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公开(公告)号：CN114808141B
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210714093.9
申请日：2022-06-23
申请人： 福建晶安光电有限公司
摘要： 本发明涉及晶圆制造领域，特别是涉及一种衬底改性处理方法。本发明提供一种衬底改性处理方法及半导体发光器件的制造方法，通过在衬底表面涂覆反应溶液，生成多晶层铝酸钙的同时又利于相邻衬底间的分离。含有钠离子的第二反应物经过化学反应后生成氧化钠，具有较多优点：氧化钠能够与衬底中的氧化铝反应生成偏铝酸钠，偏铝酸钠溶于水后实现相邻衬底间的分离；偏铝酸钠进一步分解为氧化钠及氧化铝中间产物，该产物能够与氧化钙以较高的反应速率生成铝酸钙，加速多晶层的生成；氧化钠在与衬底中的氧化铝发生反应时，会在衬底表面形成微凹坑，加速反应并释放应力；此外，衬底表面残余的氧化钠还能进一步溶于水，从而促进相邻衬底之间的分离。
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公开(公告)号：CN111546214B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202010325280.9
申请日：2020-04-23
申请人： 福建晶安光电有限公司
摘要： 本发明公开了一种半导体晶圆加工中浆料的动态替换控制方法及系统，该控制方法主要包括以下几个模式：配制浆料、对浆料进行动态替换及对浆料中旧液进行定量抽取排放；该控制方法可以实时监测浆料中的酸碱浓度、比重及液位，并根据监测的酸碱浓度、比重及液位计算出所需要补充的酸液、碱液、磨液/磨料及水的量，定量地向浆料中补充有效成分；同时，该控制方法也可以对浆料中的旧液定量进行抽取排放和动态替换，使抛光制程中浆料的有效成分一直处于平衡状态，减少人员操作的误差，提高了抛光制程中加工能力的稳定性。
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公开(公告)号：CN117866595A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202311811581.2
申请日：2023-12-26
申请人： 福建晶安光电有限公司
摘要： 本申请提供了一种晶片磨料、抛光液及其制备方法和应用，该晶片磨料具有壳核结构，所述壳核结构至少包括内核层和包覆于内核层表面的外壳层，其中，内核层的材料为碳化硅微粉；外壳层的材料为具有亲水性基团的超支化聚碳硅烷。通过对磨料进行有机改性处理将磨料设计为核壳结构，带有亲水性基团的聚碳硅烷外壳层有效提升了磨料附着效果和磨料附着移除能力，具有高强度的碳化硅微粉内核层用以维持抛光移除量，抛光液在使用过程中搭配碱性环境可产生强烈化学反应，实现磨料的自我复活并带来循环的化学移除能力，本申请提供的晶片磨料和抛光液在较大程度上节省了磨料用量和制造成本。
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公开(公告)号：CN111390747B
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202010325360.4
申请日：2020-04-23
申请人： 福建晶安光电有限公司
IPC分类号： B24B37/005 , B24B37/34 , B24B29/02 , B24B51/00 , H01L21/67
摘要： 本发明公开了一种半导体晶圆加工中浆料的定量抽换装置，包括碱液罐、酸液罐、浆料罐、水罐、定量称重装置和PLC控制系统，PLC控制系统包括酸碱比重监控中心，浆料罐还设有电极探测装置和监测棒，电极探测装置和监测棒分别与酸碱比重监控中心电连接，该装置引入了酸碱比重监控中心，酸碱比重监控中心可以根据反馈得到的酸碱浓度、液位和比重等信号对浆料进行调控，使浆料的有效成分处于动态平衡状态，维持了抛光制程加工的稳定性；另外，浆料罐包括振动装置和清洁装置，振动装置使浆料均匀分散，浆料不易包覆在监测棒末端和电极探测装置末端上，增加了对监测棒末端和电极探测装置末端的及时清洁功能，提高了监测棒末端和电极探测装置末端的准确性。
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公开(公告)号：CN117103106A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202311079023.1
申请日：2023-08-25
申请人： 福建晶安光电有限公司
摘要： 本发明公开了一种衬底加工方法、发光二极管制造方法及衬底、发光二极管，所述衬底加工方法包括提供一待切割的晶棒，对晶棒进行切割以获得衬底，衬底的衬底面型中包括容易修复位置，且衬底的翘曲位置与衬底的容易修复位置相对应；将衬底固定至抛光头上，并对衬底进行抛光。本发明根据晶体的各项异性获得容易修复的面型，并在切割过程中控制衬底的翘曲位置与衬底面型中容易修复位置相对应，在后续抛光过程中可以针对翘曲位置进行修复，由于该翘曲位置处于衬底面型容易修复的位置，进而能够减少衬底面型的修复磨削量，提高面型修复能力。
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公开(公告)号：CN116276643A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310314570.7
申请日：2023-03-28
申请人： 福建晶安光电有限公司
IPC分类号： B24B41/06 , B24B29/02 , H01L21/304
摘要： 本发明提供一种衬底的加工工艺，通过两次上蜡确保衬底与载盘贴合的第一表面整面涂覆有蜡，衬底的侧边缘处具有一由蜡形成的斜坡，在后续的抛光工艺中，衬底侧边缘处的蜡对衬底第一表面的蜡形成保护作用，使衬底第一表面上的蜡在抛光过程中不会因表面摩擦产生的热而融化，确保衬底在抛光过程中第一表面上始终附着有蜡以使衬底抛光后的平坦度较佳，从而提高衬底的使用率和良率。
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公开(公告)号：CN112689886B
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202080004967.0
申请日：2020-07-10
申请人： 福建晶安光电有限公司
摘要： 本发明提供一种衬底加工方法以及半导体器件制造方法，衬底加工过程中，自晶棒切割得到多个衬底之后，对衬底的表面进行处理，可以是衬底的单面或者双面，然后对衬底进行退火。在退火过程中，在催化剂的作用下，表面处理剂中的软化剂与衬底发生反应，形成一层较软材料的改性层，该改性层为疏松结构，起到软化衬底的作用，降低了衬底表面的硬度。在后续的研磨及抛光过程中，能够显著提高研磨和抛光效率，降低衬底的加工难度。通过调整退火工序的温度及时间，控制表面处理剂与衬底的反应程度，控制被软化的衬底的厚度，进而降低后续机械加工的难度，提高衬底的加工质量。
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公开(公告)号：CN114808141A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210714093.9
申请日：2022-06-23
申请人： 福建晶安光电有限公司
摘要： 本发明涉及晶圆制造领域，特别是涉及一种衬底改性处理方法。本发明提供一种衬底改性处理方法及半导体发光器件的制造方法，通过在衬底表面涂覆反应溶液，生成多晶层铝酸钙的同时又利于相邻衬底间的分离。含有钠离子的第二反应物经过化学反应后生成氧化钠，具有较多优点：氧化钠能够与衬底中的氧化铝反应生成偏铝酸钠，偏铝酸钠溶于水后实现相邻衬底间的分离；偏铝酸钠进一步分解为氧化钠及氧化铝中间产物，该产物能够与氧化钙以较高的反应速率生成铝酸钙，加速多晶层的生成；氧化钠在与衬底中的氧化铝发生反应时，会在衬底表面形成微凹坑，加速反应并释放应力；此外，衬底表面残余的氧化钠还能进一步溶于水，从而促进相邻衬底之间的分离。
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公开(公告)号：CN115946026A
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202211728960.0
申请日：2022-12-30
申请人： 福建晶安光电有限公司
摘要： 本申请提供一种抛光头、抛光装置和抛光方法，用于安装被抛光工件，抛光头用于安装被抛光工件，包括：抛光头本体和压电陶瓷，压电陶瓷安装于所述抛光头本体之内，压电陶瓷用于与超声发生器连接以使抛光头振动。有效减小了压电陶瓷与安装在抛光头上的被抛光工件之间的距离，进而减小压电陶瓷产生的振动在传递至被抛光工件的过程中的功率损耗，在抛光被抛光工件时使被抛光工件的振幅相对较大，最终达到获得更好的抛光效果的目的；而且，减小压电陶瓷产生的振动在传递至被抛光工件的过程中的功率损耗，还可以使被抛光工件在抛光时获得较高的振动频率，进而获得更好的抛光效果。
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公开(公告)号：CN115341282A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202211123931.1
申请日：2022-09-15
申请人： 福建晶安光电有限公司
摘要： 本发明提供一种衬底改性处理方法及半导体发光器件的制造方法，该衬底改性处理方法通过在衬底表面涂覆反应溶液，生成多晶层铝酸钙的同时又利于相邻衬底之间的分离。其中，碱金属盐经过化学反应后生成氧化物，具有较多优点：首先，生成的氧化物能够与衬底中的氧化铝发生反应生成偏铝酸盐，偏铝酸盐溶于水后实现相邻衬底之间的分离；偏铝酸盐又能进一步分解为氧化物及氧化铝中间产物，该氧化铝中间产物能够与氧化钙以较高的反应速率生成铝酸钙，加速多晶层的生成；氧化物在与衬底中的氧化铝发生反应时，会在衬底表面形成微凹坑，从而加速反应并释放应力；此外，衬底表面残余的氧化物还能进一步溶于水，从而也能促进相邻衬底之间的分离。
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