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公开(公告)号：CN118117013A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202311864273.6
申请日：2023-12-29
申请人： 福建晶安光电有限公司
摘要： 本发明公开了一种衬底、衬底的形成方法及发光二极管，衬底包括改性层及本体层，改性层自衬底的第一表面沿垂直于衬底的方向向第二表面延伸。本体层自改性层远离第一表面的一侧向第二表面的方向延伸，本体层远离改性层的一侧形成为衬底的第二表面。改性层包括除本体层外的扩散元素，该扩散元素能够改变衬底表面的晶格参数，保证衬底的晶型不变，降低衬底与外延层的晶格失配及外延层的位错密度。本发明在形成改性层时，对衬底做了退火处理，进而改性层的掺杂原子含量和晶格参数沿衬底的第一表面至第二表面逐渐产生变化，大幅度提高了与外延层的晶格匹配度，并改善了衬底残留应力过大导致高温翘曲发散的问题，优化了外延层的内量子效率和波长均匀性。
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公开(公告)号：CN112152588A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN202011023248.1
申请日：2020-09-25
申请人： 福建晶安光电有限公司
摘要： 本申请公开了一种声表面波滤波器及声表面波滤波器用晶片的加工方法，涉及半导体相关技术领域，该声表面波滤波器应用于2GHz～3GHz频段，包括晶片和叉指换能器；晶片具有相对设置的第一面和第二面；第一面被配置为：粗糙度(Ra)介于2～10μm，且粗糙度按照Ramax‑Ramin≤0.05分布；第一面的平坦度(TTV)
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公开(公告)号：CN106521633A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201611213934.9
申请日：2016-12-26
申请人： 福建晶安光电有限公司
摘要： 一种钽酸锂晶体基片的黑化处理方法，在化学还原气氛中，将金属片与钽酸锂晶体基片之表面进行粗化后以接触方式交替堆叠，置于低于居里温度的环境中，对钽酸锂晶体基片进行还原处理，使钽酸锂晶体基片由白色或淡黄色转变为有色不透明化，依然保持其原有之压电材料特性。钽酸锂晶体基片经还原处理可降低其体电阻率，可改善声表面波滤波器（SAW filter）制造过程中因温度差异引起热释电效应产生的放电现象，并提高叉指电极线条于光刻工艺的精度，有助于提升SAW器件制作的成品率降低生产成本。
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公开(公告)号：CN113272481B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202080007457.9
申请日：2020-09-28
申请人： 福建晶安光电有限公司
摘要： 本申请公开了一种晶片的黑化方法、黑化后的晶片及声表面波滤波器，涉及半导体相关技术领域。该晶片的黑化方法包括：对晶片进行还原性处理；采用紫外光照射晶片预定时间；晶片的黑化均匀性DE值介于0.3～0.6；色度L值介于48～54。在本申请中，利用紫外光辅助晶片的黑化制程，能够有效改善晶片的黑化均匀性DE值及色度L值，进而改善晶片的透射率，并提高晶片黑化的良率。其中，对晶片进行还原性处理及采用紫外光照射晶片预定时间的先后顺序可以互换，这两种方法均能提高晶片黑化的良率。
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公开(公告)号：CN115256233A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210990159.7
申请日：2022-08-18
申请人： 福建晶安光电有限公司
IPC分类号： B24B53/017
摘要： 本申请提供了一种双面研磨机台的盘面修整工艺，根据游星轮摆放的位置和运动轨迹确定修整的盘面范围，根据游星轮工件槽内的修整砂轮数量调整修整盘面的程度，以使盘型达到预设凹凸程度的目的。本申请不仅可以有效地修整盘面，还可以修整上下盘面的不同凹凸程度，方法灵活，操作简单。
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公开(公告)号：CN114850127A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210598102.2
申请日：2022-05-30
申请人： 福建晶安光电有限公司
摘要： 本发明提供了一种滤波器基片的清洗工艺，采用超声波清洗装置对待清洗基片进行酸洗、水洗、碱洗等，搭配改进的提篮运动方式，改进了传统的滤波器基片清洗工艺，在有效去除表面脏污的前提下，可保障基片的成品率，大幅降低因清洗导致的破片情况，降低生产成本，经过本发明清洗工艺获得的基片，洁净度良好，后续滤波器器件的成品率更高，产品竞争力更强。
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公开(公告)号：CN113272481A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202080007457.9
申请日：2020-09-28
申请人： 福建晶安光电有限公司
摘要： 本申请公开了一种晶片的黑化方法、黑化后的晶片及声表面波滤波器，涉及半导体相关技术领域。该晶片的黑化方法包括：对晶片进行还原性处理；采用紫外光照射晶片预定时间；晶片的黑化均匀性DE值介于0.3～0.6；色度L值介于48～54。在本申请中，利用紫外光辅助晶片的黑化制程，能够有效改善晶片的黑化均匀性DE值及色度L值，进而改善晶片的透射率，并提高晶片黑化的良率。其中，对晶片进行还原性处理及采用紫外光照射晶片预定时间的先后顺序可以互换，这两种方法均能提高晶片黑化的良率。
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公开(公告)号：CN111778561A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN202010574800.X
申请日：2020-06-22
申请人： 福建晶安光电有限公司
摘要： 本发明公开了一种蓝宝石衬底、加工方法及发光二极管的制备方法，根据本发明的一个实施例，该蓝宝石衬底加工方法包括以下步骤，提供一蓝宝石晶体，并对所述蓝宝石晶体进行预处理，加工出所述蓝宝石晶体的A面和C面；根据蓝宝石晶体R面、C面以及A面的角度关系，标记R面，并对所述R面进行切割，获得包括有所述R面的晶块；沿所述R面的垂直面进行掏棒，获得以所述R面为柱面的晶棒。本发明所述蓝宝石衬底加工方法可以有效的改善芯片的透光效果，提高切割的良品率，且因为所得芯粒的斜裂角为90°±1，可以很容易的判断芯片封装的固晶胶量，提高固晶效率。
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公开(公告)号：CN117532493A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311482241.X
申请日：2023-11-09
申请人： 福建晶安光电有限公司
摘要： 本申请提供了一种晶圆研磨装置，其包括第一研磨盘、第二研磨盘、内齿圈、太阳轮和至少一个行星轮；行星轮上设置有至少一个限位孔，用于对晶圆进行限位。本申请限定限位孔露出第一研磨盘的径向距离L大于限位孔半径R，以使晶圆在研磨过程中，一部分处于第一研磨盘与第二研磨盘之间研磨，一部分处于第一研磨盘与第二研磨盘之外不受研磨，由此在晶圆两侧所受力不同，产生可以促使晶圆自转的力矩，增加晶圆在研磨过程中的自转速率，以使晶圆在研磨过程中一边在行星轮的作用下发生公转，一边在单侧力矩的作用下发生自转，可进一步修复晶圆的边缘翘曲，进而改善晶圆的面型，实现晶圆的平坦化加工。
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公开(公告)号：CN116197815A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202211721378.1
申请日：2022-12-30
申请人： 福建晶安光电有限公司
摘要： 本申请提供了一种研磨防锈系统，包括：磁吸模块；砂浆进机管路，其中部分为电磁吸附管路，具体结构包括砂浆进机管路的材质为钢铁，且管路外周设置有电磁铁，用于在砂浆流动过程中将铁屑吸附在管壁；冲洗模块；喷淋模块；计算机模块，用于控制磁吸模块、冲洗模块和喷淋模块。磁吸模块可以最大限度的排出砂浆桶内的铁屑、铁锈等杂质，电磁吸附管路和冲洗模块可以最大限度的排出管路内的铁屑、铁锈等杂质，可以有效的解决晶片刮伤的问题；喷淋模块可以有效防止研磨上下盘面生锈，并且可以降低人力负荷，提高效率；喷淋花洒的间隔喷洒功能，可以最大程度的防止盘面生锈，提高加工良率。
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