公开(公告)号：CN104867984B

公开(公告)日：2018-11-06

申请号：CN201510221344.X

申请日：2010-12-07

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  广桥拓也 ,  高桥正弘 ,  岛津贵志

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/02 ,  H01L27/12

Abstract: 可以使用更大的衬底，并且通过形成具有高结晶性程度的氧化物半导体层，可以制造具有所希望的高场效应迁移率的晶体管，由此可以实现大型显示装置或高性能半导体装置等的实用化。在衬底上形成第一多元氧化物半导体层，以及在第一多元氧化物半导体层上形成单元氧化物半导体层；然后，通过在500℃以上1000℃以下，优选为550℃以上750℃以下进行加热处理从表面向内部进行结晶生长，使得形成包含单晶区域的第一多元氧化物半导体层及包含单晶区域的单元氧化物半导体层；以及在包含单晶区域的单元氧化物半导体层上层叠包含单晶区域的第二多元氧化物半导体层。

公开(公告)号：CN105023942B

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201510329843.0

申请日：2010-12-07

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  广桥拓也 ,  高桥正弘 ,  岛津贵志

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/04 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331 ,  H01L27/12 ,  H01L21/84

Abstract: 可以使用更大的衬底，并且通过形成具有高结晶性程度的氧化物半导体层，可以制造具有所希望的高场效应迁移率的晶体管，由此可以实现大型显示装置或高性能半导体装置等的实用化。在衬底上形成第一多元氧化物半导体层，以及在第一多元氧化物半导体层上形成单元氧化物半导体层；然后，通过在500℃以上1000℃以下，优选为550℃以上750℃以下进行加热处理从表面向内部进行结晶生长，使得形成包含单晶区域的第一多元氧化物半导体层及包含单晶区域的单元氧化物半导体层；以及在包含单晶区域的单元氧化物半导体层上层叠包含单晶区域的第二多元氧化物半导体层。

公开(公告)号：CN108075114A

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201711141051.6

申请日：2017-11-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 门马洋平 ,  川上贵洋 ,  落合辉明 ,  高桥正弘

IPC: H01M4/36 ,  H01M4/505 ,  H01M4/525 ,  H01M4/48 ,  H01M10/052

CPC classification number: H01M4/466 ,  C01P2002/00 ,  G01N23/2273 ,  H01M4/131 ,  H01M4/1391 ,  H01M4/366 ,  H01M4/62 ,  H01M10/0525 ,  H01M2004/028 ,  H01M4/36 ,  H01M4/48 ,  H01M4/505 ,  H01M4/525 ,  H01M10/052

Abstract: 本发明提供一种循环特性良好且容量大的锂离子二次电池用正极活性物质。在正极活性物质的表层部上设置包含铝的覆盖层、包含镁的覆盖层。包含镁的覆盖层存在于比包含铝的覆盖层更接近粒子表面的区域。包含铝的覆盖层可以通过使用铝醇盐的溶胶-凝胶法形成。可以对起始材料混合镁及氟，在溶胶-凝胶法之后进行加热而镁偏析，由此形成包含镁的覆盖层。

公开(公告)号：CN107403731A

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201710327978.2

申请日：2012-11-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  中岛基 ,  高桥正弘

IPC: H01L21/34 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/24 ,  H01L29/36 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78693

Abstract: 提供一种可靠性高的半导体装置，并且提供该半导体装置的制造方法。以高成品率制造可靠性高的半导体装置，而可以实现高生产化。在具有接触于氧化物半导体膜上地设置源电极层及漏电极层的晶体管的半导体装置中，抑制杂质混入到该氧化物半导体膜的侧面端部中、以及发生氧缺陷。由此在该氧化物半导体膜的侧面端部形成寄生沟道而防止该晶体管的电特性变动。

公开(公告)号：CN103137496B

公开(公告)日：2017-06-09

申请号：CN201210506180.1

申请日：2012-11-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  中岛基 ,  高桥正弘

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/24 ,  H01L29/36 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78693

Abstract: 提供一种可靠性高的半导体装置，并且提供该半导体装置的制造方法。以高成品率制造可靠性高的半导体装置，而可以实现高生产化。在具有接触于氧化物半导体膜上地设置源电极层及漏电极层的晶体管的半导体装置中，抑制杂质混入到该氧化物半导体膜的侧面端部中、以及发生氧缺陷。由此在该氧化物半导体膜的侧面端部形成寄生沟道而防止该晶体管的电特性变动。

公开(公告)号：CN105870196A

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201610250240.6

申请日：2013-10-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 高桥正弘 ,  广桥拓也 ,  津吹将志 ,  石原典隆 ,  太田将志

IPC: H01L29/786 ,  C23C14/08 ,  H01L21/02 ,  H01L21/66 ,  H01L29/04 ,  H01L29/24 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/1225 ,  C23C14/086 ,  G01N23/207 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L22/12 ,  H01L29/04 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种金属氧化物膜及金属氧化物膜的形成方法。提供一种包含晶体部且物理性质的稳定性高的金属氧化物膜。晶体部的尺寸小于或等于10nm，因此当测量区域大于或等于且小于或等于时，在金属氧化物膜的截面的纳米束电子衍射图案中观察到圆周状的斑点。

公开(公告)号：CN105734493A

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201610250248.2

申请日：2013-10-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 高桥正弘 ,  广桥拓也 ,  津吹将志 ,  石原典隆 ,  太田将志

IPC: C23C14/08 ,  H01L21/02 ,  H01L21/66 ,  H01L29/04 ,  H01L29/24 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1225 ,  C23C14/086 ,  G01N23/207 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L22/12 ,  H01L29/04 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种金属氧化物膜及金属氧化物膜的形成方法。提供一种包含晶体部且物理性质的稳定性高的金属氧化物膜。晶体部的尺寸小于或等于10nm，因此当测量区域大于或等于且小于或等于时，在金属氧化物膜的截面的纳米束电子衍射图案中观察到圆周状的斑点。

公开(公告)号：CN102484139B

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201080039662.X

申请日：2010-09-13

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  坂仓真之 ,  宫永昭治 ,  高桥正弘 ,  广桥拓也 ,  岛津贵志

IPC: H01L29/786 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明的目的之一是提供一种具有适合用于半导体装置的新的结构的氧化物半导体层。此外，本发明的目的之一是提供一种使用具有新的结构的氧化物半导体层的半导体装置。本发明是一种氧化物半导体层，包括：以非晶为主要结构的非晶区域以及表面的附近的包含In2Ga2ZnO7的晶粒的结晶区域，其中，晶粒被取向为其c轴成为大体上垂直于表面的方向。此外，本发明是一种使用这种氧化物半导体层的半导体装置。

公开(公告)号：CN104867984A

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201510221344.X

申请日：2010-12-07

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  广桥拓也 ,  高桥正弘 ,  岛津贵志

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/02 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L29/66742 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02472 ,  H01L21/02483 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02667 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

Abstract: 可以使用更大的衬底，并且通过形成具有高结晶性程度的氧化物半导体层，可以制造具有所希望的高场效应迁移率的晶体管，由此可以实现大型显示装置或高性能半导体装置等的实用化。在衬底上形成第一多元氧化物半导体层，以及在第一多元氧化物半导体层上形成单元氧化物半导体层；然后，通过在500℃以上1000℃以下，优选为550℃以上750℃以下进行加热处理从表面向内部进行结晶生长，使得形成包含单晶区域的第一多元氧化物半导体层及包含单晶区域的单元氧化物半导体层；以及在包含单晶区域的单元氧化物半导体层上层叠包含单晶区域的第二多元氧化物半导体层。

公开(公告)号：CN104733540A

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201510102867.2

申请日：2010-09-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  小山润 ,  高桥正弘 ,  岸田英幸 ,  宫永昭治 ,  中村康男 ,  菅尾惇平 ,  鱼地秀贵

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/45 ,  H01L21/34 ,  H01L27/12

Abstract: 一个目的是提供以具有良好的显示质量的显示器件为代表的半导体器件，其中抑制产生于半导体层与电极之间的连接部分中的寄生电阻并且防止诸如电压降低、到像素的信号布线中的缺陷、灰度级中的缺陷等的由于布线电阻的不利影响。为了达到上述目的，根据本发明的半导体器件可具有将薄膜晶体管连接至具有低电阻的布线的结构，在所述薄膜晶体管中包含具有高氧亲和性的金属的源极电极及漏极电极被连接至具有被抑制的杂质浓度的氧化物半导体层。此外，包含氧化物半导体的薄膜晶体管可由绝缘膜围绕以便密封。