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公开(公告)号：CN106882792A
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201510933644.0
申请日：2015-12-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B32/184
Abstract: 本发明提供一种干法转移金属衬底上石墨烯的方法，包括：1）将长有石墨烯的金属衬底置于目标衬底上，并将所述石墨烯面朝目标衬底；2）将放置好的长有石墨烯的金属衬底和目标衬底放入反应器中，在保护气氛下，升温至金属衬底熔化温度或以上，使所述金属衬底熔化收缩成金属小球，所述石墨烯附着于目标衬底上，保温预设时间后在保护气氛下降至室温，以将所述石墨烯转移至目标衬底上。本发明的方法重复性高、简单易行，用于微电子和光电子领域用高质量石墨烯的规模批量转移；本发明转移过程属于物理过程且无需其他液态或者固态试剂辅助，转移过程不会引入其他杂质，可有效避免非故意掺杂，降低了转移过程对石墨烯电学性能的影响。
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公开(公告)号：CN103928583B
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201410177651.8
申请日：2014-04-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L33/32
Abstract: 本发明涉及一种氮化镓单晶自支撑衬底的制备方法，所述的方法包括应力释放的GaN籽晶模板制备和背部刻蚀剥离蓝宝石的方法。所述的应力释放的GaN籽晶模板是在蓝宝石上生长GaN籽晶，通过控制GaN籽晶的厚度和降温的条件，实现控制失配应力以裂纹的形式在蓝宝石上释放，同时保持GaN籽晶层表面无裂纹，可使整个GaN/蓝宝石外延层应力势能降低，进而降低厚膜GaN外延层的位错密度，避免厚膜GaN开裂；背部刻蚀剥离蓝宝石方法是在厚膜GaN生长结束后使用刻蚀剂透过蓝宝石背后的裂纹实现对厚膜GaN背面(N极性面)的刻蚀，通过背部刻蚀可降低GaN/蓝宝石界面的结合强度，使得蓝宝石更容易剥离，有效避免剥离造成的厚膜GaN开裂，有利于产业化。
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公开(公告)号：CN106756871A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611019332.X
申请日：2016-11-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种过渡金属硫族化合物二维材料—石墨烯异质结构及其原位生长方法。方法包括：步骤A：分别提供衬底、源物质Ⅰ、源物质Ⅱ、以及碳源，将衬底升温，在保护气氛下使碳源溶解到衬底的表面，源物质Ⅰ与源物质Ⅱ分别受热挥发，进一步在溶解有碳的衬底的表面沉积并反应生成一种过渡金属硫族化合物二维材料；步骤B：控制衬底以一定的降温速率进行降温，在过渡金属硫族化合物二维材料与衬底的界面处析出石墨烯，从而获得一种过渡金属硫族化合物二维材料—石墨烯异质结构。本方法生长所需条件参数的窗口较宽、重复性好，为后期制备过渡金属硫族化合物二维材—石墨烯相关的微电子器件奠定了良好的基础。
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公开(公告)号：CN104030274B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201410231250.6
申请日：2014-05-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明涉及一种提高石墨烯表面洁净度的湿法腐蚀化学转移法，其特征在于包括先在金属衬底和石墨烯的结合体上沉积一层金属，在金属上表面涂一层有机胶体，然后放到腐蚀液中，得到有机胶体、金属层和石墨烯层的结合体，再将三者的结合体转移到目标衬底上并去除有机胶体，将得到的金属和石墨烯的结合体再次放到腐蚀液中，待金属层被去除，即得到转移好的石墨烯。与传统的湿法腐蚀化学转移方法相比，本方法在旋涂有机胶体之前在石墨烯表面沉积一层金属，阻挡石墨烯和有机胶体的直接接触，有效地避免了转移后有机胶体在石墨烯表面的残留。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103928583A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410177651.8
申请日：2014-04-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L33/32
CPC classification number: H01L21/0242 , H01L21/02016 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02694 , H01L21/7806
Abstract: 本发明涉及一种氮化镓单晶自支撑衬底的制备方法，所述的方法包括应力释放的GaN籽晶模板制备和背部刻蚀剥离蓝宝石的方法。所述的应力释放的GaN籽晶模板是在蓝宝石上生长GaN籽晶，通过控制GaN籽晶的厚度和降温的条件，实现控制失配应力以裂纹的形式在蓝宝石上释放，同时保持GaN籽晶层表面无裂纹，可使整个GaN/蓝宝石外延层应力势能降低，进而降低厚膜GaN外延层的位错密度，避免厚膜GaN开裂；背部刻蚀剥离蓝宝石方法是在厚膜GaN生长结束后使用刻蚀剂透过蓝宝石背后的裂纹实现对厚膜GaN背面(N极性面)的刻蚀，通过背部刻蚀可降低GaN/蓝宝石界面的结合强度，使得蓝宝石更容易剥离，有效避免剥离造成的厚膜GaN开裂，有利于产业化。
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公开(公告)号：CN103900870A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201410075073.7
申请日：2014-03-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种辨别石墨烯连续膜完整性的方法，包括：在金属催化衬底和石墨烯膜的结合体上涂一层有机胶体，然后放入腐蚀液中，得到有机胶体层和石墨烯膜的结合体；将上述有机胶体层和石墨烯膜的结合体放入去离子水中漂洗然后静置，观察，无褶皱则为完整的石墨烯膜。本发明重复性高、简单易行，可以准确表征规模化生产的石墨烯连续膜的完整性；本发明能够从宏观上准确判断大面积石墨烯膜的完整性而不需要借助光学显微镜、扫描电子显微镜等表征手段。
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公开(公告)号：CN102915929A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201210425691.0
申请日：2012-10-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/8232
Abstract: 本发明提供一种石墨烯场效应器件集成方法。该方法在衬底上形成栅电极与对准标记。接下来制备出具有高介电常数的Al2O3薄膜，并利用湿法刻蚀的方法对其进行刻蚀，露出栅电极接触及对准标记。随后将采用化学气相沉积（CVD）方法制备的的单层石墨烯薄膜转移到衬底上，并采用等离子体刻蚀系统刻蚀形成墨烯场效应管（GFET）的导电沟道。最后采用EBL的定义源极、漏极电极区域，并采用光学曝光定义金属接触，沉积金属并剥离以实现金属互连。该方法与传统CMOS制造工艺兼容，简化了器件的制备工艺，有利于提高器件的性能。该发明适用于石墨烯基电子器件及大规模碳基集成电路的加工制造工艺。
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公开(公告)号：CN102344131A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201110187773.1
申请日：2011-07-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明涉及一种在钼基衬底上制备石墨烯薄膜的方法，包括：将钼催化剂放入无氧反应器中，使催化剂的反应温度达到500-1600℃；向无氧反应器反应器中通入含碳气体，在0.1-760torr下反应0.1-9999min，待炉内温度冷却至室温，得到含有石墨烯薄膜的钼金属衬底；去除钼催化剂，即得石墨烯薄膜。本发明重复性高、简单易行；所得石墨烯薄膜具有大面积、层数可控、分布均匀的特点。
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公开(公告)号：CN206317488U
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：CN201621370004.X
申请日：2016-12-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本实用新型提供一种石墨烯玻璃，所述石墨烯玻璃包括：第一玻璃；石墨烯薄膜，形成于所述第一玻璃表面；第二玻璃，覆盖于所述石墨烯薄膜上，使得所述石墨烯薄膜夹在所述第一玻璃及第二玻璃之间，所述石墨烯薄膜的尺寸小于所述第一玻璃及第二玻璃的尺寸；其中，所述第一玻璃及第二玻璃没被石墨烯薄膜隔开的部分粘连，将石墨烯薄膜完全密封于粘连的玻璃之间。本实用新型的石墨烯玻璃具备防辐射和加热功能，可以用于玻璃防辐射、除霜、除雾、供暖等。本实用新型制备的石墨烯玻璃由于石墨烯被玻璃密封，石墨烯的稳定性会得到提升，使用寿命也会明显延长。
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