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公开(公告)号：CN107369747A
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201710774112.6
申请日：2017-08-31
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/60 , H01L33/0075 , H01L33/20
Abstract: 本申请公开了一种LED芯片及其制备方法，其中，所述LED芯片制备方法在对衬底进行隐形切割之前，首先在衬底背离外延单元一侧表面形成ODR介质层，以避免全角度反射镜的ODR反射层对隐形切割激光的反射导致的隐形切割工艺无法进行的问题；然后再进行ODR反射层的制备，以和ODR介质层构成所述全角度反射层；最后对衬底进行劈裂，从而获得多个LED芯片，实现了将全角度反射镜与隐形切割技术结合以制备亮度较高的LED芯片的目的。并且由于隐形切割工艺介于ODR介质层和ODR反射层的形成工艺之间，避免了直接对衬底进行隐形切割而可能导致的破片率较高的问题，提升了LED芯片的制备良率。
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公开(公告)号：CN107293620A
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201710570324.2
申请日：2017-07-13
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/005 , H01L33/0075 , H01L33/145
Abstract: 本发明公开了一种LED芯片及其制作方法，其中，在形成通孔和台阶区时能够通过一次光刻工艺即能实现，有效减少了光刻工艺次数，进而通过创新的制备方法而减少光刻工艺次数，以达到简化制作LED芯片的流程，且降低LED芯片成本的目的。
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公开(公告)号：CN107275446A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710613467.7
申请日：2017-07-25
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种LED芯片及其制作方法，该LED芯片包括：衬底；设置在衬底上的外延结构，外延结构包括依次设置的N型半导体层、量子阱发光层以及P型半导体层；外延结构的预设区域具有凹槽，凹槽用于露出部分N型半导体层；P型半导体层具有第一区域、第二区域以及第三区域；覆盖第一区域的第一透明导电层；覆盖第二区域以及部分第一透明导电层的电流阻挡层；覆盖另一部分第一透明导电层、第三区域以及部分电流阻挡层的第二透明导电层；覆盖另一部分电流阻挡层的P电极；设置在凹槽内，与N型半导体层电连接的N电极。本发明技术方案解决了LED芯片中电流扩散不均匀问题，提高了LED芯片发光的均匀性。
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公开(公告)号：CN106025010A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610567047.5
申请日：2016-07-19
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Inventor： 陈亮 , 李俊贤 , 吕奇孟 , 吴奇隆 , 陈凯轩 , 张永 , 刘英策 , 李小平 , 魏振东 , 周弘毅 , 黄鑫茂 , 蔡立鹤 , 林志伟 , 姜伟 , 卓祥景 , 方天足
CPC classification number: H01L33/405 , H01L33/0075 , H01L33/32 , H01L33/42 , H01L33/46 , H01L2933/0016 , H01L2933/0025
Abstract: 本发明公开一种基于导电DBR结构的倒装LED芯片及其制作方法，在衬底上依次生长缓冲层、N‑GaN层、有源层和P‑GaN层，有源层和P‑GaN层刻蚀形成台阶并将N‑GaN层部分裸露，在P‑GaN层台阶上依次形成DBR导电反射层和金属反射层，在N‑GaN层的裸露部分设置N金属导电层及电流扩展条，在金属反射层上方以及N金属导电层和N‑GaN层裸露部分的上方形成绝缘层；所述绝缘层上形成若干通孔，在绝缘层上分别设置P共金层和N共金层，P共金层通过通孔与金属反射层连接，N共金层通过通孔与N金属导电层连接，绝缘层将N金属导电层与P共金层隔离，将DBR导电反射层与N共金层隔离。本发明提高了发光二极管产品的发光可靠性，降低工艺难度和制作成本。
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公开(公告)号：CN105938864A
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201610451334.X
申请日：2016-06-22
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/46 , H01L33/0075 , H01L33/08 , H01L33/20
Abstract: 一种AC‑LED芯片及其制造方法，涉及LED生产技术领域。在透明导电层上设置两组图形化N型层和P型层，每组N型层连接在透明导电层上，每组P型层连接在N型层上；在N‑GaN层的两个下台阶面上方各自设置一组P型层和N型层，每组P型层连接在N‑GaN层上，每组N型层连接在P型层上；在相邻的下台阶面上方的一组P型层和N型层与透明导电层上方的一组N型层和P型层之间设置绝缘层；在各绝缘层以及相应的下台阶面上方的N型层与透明导电层上方的P型层上设置焊盘。本发方便生产，后端应用不需要区分正负极，可极大提升芯片的光效，还避免了频闪的隐患，利于多芯片的联接良率的有效提升。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105932137A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201610426652.0
申请日：2016-06-16
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/48 , H01L33/46 , H01L2933/0025 , H01L2933/0033
Abstract: 本发明公开一种增加演色性的白光LED结构制作方法，蓝光外延芯片正面进行ICP蚀刻至N‑GaN表面，N‑GaN表面蒸镀N电极，在P‑GaN上蒸镀铟锡氧化物，在铟锡氧化物上蒸镀P电极；红光四元外延芯片的GaP层上形成P型欧姆接触层；蓝光外延芯片正面键合在暂时衬底上，在衬底上形成DBR层，然后在DBR层上形成键合层后，再与四元外延芯片进行对位式键合；先将四元外延芯片的砷化镓衬底去除，再蒸镀形成N型欧姆接触层，在N型欧姆接触层上蒸镀反射镜，在反射镜上沉积隔绝层，对隔绝层进行穿孔分别至P型欧姆接触层和N型欧姆接触层；将暂时衬底去除，裂片即得。本发明减少封装体积和使用封装面积，提高白光演色性，混光效果较好。
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公开(公告)号：CN105742421A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201610253384.7
申请日：2016-04-22
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/04 , H01L33/005 , H01L33/42
Abstract: 一种正装LED发光二极管及其制作工艺，涉及LED发光二极管技术领域。在外延层上图形化地刻蚀去除各元胞的P?GaN层和量子阱层部分区域，直至暴露出N?GaN层；在外延片表面利用溅射法蒸镀透明导电材料，通过光刻工艺，采用化学蚀刻方法，仅保留各元胞的P?GaN层上的透明导电材料；在相邻的两个元胞中的一个元胞的透明导电层上制作P电极，在另一个元胞的透明导电层、P?GaN层和量子阱层外包裹式制作N电极，N电极的下端连接在N?GaN层上。本发明保留了N电极下方的部分P?GaN及量子阱层，本发明工艺简单，将原本需要全部刻蚀掉的P?GaN和MQW保留一部分，减少了ICP刻蚀完后的黑点现象的发生及良率的提升。
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公开(公告)号：CN105374914A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201510751194.3
申请日：2015-11-09
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/14
CPC classification number: H01L33/145 , H01L33/14
Abstract: 本发明涉及一种光电性好、结构简单、成本低的LED芯片及制备方法。本发明提供的一种LED芯片及LED芯片的制备方法，在现有电流阻挡层与P型层之间加入一第二电流扩散层，使一部分电流经第二电流扩散层至电流阻挡层正下方的有源层，使电流阻挡层下的有源层被充分利用，提高发光效率，增大有源层的利用区域同时减小电流密度，降低LED芯片的电压，同时该结构对光有反射效果，提高出光效率的同时，可对电极层进行简化，从而降低生产成本。
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公开(公告)号：CN109192830B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN201810784329.X
申请日：2018-07-17
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一用于发光二极管的半导体芯片，其包括一外延单元、至少一电流阻挡层、一透明导电层、一N型电极以及一P型电极，其中所述电流阻挡层层叠于所述外延单元的N型半导体层，所述透明导电层以包覆所述电流阻挡层的方式层叠于所述外延单元的P型半导体层，并且所述透明导电层的一列穿孔分别对应于所述电流阻挡层的不同位置，并且一列所述穿孔中的至少一个所述穿孔和相邻所述穿孔不同，所述N型电极层叠于所述N型半导体层，所述P型电极层叠于所述透明导电层，并且所述P型电极的每个P型叉指分别形成于和被保持在所述透明导电层的每个所述穿孔。
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公开(公告)号：CN108831976B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN201810783043.X
申请日：2018-07-17
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一发光二极管的芯片及其制造方法，其中所述芯片包括依次层叠的一衬底、一N型半导体层、一有源区和一P型半导体层以及具有自所述P型半导体层延伸至所述N型半导体层的至少一半导体裸露部，所述芯片还包括一电流阻挡层、一透明导电层、一N型电极和一P型电极，其中所述电流阻挡层层叠于所述P型半导体层，所述透明导电层以包覆所述电流阻挡层的方式层叠于所述P型半导体层，且所述透明导电层的穿孔对应于所述电流阻挡层，所述N型电极层叠于所述N型半导体层，所述P型电极层叠于所述透明导电层，且所述P型电极的P型叉指被保持在所述透明导电层的所述穿孔。
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