公开(公告)号：CN102194892A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN201110080569.X

申请日：2006-08-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 矶部敦生 ,  斋藤恵子 ,  佐藤友彦

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L29/49 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621

Abstract: 本发明旨在提供一种接触电阻为低的晶体管及使用它的显示装置、电子设备及半导体装置。本发明的晶体管包括：包含赋予P型或N型的杂质元素的半导体膜；形成在其上的绝缘膜；以及，通过至少形成在所述绝缘膜中的接触孔与所述半导体膜电连接的电极或布线，其中，在所述半导体膜中，包含在深于预定的深度的区域中的所述杂质元素的浓度在第一范围(1×1020/cm3或更小)，并且包含在浅于所述预定的深度的区域中的所述杂质元素的浓度在第二范围(超过1×1020/cm3)；在深于所述半导体膜的与所述电极或布线接触的部分的区域中，所述杂质元素的浓度在所述第一范围。

公开(公告)号：CN1979877B

公开(公告)日：2011-07-27

申请号：CN200610095901.9

申请日：2000-08-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 柴田宽 ,  矶部敦生

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  H01L21/82 ,  H01L21/768 ,  G03B21/00

CPC classification number: H01L27/1255 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/13454 ,  G02F1/136209 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/136277 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3265 ,  H01L27/3276 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78633

Abstract: 通过保证充足存储电容值(Cs)时获得较高孔径率，同时通过以适时方式分散电容器引线的负载(象素写入电流)以有效地减少负载，从而提供一种液晶显示装置。扫描线形成在与栅电极不同的层面上，电容器布置成与信号线平行。每个象素通过电介质与各自独立的电容器引线连接。这样，可避免由相邻象素的写入电流产生的电容器引线的电势变化，进而获得了满意的显示图象。

公开(公告)号：CN101299412B

公开(公告)日：2011-03-23

申请号：CN200810109622.2

申请日：2003-01-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 矶部敦生 ,  山崎舜平 ,  小久保千穗 ,  田中幸一郎 ,  下村明久 ,  荒尾达也 ,  宫入秀和 ,  秋叶麻衣

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L21/77 ,  H01L21/84 ,  H01L29/786 ,  H01L29/04 ,  H01L29/10 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。本发明的目的在于提供一种制造半导体器件的方法，以及一种使用该制造方法制造的半导体器件，其中使用激光晶化方法，它能够防止在TFT沟道形成区中形成晶界，并且能够防止所有由于晶界导致的TFT迁移率的显著下降、接通电流降低和关断电流增加。形成具有条形形状或矩形形状的凹陷和凸起。用连续波激光沿绝缘膜条形形状的凹陷和凸起、或沿矩形形状的纵轴方向或横轴方向辐照形成在绝缘膜上的半导体膜。注意虽然此时最优选使用连续波激光，但也可以使用脉冲波激光。

公开(公告)号：CN1855573B

公开(公告)日：2010-08-04

申请号：CN200610084049.5

申请日：2006-04-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 今林良太 ,  古川忍 ,  矶部敦生 ,  荒井康行 ,  山崎舜平

IPC: H01L51/40 ,  H01L51/05

CPC classification number: H01L51/0512 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/31683 ,  H01L51/0002 ,  H01L51/0055 ,  H01L51/0525 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0566

Abstract: 目的在于形成稠密且具有强绝缘电阻特性的高质量栅绝缘膜，并提出一种其中几乎没有隧道漏电流的高可靠性有机晶体管。本发明的有机晶体管的一个模式具有以下步骤：通过使用稠密等离子体用等离子激活来激活氧(或含氧的气体)或氮(或含氮的气体)等形成将变为栅极的导电层而形成栅绝缘膜，以及直接与将被绝缘的变为栅极的导电层的一部分反应，等离子体中的电子密度是1011cm-3或更大，且电子温度在0.2eV至2.0eV的范围内。

公开(公告)号：CN101667538A

公开(公告)日：2010-03-10

申请号：CN200910159435.X

申请日：2005-08-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 田中幸一郎 ,  矶部敦生 ,  山本良明

IPC: H01L21/268 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  B23K26/06

CPC classification number: H01L29/78648 ,  B23K26/0604 ,  B23K26/066 ,  H01L21/268 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/78621 ,  H01L2029/7863

Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。本发明的目的是提供激光照射设备和方法，其能够减小微晶区在整个被照射区中的比例并能够用激光束均匀地照射半导体膜。通过狭缝阻挡从激光振荡器发射的激光束的低强度部分，该激光束被镜片偏转，用两个凸柱镜将激光束整形成所需的尺寸。然后，向照射表面提供激光束。

公开(公告)号：CN100440538C

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：CN02160521.1

申请日：2002-12-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 矶部敦生 ,  大力浩二 ,  柴田宽 ,  小久保千穗 ,  荒尾达也 ,  早川昌彦 ,  宫入秀和 ,  下村明久 ,  田中幸一郎 ,  山崎舜平 ,  秋叶麻衣

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/268 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02683 ,  B23K26/032 ,  B23K26/0608 ,  B23K26/067 ,  B23K26/0738 ,  B23K26/0853 ,  B23K26/10 ,  B23K26/702 ,  B23K2101/40 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/78603

Abstract: 具有沉陷和突起的绝缘膜形成于衬底上。半导体膜形成于绝缘膜上。这样，为了用激光晶化，应变集中的部分选择地形成于半导体膜中。更具体地，条形或矩形沉陷和突起提供在半导体膜中。然后，连续波激光沿着形成于半导体膜中的条形沉陷和突起或在矩形长轴或短轴的方向照射。

公开(公告)号：CN101006560A

公开(公告)日：2007-07-25

申请号：CN200580028275.5

申请日：2005-08-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 田中幸一郎 ,  矶部敦生 ,  山本良明

IPC: H01L21/268 ,  H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78648 ,  B23K26/0604 ,  B23K26/066 ,  H01L21/268 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/78621 ,  H01L2029/7863

Abstract: 本发明的目的是提供激光照射设备和方法，其能够减小微晶区在整个被照射区中的比例并能够用激光束均匀地照射半导体膜。通过狭缝阻挡从激光振荡器发射的激光束的低强度部分，该激光束被镜片偏转，用两个凸柱镜将激光束整形成所需的尺寸。然后，向照射表面提供激光束。

公开(公告)号：CN1915572A

公开(公告)日：2007-02-21

申请号：CN200610126206.4

申请日：2002-09-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 田中幸一郎 ,  宫入秀和 ,  志贺爱子 ,  下村明久 ,  矶部敦生

IPC: B23K26/06 ,  B23K26/073 ,  G02B27/09 ,  H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H01L21/324 ,  H01L21/84

Abstract: 本发明的特征在于通过倾斜入射到凸透镜的激光束，出现诸如像散等的像差，并且激光束的形状在照射表面或其周围区域内形成线状。由于本发明具有非常简单的结构，光线调节较容易，并且器件尺寸变小。此外，由于光束相对于被照体倾斜入射，可防止返回光束。

公开(公告)号：CN1870233A

公开(公告)日：2006-11-29

申请号：CN200610088637.6

申请日：2006-04-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 矶部敦生 ,  村上智史 ,  高野圭惠 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1248 ,  H01L29/42384

Abstract: 一种半导体器件的制造方法，包括如下步骤：在衬底上方形成第一绝缘膜，在第一绝缘膜上方形成半导体薄膜，使用高频波在大于等于1×1011cm2并小于等于1×1013cm－3的电子密度和大于等于0.5eV并小于等于1.5eV的电子温度的条件下通过对半导体薄膜实施等离子体处理来氧化或氮化半导体薄膜，形成第二绝缘膜以覆盖半导体薄膜；在第二绝缘膜上方形成栅电极；形成第三绝缘膜以覆盖栅电极；以及在第三绝缘膜上方形成导电薄膜。

公开(公告)号：CN1444285A

公开(公告)日：2003-09-24

申请号：CN03107081.7

申请日：2003-03-05

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  加藤清 ,  矶部敦生 ,  宫入秀和 ,  须泽英臣

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L21/02609 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02683 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/04 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78696

Abstract: 提供有高电流驱动能力、能够高速运转并在多个半导体元件中几乎没有变化的半导体元件。它以下述事实为特征：半导体元件有包括多个晶体取向的第一结晶半导体区，第一结晶半导体区连接到导电的第二结晶半导体区，其中第一结晶半导体区在平行于在绝缘表面上的线形条状图形中延伸的绝缘膜的方向延伸，且第二结晶半导体区被提供，包括以线形条状图形延伸的绝缘膜。