发光二极管均可采用上述方法对衬底进行处理，因此同样具有上述有益效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113013050A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202110225519.X
申请日：2021-03-01
Applicant: 福建晶安光电有限公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明提供一种晶片翘曲测量装置和方法，所述装置包括：加热部件，其用于加热晶片；加热控制器，用于控制加热部件的加热参数和/或状态；温度探测器，用于探测晶片、加热部件或晶片周围环境的温度；光源，用于产生探测光束；第一光学组件，用于基于探测光束获得平行入射光束；反射镜组，用于将平行入射光束进行反射形成第一入射光路和第二入射光路，以使平行入射光束分别沿两入射光路垂直于水平面到达晶片正面中央位置和晶片正面边缘位置；光电探测器，用于探测从晶片正面中央位置和晶片正面边缘位置反射的、沿第一入射光路和第二入射光路返回的光束，基于两路光返回时间差确定晶片中央位置和晶片边缘位置的高度差，从而确定受热晶片的翘曲度。
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公开(公告)号：CN111598935A
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN202010325378.4
申请日：2020-04-23
Applicant: 福建晶安光电有限公司
Abstract: 本发明提供一种衬底弯曲形状的测量方法、装置、存储介质及终端。该方法在不同方向上对衬底表面进行线扫描获得扫描曲线，获得所述扫描曲线的两个端点及中点的测量高度l1、l3及l2；获得所述扫描曲线的中点与两个端点连线的高度差hi；根据所述高度差hi判断所述衬底的弯曲类型。对于具有复杂的弯曲曲线的衬底，通过能够保证测量结果的准确性。另外，本发明的方法采用线扫描方式，整个过程无需人工判断，更加节约时间、节约人力成本，利于衬底弯曲形状测量的量产，同时能够保证测量结果的准确性。本发明的测量装置、存储介质及终端能够执行本发明的上述方法，因此同样具有上述技术效果。
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公开(公告)号：CN111933758B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202010668211.8
申请日：2020-07-13
Applicant: 福建晶安光电有限公司
Abstract: 本发明提供一种衬底加工方法、外延用衬底及半导体发光元件及其制造方法，本发明的方法中，自晶棒切割得到衬底之后，在衬底背面镀膜，形成衬底增强膜，例如在蓝宝石衬底的衬底背面沉积金刚石薄膜，该金刚石薄膜形成蓝宝石衬底的衬底增强膜。由于金刚石的硬度大于蓝宝石衬底的硬度，因此能够通过该金刚石薄膜增强蓝宝石衬底的强度，在满足强度需求的前提下，就可以适当减小衬底的厚度，同时降低衬底加工的成本。另外，金刚石薄膜的导热性优于衬底的导热性，因此在衬底背面沉积金刚石薄膜增加了衬底的导热性，使得衬底在用于外延层生长的过程中，提供温度的均匀性，减少热应力的产生，大幅度提高外延层的质量。由此能够提高后期器件的良率。
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公开(公告)号：CN116169220A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202310010419.4
申请日：2023-01-04
Applicant: 福建晶安光电有限公司
IPC: H01L33/20 , H01L21/304 , H01L21/66
Abstract: 本发明的目的在于提供一种不对称面型衬底的加工方法、发光二极管及其制造方法。首先确定衬底所呈现的不对称面型，并确定所述不对称面型的不对称取向，在不对称取向上对衬底进行局部的喷砂处理，将该局部区域调凹，补偿衬底的应力分布，使所述衬底由不对称面型收敛为对称面型。呈现对称面型，例如碗型的衬底，对称面型的衬底有利于优化后续形成的外延层的波长均匀性。
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公开(公告)号：CN116130426A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202211723194.9
申请日：2022-12-30
Applicant: 福建晶安光电有限公司
Abstract: 本发明提供一种外延用衬底及其制造方法以及半导体器件及其制造方法。通过对衬底，尤其是衬底的部分区域进行激光扫描，在衬底内部形成多个改质点，以此改善衬底内部的应力，使衬底形成特定的形状，以与外延过程中的温场和热场适应，进而降低单个衬底内的不同区域以及多个衬底之间的外延波长均匀性。
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