-
公开(公告)号：CN106884152A
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201510933627.7
申请日：2015-12-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: C23C16/0227
Abstract: 本发明提供一种基于清洗工艺制备铜衬底的方法，包括步骤：步骤1），提供制备石墨烯用的铜衬底；步骤2），将所述铜衬底置于有氧环境中处理，使所述铜衬底表面氧化，形成氧化铜层；以及步骤3），将氧化后的铜衬底放入氧化铜的反应溶液中，以腐蚀去除包含杂质的氧化铜层，得到清洁的铜衬底表面。本发明通过将包含杂质的铜表面层氧化，再将氧化铜层去除，获得适宜高质量石墨烯制备的清洁铜表面。该方法获得的衬底可明显减少石墨烯中的缺陷。本发明的方法重复性高、简单易行，并且可控性强，适合工业化应用的批量化处理。
-
公开(公告)号：CN104851787A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201510152563.7
申请日：2015-04-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/28
CPC classification number: H01L21/28506
Abstract: 本发明涉及一种提高金属电极与石墨烯欧姆接触的方法，包括：(1)将CVD方法生长的带有金属衬底的石墨烯浸到金属离子溶液中进行修饰，静置后取出并吹干；(2)将修饰好的带有金属衬底的石墨烯采用湿法转移工艺转移到绝缘衬底上；(3)采用电子束蒸发在石墨烯表面形成金属电极。本发明在沉积金属之前采用化学手段对缺陷部分进行修饰，使被还原的金属纳米颗粒稳定地存在于石墨烯的边界或者缺陷部分，从而改进了金属电极和石墨烯之间的欧姆接触。
-
公开(公告)号：CN104805419A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201410032316.9
申请日：2014-01-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种化学气相沉积法（CVD）石墨烯薄膜区域择优选取的方法，包括以下步骤：1）提供一长有CVD石墨烯的金属衬底；2）将长有石墨烯的生长衬底置于反应腔中，并于保护气体气氛中将所述生长衬底加热至预设温度；3）通入反应气体，于预设气压下使该反应气体与所述石墨烯反应预设时间，使石墨烯中的缺陷区域被刻蚀去除；4）将反应后的石墨烯转移至目标衬底表面，获得质量较高的石墨烯材料。本发明通过对生长衬底上的CVD石墨烯薄膜进行原位刻蚀，将有缺陷的石墨烯刻蚀掉，留下质量更高的石墨烯材料；本发明的方法重复性高、简单易行，并且可控性强，适合微电子应用的工业制备。
-
公开(公告)号：CN104803377A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201510152604.2
申请日：2015-04-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明涉及一种通过高温高压提高石墨烯表面洁净度的方法，包括：将转移完毕的有机胶、石墨烯和目标衬底的结合体放入装有除胶溶剂的密闭容器中于150kPa-2000kPa、50-500℃下加热，即得除完有机胶的石墨烯。本发明通过将有机胶、石墨烯和目标衬底的结合体放到高温高压容器中加热，避免了有机胶在石墨烯表面的残留引入表面态的问题，去除彻底并且用时较短，显著提高了石墨烯表面的洁净程度。
-
公开(公告)号：CN103924207A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201310009300.1
申请日：2013-01-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C23C16/26
Abstract: 本发明涉及一种增强泡沫铜在较高温度下抗氧化能力的方法，包括以下步骤：将泡沫铜放入无氧反应器中，抽真空并通入惰性气体，加热使泡沫铜达到一定反应温度；向无氧反应器中通入含碳气体，在一定气压下反应一定时间，待炉内温度冷却至室温，得到的泡沫铜表面覆盖了一层致密的超薄碳膜，使得泡沫铜在较高温度下的抗氧化能力与未处理前相比明显提高，并且不会对泡沫铜的其他各种物理参数造成明显影响。本发明重复性高、简单易行。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103353437A
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：CN201310236946.3
申请日：2013-06-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N21/00
Abstract: 本发明涉及一种直观显示金属衬底上CVD石墨烯表面褶皱分布的方法，包括：将未转移的CVD石墨烯连同金属衬底一起放入密闭腔体中，抽真空后通入惰性气体，然后加热，再通入与石墨烯反应的气体，待反应结束后停止加热，停止通入反应气体，保持惰性气体保护，最后降至室温，置于光学镜下观察即可。本发明的观察方法重复性高、简单易行；本发明通过选择性刻蚀的方法，使CVD石墨烯表面褶皱附近的石墨烯大量去除，从而通过低放大倍数的光学显微镜就可以观察到纳米级褶皱的分布情况。
-
公开(公告)号：CN103352210A
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：CN201310253516.2
申请日：2013-06-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种直观显示金属衬底上CVD石墨烯表面缺陷分布的方法，包括：将未转移的CVD石墨烯连同金属衬底一起放入氧化性溶液中，石墨烯褶皱以及其他缺陷处的金属衬底会被氧化，然后将氧化后的CVD石墨烯连同金属衬底置于光学显微镜下观察即可。本发明的方法重复性高、简单易行；本发明可以使处理前需要超高放大倍数显微镜才能观察到纳米级缺陷分布在低放大倍数光学显微镜下清晰显现出来。
-
公开(公告)号：CN105021621B
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201410181069.9
申请日：2014-04-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种石墨烯的表征方法，至少包括以下步骤：提供一形成于衬底上的石墨烯，将所述石墨烯连同其下的衬底一起放入腐蚀性溶液中浸泡预设时间，然后取出所述石墨烯及所述衬底，将所述衬底放置于显微镜下，观测所述衬底上石墨烯的表面形貌，并根据所述石墨烯下方所述衬底的腐蚀程度判断所述石墨烯表面的破损情况。本发明的石墨烯表征方法通过低倍显微镜就可以检验石墨烯表面是否存在微小尺寸的破损，表征范围大、可重复性高、简单易行，可以有效降低表征成本，提高表征效率。
-
公开(公告)号：CN106882792B
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201510933644.0
申请日：2015-12-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B32/184
Abstract: 本发明提供一种干法转移金属衬底上石墨烯的方法，包括：1）将长有石墨烯的金属衬底置于目标衬底上，并将所述石墨烯面朝目标衬底；2）将放置好的长有石墨烯的金属衬底和目标衬底放入反应器中，在保护气氛下，升温至金属衬底熔化温度或以上，使所述金属衬底熔化收缩成金属小球，所述石墨烯附着于目标衬底上，保温预设时间后在保护气氛下降至室温，以将所述石墨烯转移至目标衬底上。本发明的方法重复性高、简单易行，用于微电子和光电子领域用高质量石墨烯的规模批量转移；本发明转移过程属于物理过程且无需其他液态或者固态试剂辅助，转移过程不会引入其他杂质，可有效避免非故意掺杂，降低了转移过程对石墨烯电学性能的影响。
-
公开(公告)号：CN104807810B
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201410032320.5
申请日：2014-01-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N21/75
Abstract: 本发明提供一种利用石墨烯判定铜衬底表面晶向的方法，至少包括以下步骤：1）提供一长有化学气相沉积（CVD）石墨烯的铜衬底，所述石墨烯中具有皱褶区域；2）将长有石墨烯的铜衬底置于氧化气氛中进行氧化，皱褶区域下方的铜衬底会被优先氧化形成氧化条纹；3）依据所述铜衬底表面氧化条纹的分布情况判断所述铜衬底的表面晶向。本发明的判定方法重复性高、简单易行，成本较低，可以方便了解用于化学气相沉积法生长石墨烯的多晶铜衬底的表面晶向分布状况。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
31
records
(took 0.058 seconds)
