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公开(公告)号：CN113316853B
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202080007491.6
申请日：2020-12-25
申请人： 福建晶安光电有限公司
摘要： 本发明公开了一种图形化衬底、发光二极管及制备方法，在一实施例中，图形化衬底包括衬底以及形成在衬底表面上的若干个周期性紧密排布的图形结构，图形结构包括形成于衬底的表面的第一部分以及形成在第一部分上方的第二部分，相邻的图形结构之间的最小距离小于或等于0.1μm。由此，本发明所述的图形化衬底及发光二级管能够有效降低磊晶面的面积和位错密度，提高发光效率；并能够进一步增加光的散射效率，增加LED的亮度。
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公开(公告)号：CN118117013A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202311864273.6
申请日：2023-12-29
申请人： 福建晶安光电有限公司
摘要： 本发明公开了一种衬底、衬底的形成方法及发光二极管，衬底包括改性层及本体层，改性层自衬底的第一表面沿垂直于衬底的方向向第二表面延伸。本体层自改性层远离第一表面的一侧向第二表面的方向延伸，本体层远离改性层的一侧形成为衬底的第二表面。改性层包括除本体层外的扩散元素，该扩散元素能够改变衬底表面的晶格参数，保证衬底的晶型不变，降低衬底与外延层的晶格失配及外延层的位错密度。本发明在形成改性层时，对衬底做了退火处理，进而改性层的掺杂原子含量和晶格参数沿衬底的第一表面至第二表面逐渐产生变化，大幅度提高了与外延层的晶格匹配度，并改善了衬底残留应力过大导致高温翘曲发散的问题，优化了外延层的内量子效率和波长均匀性。
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公开(公告)号：CN117878215A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202311813500.2
申请日：2023-12-26
申请人： 福建晶安光电有限公司
摘要： 本发明涉及半导体制程技术领域，提供一种图形化衬底结构，包括衬底层和若干个均匀分布于衬底层上表面的凸起结构；衬底层包括由下至上依次层叠的第一衬底层、反射层和第二衬底层，反射层均匀沉积于第一衬底层上表面，第二衬底层的厚度小于第一衬底层的厚度。本发明提供的一种图形化衬底结构，其在衬底层内嵌有完整的反射层，反射层将透射进衬底层内部的光线反射回图形顶部，减少光线在图形内部的损耗，有效地提高了光提取效率。
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公开(公告)号：CN117832351A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202311862914.4
申请日：2023-12-29
申请人： 福建晶安光电有限公司
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，涉及一种复合图形化衬底结构及制备方法，其包括衬底和外延层，外延层设置在衬底上表面，外延层内设有N层图形结构(N≥2且为整数)，N层图形结构自下往上间隔设置，N层图形结构的俯视并集正投影完全覆盖衬底上表面，第N层图形结构的图形周期小于第N‑1层图形结构的图形周期，借此，通过对不同层级的图形结构设定了不同的图形直径和图形周期，越上层图形直径越小，周期越小，这样的设计显著减小之后外延层的生长缺陷，提高外延生长的质量。
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公开(公告)号：CN117444838A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311482894.8
申请日：2023-11-09
申请人： 福建晶安光电有限公司
摘要： 本申请提供了一种晶圆研磨的行星轮、以及包括该星轮的晶圆研磨装置，该行星轮上设置有限位孔，限位孔上设置有导流沟，用于导入或导出研磨液；导流沟在限位孔的外周上设有开口，开口所在直线与导流沟的侧壁在限位孔所在平面的投影之间的夹角小于90°。基于研磨液的流动性，当晶圆在进行研磨作业时，一边会随着行星轮发生公转，公转过程中研磨液受力甩出，由于甩出路径是沿着导流沟方向，研磨液顺着晶圆的切向甩出，进而会对晶圆产生反作用力，使晶圆受力发生自转，可进一步修复晶圆的边缘翘曲，进而改善晶圆的面型。
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公开(公告)号：CN117103106A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202311079023.1
申请日：2023-08-25
申请人： 福建晶安光电有限公司
摘要： 本发明公开了一种衬底加工方法、发光二极管制造方法及衬底、发光二极管，所述衬底加工方法包括提供一待切割的晶棒，对晶棒进行切割以获得衬底，衬底的衬底面型中包括容易修复位置，且衬底的翘曲位置与衬底的容易修复位置相对应；将衬底固定至抛光头上，并对衬底进行抛光。本发明根据晶体的各项异性获得容易修复的面型，并在切割过程中控制衬底的翘曲位置与衬底面型中容易修复位置相对应，在后续抛光过程中可以针对翘曲位置进行修复，由于该翘曲位置处于衬底面型容易修复的位置，进而能够减少衬底面型的修复磨削量，提高面型修复能力。
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公开(公告)号：CN111785666B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202010742195.2
申请日：2020-07-29
申请人： 福建晶安光电有限公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本申请提供一种使晶片蚀刻均匀的方法及刻蚀炉机台，涉及半导体衬底技术领域。所述使晶片蚀刻均匀的方法包括：使晶片与用于承载晶片的第一载具的接触为线接触或类线接触；且第一载具与晶片的接触位置至少为三个；将第一载具由第二载具支撑，第二载具对晶片的蚀刻区域进行避让；使反应气体以与晶片蚀刻表面平行的方向向晶片移动并扩散至晶片蚀刻表面。本申请中的使晶片蚀刻均匀的方法通过改变反应气体的流动方向使每个晶片接触到的反应气体的时间和接触面积基本一致，以及通过改变晶片载具的结构，使晶片蚀刻表面接触反应气体的机会均同，从而使蚀刻更加均匀，缩短晶片的蚀刻时间，避免衬底局部过蚀刻的问题，进而提高衬底的品质。
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公开(公告)号：CN111816593B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202010734857.1
申请日：2020-07-28
申请人： 福建晶安光电有限公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本申请公开了一种提高晶片蚀刻均匀性的方法，涉及半导体相关技术领域，该方法包括以下步骤：利用晶片固定装置将晶片固定，并至少暴露出晶片的蚀刻面；使晶片绕预设轴线旋转，以使晶片的蚀刻面中每个区域在预定时间段内接触的蚀刻气体的量相同或基本相同。晶片固定装置能暴露出晶片的蚀刻面，减少晶片蚀刻面的被遮挡面积，蚀刻气体易到达晶片的蚀刻面并对其进行蚀刻；且晶片绕预设轴线旋转，晶片均匀地到达蚀刻速率较快的区域及蚀刻速率较慢的区域，在每个旋转周期内接触的蚀刻气体的量相同或基本相同，晶片的蚀刻面能均匀地接触蚀刻气体以保证蚀刻气体均匀地蚀刻晶片。
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公开(公告)号：CN111598936B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202010325384.X
申请日：2020-04-23
申请人： 福建晶安光电有限公司
摘要： 本发明提供一种衬底弯曲形状的测量方法、装置、存储介质及终端。该方法在不同方向上对衬底表面进行线扫描获得扫描曲线，对不同方向上的扫描曲线分别进行曲线拟合获得拟合曲线，并根据拟合曲线的平均曲率及弧长求得拟合曲线的弯曲角度，根据该弯曲角度测量并判断衬底的弯曲类型。对于具有复杂的弯曲曲线的衬底，该方法能够保证测量结果的准确性。另外，该方法采用线扫描方法，整个过程无需人工判断，更加节约时间节约人力成本，利于衬底弯曲形状测量的量产，同时能够保证测量结果的准确性。本发明的测量装置、存储介质及终端能够执行本发明的上述方法，因此同样具有上述技术效果。
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公开(公告)号：CN112689886B
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202080004967.0
申请日：2020-07-10
申请人： 福建晶安光电有限公司
摘要： 本发明提供一种衬底加工方法以及半导体器件制造方法，衬底加工过程中，自晶棒切割得到多个衬底之后，对衬底的表面进行处理，可以是衬底的单面或者双面，然后对衬底进行退火。在退火过程中，在催化剂的作用下，表面处理剂中的软化剂与衬底发生反应，形成一层较软材料的改性层，该改性层为疏松结构，起到软化衬底的作用，降低了衬底表面的硬度。在后续的研磨及抛光过程中，能够显著提高研磨和抛光效率，降低衬底的加工难度。通过调整退火工序的温度及时间，控制表面处理剂与衬底的反应程度，控制被软化的衬底的厚度，进而降低后续机械加工的难度，提高衬底的加工质量。
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