-
公开(公告)号：CN101340156A
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN200810134964.X
申请日：2008-08-07
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
CPC classification number: H02M7/487 , H02M2007/53876
Abstract: 本发明一种三电平空间矢量的调制方法，将参考空间矢量转换到第一扇区；将所述第一扇区的所述参考空间矢量转换到α－β坐标系中；由所述α－β坐标系中的所述参考空间矢量，获取所述参考空间矢量所在三角形的编号；根据所述三角形的编号确定合成所述参考空间矢量的基本空间矢量；计算所述基本空间矢量的作用时间；将上述计算出的作用时间映射成原扇区的基本空间矢量的作用时间。本发明所述方法将各个扇区的参考空间矢量转换到第一扇区，总结出第一扇区与其他扇区的作用时间的映射关系，可以直接根据所述映射关系得出其他扇区基本空间矢量的作用时间。本发明所述方法减少了计算步骤，并且既适合直角坐标又适合极坐标下的参考空间矢量。
-
公开(公告)号：CN101071163A
公开(公告)日：2007-11-14
申请号：CN200710123594.5
申请日：2007-06-29
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种变流器的试验电路，其被试变流器工作在“直流－单相交流或三相交流”的逆变方式，即将输入的直流电变换为单相或三相的交流电，被试变流器直流端连接直流电源，并且在直流电源的正负极之间连接有储能电容器，交流端连接高感性负载，试验时，所述高感性负载经过所述变流器的脉冲宽度调制控制，与所述储能电容器通过无功功率实现受控的能量循环往复。采用该种试验电路，只要对所述变流器进行合适的控制，就可以使变流器工作在与实际工作时相同的电流和功率状况下，获得与现有技术同样有效的试验数据，而实际的损耗能量却很小。
-
公开(公告)号：CN106684146A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201510767499.3
申请日：2015-11-11
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/423 , H01L29/43
Abstract: 本发明涉及一种栅自对准型碳化硅MOSFET及其制备方法。该方法以多晶碳化硅作为碳化硅MOSFET的自对准栅电极前体来制备栅自对准型碳化硅MOSFET，制备过程中利用多晶碳化硅替代多晶硅作为栅自对准离子注入掩膜，可以使碳化硅MOSFET的制备完全执行硅MISFET制造过程中所执行的栅自对准工艺，由此解决了现有沟道自对准工艺的金属污染和低对准精度的问题。
-
公开(公告)号：CN105244264A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201510711271.2
申请日：2015-10-28
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
CPC classification number: H01L28/75 , H01L21/28008
Abstract: 本发明公开了一种复合栅结构电容及其制造方法，该电容包括：SiC衬底；SiC外延层，其设置于SiC衬底上；过渡层，其设置于SiC外延层上；绝缘层，其设置于过渡层上，其中，过渡层为异质双层晶体结构，异质双层晶体结构靠近外延层的一层用于降低界面态密度，靠近绝缘层的一层用于提高过渡层的稳定性。本发明可以降低SiC外延层与过渡层的界面态密度，提高过渡层的稳定性，还可以提高电容的耐压能力。
-
公开(公告)号：CN104319292A
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201410619758.3
申请日：2014-11-06
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/24 , H01L29/34 , H01L29/66477
Abstract: 本发明提供了一种新型碳化硅MOSFET及其制造方法，本发明中在碳化硅MOSFET器件在全部离子注入后，在P阱表面外延一层表面粗糙度较低的P－外延层，载流子输运在P－外延层反型沟道，由于P－外延层的粗糙度小于P阱表面的粗糙度，所以降低了反型层沟道中载流子碰撞或散射几率，提高碳化硅MOSFET器件反型沟道载流子迁移率，降低器件导通电阻。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104282766A
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201410620019.6
申请日：2014-11-06
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/22 , H01L21/265
CPC classification number: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/24 , H01L29/34 , H01L29/66477
Abstract: 本发明提供了一种新型碳化硅MOSFET及其制造方法，本发明中在碳化硅MOSFET器件在P阱离子注入后，在P阱表面外延一层表面粗糙度较低的P－外延层，载流子输运在P－外延层反型沟道，由于P－外延层的粗糙度小于P阱表面的粗糙度，所以降低了反型层沟道中载流子碰撞或散射几率，提高碳化硅MOSFET器件反型沟道载流子迁移率，降低器件导通电阻。
-
公开(公告)号：CN104282765A
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201410619955.5
申请日：2014-11-06
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种新型的碳化硅MOS器件及其制造方法，本发明在干法刻蚀后形成的粗糙度较大的栅槽内表面外延一层P－外延层，由于外延层之后的P－外延层的表面粗糙度较低，所以导电沟道中载流子碰撞或散射几率会降低，从而提高碳化硅MOS器件反型沟道载流子迁移率，达到降低器件导通电阻的目的。
-
公开(公告)号：CN102628901B
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201210089891.3
申请日：2012-03-30
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种轨道交通电气设备可靠性试验方法，包括：一个或几个试验周期的试验过程，试验过程包括湿度应力试验过程、温度应力试验过程、振动应力试验过程和电应力试验过程中一种或几种试验过程的任意应力水平和时序的组合；以及在一个试验周期的特定时段中加入通断试验过程、性能试验过程和抗扰度试验过程中的一种或几种试验的过程。利用本发明可以使被试轨道交通电气设备在早期研制阶段充分暴露其潜在缺陷，增长其可靠性，有效降低其在全寿命周期内的维修成本；可反映出被试设备随用户使用时间的变化规律，为质量保证提供依据；使设备的可靠性指标可以分配到相关的元器件，通过提高元器件的可靠性提高轨道交通电气设备的可靠性。
-
公开(公告)号：CN102307120B
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201110241447.4
申请日：2011-08-22
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H04L12/26
Abstract: 本发明公开了一种MVB和WTB物理层一致性测试平台的搭建方法及搭建的平台，该方法为：测试平台需求分析；测试平台各设备参数确定；测试平台搭建；测试平台误差修正；测试平台不确定度评定，本发明的方法能够系统地测试出MVB和WTB设备的多项指标，全面地评估出MVB和WTB设备的物理特性，以及它的指标是否能够满足标准上的相应要求。
-
公开(公告)号：CN102044543B
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201010557246.0
申请日：2010-11-22
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L27/06
Abstract: 本发明涉及一种半导体器件，该半导体器件将IGBT模块封装所需的全部IGBT和FRD芯片集成在一片晶圆上，且IGBT和FRD反并联设置；晶圆的边缘部分为多级场限环区，中间部分为IGBT区和FRD区；IGBT和FRD位于同一N型衬底内，具有多级场限环的终端结构；IGBT由在衬底上依次注入发射极P阱、发射极欧姆接触P+区、横向MOSFEF N+源极区、背部集电极P+区构成；FRD由在硅衬底上注入阳极P阱和阴极N+构成；多级场限环的终端结构由在衬底上注入多个P阱和一个N阱而成。本发明半导体器件不需要切片就能直接进行压接式封装成IGBT模块，并且该压接式封装与传统的功率半导体压接式封装工艺相兼容。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
68
records
(took 0.035 seconds)
