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公开(公告)号：CN107331672B
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN201710423435.0
申请日：2017-06-07
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L27/144 , H01L31/0224 , H01L31/0232
Abstract: 本发明公开了一种微透镜阵列的集成非平面紫外光电探测器，包括金属电极、微透镜阵列及半导体材料基底；微透镜阵列设置于半导体材料基底上；金属电极对称地制作在微透镜阵列中每一个微透镜的两边缘上使得微透镜中间球面部分作为光照区域，边缘部分被金属电极覆盖。本发明通过集成微透镜阵列可以提高感光区面积，同时可以在半导体内部将入射光汇聚而提高单位体积内的光强，增加光生载流子密度以及光增益系数。这种非平面紫外光电探测器的电极结构相比于传统平面电极，具有更强的载流子捕获能力。此外，本发明的紫外光电探测器的结构简单，易实现大规模生产。
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公开(公告)号：CN110993466A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911274398.7
申请日：2019-12-12
Abstract: 本发明公开了一种蓝绿光窄带响应的高性能透射式光电阴极及其制备方法。该阴极由一端到另一端依次包括：光学选通膜，光学玻璃，增透膜，GaAlAs或GaAlAsP缓冲层，Ga1-yAlyAs或GaAs或GaAs1-zPz发射层和Cs：O激活层；所述光学选通膜对蓝绿光波段进行选通，y的取值范围为0～0.4，z的取值范围为0～0.4。本发明通过在光学玻璃上形成光学选通膜对蓝绿光波段进行选通，提高了响应的信噪比，使得发射层可以使用直接带隙的低Al组分的GaAlAs或GaAs或GaAsP，显著地提高了阴极对蓝绿光的吸收率、电子迁移率和表面逸出几率，进而大大提高了阴极的量子效率。
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公开(公告)号：CN109285894A
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201811075622.5
申请日：2018-09-14
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L29/812 , H01L21/04
Abstract: 本发明公开了一种金刚石基多通道势垒调控场效应晶体管及其制备方法，包括金刚石衬底；在金刚石衬底上设有一层单晶金刚石外延薄膜；单晶金刚石外延薄膜上设置有台面区域；单晶金刚石外延薄膜上设置有刻蚀区域；台面区域内设置有多通道沟道区域和刻蚀区域；多通道沟道包括二维空穴气导电层；刻蚀区域包含氧、氟或氮终端；源电极和漏电极处于台面区域的两侧；栅电极设置在源电极和漏电极之间的多通道沟道区域和刻蚀区域上，且栅电极同时设置在单晶金刚石外延薄膜上的刻蚀区域上。本发明的晶体管器件能够获得常关型特性，且不会损伤导电沟道的性能，同时多通道结构也能够保证器件源漏之间的电流通过能力。
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公开(公告)号：CN108754600A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810671783.4
申请日：2018-06-26
Applicant: 西安交通大学
CPC classification number: C30B25/20 , C30B25/186 , C30B29/04
Abstract: 本发明公开了一种拼接生长大面积单晶金刚石的方法，将两块单晶金刚石拼接面沿同一方向，从两单晶金刚石上表面到单晶金刚石下表面斜切，切割形成两个相互平行的拼接斜面，然后将两个拼接斜面拼接，最后在单晶金刚石上表面生长完整的大面积单晶金刚石。解决了现有技术中拼接金刚石过程中出现的拼接处裂痕大，导致拼接失败的问题。
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公开(公告)号：CN107400871A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201710632848.X
申请日：2017-07-28
Applicant: 西安交通大学
IPC: C23C16/01 , C23C16/02 , C23C16/27 , C23C16/511
CPC classification number: C23C16/01 , C23C16/0272 , C23C16/274
Abstract: 本发明公开了一种基于硅衬底的金刚石薄膜的制备方法，通过在硅晶圆衬底表层下形成氢层，然后再在形成氢层的硅晶圆衬底表层上生成金刚石薄膜，然后通过电化学剥离方法从硅晶圆衬底氢离子层处剥离使硅晶圆衬底和金刚石薄膜分离，形成自撑金刚石薄膜，在自撑金刚石薄膜表面形成了一层便于修复平整加工余量的硅晶圆衬底层，避免造成剥离过程中金刚石薄膜受损，通过从形成氢层的硅晶圆衬底处进行剥离，节省了硅晶圆衬底的成本，避免了硅晶圆衬底材料的浪费，可对剥离后的硅晶圆衬底重复利用，本方法简单快捷，剥离效率高，对剥离后的金刚石薄膜采用CMP抛光技术进行抛光即可得到表面完整的金刚石薄膜，大大提高了金刚石薄膜表面的平整度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107393858A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201710631784.1
申请日：2017-07-28
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L21/683 , H01L21/335 , H01L23/367 , H01L23/373
CPC classification number: H01L21/6835 , H01L23/3672 , H01L23/3732 , H01L29/66462 , H01L2221/68368 , H01L2221/68386
Abstract: 本发明公开了一种GaN HEMTs功率器件向金刚石热沉转移方法，通过在蓝宝石衬底上生长GaN HEMTs功率器件，然后采用Si晶片作为临时支撑材料生长在GaN HEMTs功率器件上，然后将蓝宝石衬底与GaN HEMTs功率器件分离，再通过热塑性粘合剂将Si晶片粘到GaN HEMTs功率器件上，最后将GaN HEMTs功率器件上的SI晶片剥离，从而得到金刚石热沉片GaN HEMTs功率器件，采用高热导率的金刚石做GaN HEMTs功率器件的热沉片，大大提高了GaN HEMTs功率器件高频、大功率应用时的散热能力，采用低温键合方法使GaN HEMTs功率器件高频、大功率应用时的散热问题和金刚石热沉片粘合，有效避免了传统的高温键合对器件性能的损伤。本方法转移工艺简单、容易实现、重复性好。
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公开(公告)号：CN107331732A
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：CN201710547436.6
申请日：2017-07-06
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0312 , H01L31/0352 , H01L31/0224 , H01L31/09
Abstract: 本发明公开了一种垂直型多电流通道SiC光导开关及其制作方法，首先采用lift-off工艺将所需电极图形转移到SiC衬底一侧表面，利用磁控溅射工艺在SiC衬底电极图形上依次制作Ti层和W层，然后在W层上利用真空蒸发镀膜工艺依次制作Au层和NiCr层，从而完成接触电极的制作，对制作完接触电极的SiC衬底进行去胶，使衬底形成多电流通道的，采用多电流通道的方法来减小现有开关中出现的电流丝效应，电流丝效应是电流集中在局部区域，会使得该区域温度升高很多，从而导致开关热损坏，降低器件寿命；多电流通道将电流分散在开关中，减少了热集中，增加了光导开光的寿命；通过在SiC光导开关上设置多电流通道，减小电流密度，从而提高开关耐压能力及可靠性。
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公开(公告)号：CN106981512A
公开(公告)日：2017-07-25
申请号：CN201710188701.6
申请日：2017-03-27
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/10 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种金刚石基常关型场效应晶体管，包括金刚石衬底，上设置有单晶金刚石外延薄膜，单晶金刚石外延薄膜的表面设置有源区以及包围有源区的器件隔离区，有源区为二维空穴气，有源区的上方依次间隔设置有源极、栅极和漏极，有源区的表面设置有导电沟道；导电沟道包括氢终端与氧终端、或氢终端与氟终端交替设置的沟道，通过表面处理技术调节所述导电沟道的氧化或氟化程度的强弱，进而调节对氧终端或氟终端临近的氢终端部分的耗尽程度，实现栅偏压零时器件的关断特性，以提供一种可以在高压、高频电子领域广泛应用的常关型器件。
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公开(公告)号：CN104992974A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201510250214.9
申请日：2015-05-15
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/66 , H01L21/04
CPC classification number: H01L29/78 , H01L21/044 , H01L29/42364 , H01L29/66969
Abstract: 本发明公开了一种金刚石基双层绝缘栅介质场效应晶体管及其制备方法，该场效应晶体管包含金刚石衬底、单晶金刚石外延薄膜、导电沟道、源极、漏极、第一层绝缘栅介质层、第二层绝缘栅介质层和栅电极；金刚石衬底上设有一层单晶金刚石外延薄膜；单晶金刚石外延薄膜上设置有源极和漏极；源极和漏极之间的单晶金刚石外延薄膜上形成有导电沟道；第一层绝缘栅介质层覆盖源极与漏极之间的导电沟道，以及部分源极与漏极；第一层绝缘栅介质层上设置有第二层绝缘栅介质层；第二层绝缘栅介质层上设置有栅电极。本发明采用双层绝缘栅介质的结构有效提高了场效应晶体管的直流、微波特性。
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公开(公告)号：CN103249248A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201310156462.8
申请日：2013-04-28
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种复合基板、制造方法及基于该复合基板的LED垂直芯片结构，所述复合基板其结构由下至上依次为基板、石墨烯。基板为LED垂直芯片中常用基板：CuW、SiC、Si、Mo等。此复合基板，可作为LED垂直芯片制造中键合基板，将LED芯片键合在石墨烯层上。采用此复合基板的LED，相比常用基板(CuW、SiC、Si)，具有更加优异的散热性能。另外，本发明将LED芯片键合在所述复合基板的石墨烯层上，组成LED垂直芯片结构，其散热性能能够得到有效提高。
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