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公开(公告)号：CN104805419A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201410032316.9
申请日：2014-01-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种化学气相沉积法（CVD）石墨烯薄膜区域择优选取的方法，包括以下步骤：1）提供一长有CVD石墨烯的金属衬底；2）将长有石墨烯的生长衬底置于反应腔中，并于保护气体气氛中将所述生长衬底加热至预设温度；3）通入反应气体，于预设气压下使该反应气体与所述石墨烯反应预设时间，使石墨烯中的缺陷区域被刻蚀去除；4）将反应后的石墨烯转移至目标衬底表面，获得质量较高的石墨烯材料。本发明通过对生长衬底上的CVD石墨烯薄膜进行原位刻蚀，将有缺陷的石墨烯刻蚀掉，留下质量更高的石墨烯材料；本发明的方法重复性高、简单易行，并且可控性强，适合微电子应用的工业制备。
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公开(公告)号：CN103900870B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201410075073.7
申请日：2014-03-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种辨别石墨烯连续膜完整性的方法，包括：在金属催化衬底和石墨烯膜的结合体上涂一层有机胶体，然后放入腐蚀液中，得到有机胶体层和石墨烯膜的结合体；将上述有机胶体层和石墨烯膜的结合体放入去离子水中漂洗然后静置，观察，无褶皱则为完整的石墨烯膜。本发明重复性高、简单易行，可以准确表征规模化生产的石墨烯连续膜的完整性；本发明能够从宏观上准确判断大面积石墨烯膜的完整性而不需要借助光学显微镜、扫描电子显微镜等表征手段。
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公开(公告)号：CN104807810A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201410032320.5
申请日：2014-01-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N21/75
Abstract: 本发明提供一种利用石墨烯判定铜衬底表面晶向的方法，至少包括以下步骤：1）提供一长有化学气相沉积（CVD）石墨烯的铜衬底，所述石墨烯中具有皱褶区域；2）将长有石墨烯的铜衬底置于氧化气氛中进行氧化，皱褶区域下方的铜衬底会被优先氧化形成氧化条纹；3）依据所述铜衬底表面氧化条纹的分布情况判断所述铜衬底的表面晶向。本发明的判定方法重复性高、简单易行，成本较低，可以方便了解用于化学气相沉积法生长石墨烯的多晶铜衬底的表面晶向分布状况。
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公开(公告)号：CN104030274A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410231250.6
申请日：2014-05-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明涉及一种提高石墨烯表面洁净度的湿法腐蚀化学转移法，其特征在于包括先在金属衬底和石墨烯的结合体上沉积一层金属，在金属上表面涂一层有机胶体，然后放到腐蚀液中，得到有机胶体、金属层和石墨烯层的结合体，再将三者的结合体转移到目标衬底上并去除有机胶体，将得到的金属和石墨烯的结合体再次放到腐蚀液中，待金属层被去除，即得到转移好的石墨烯。与传统的湿法腐蚀化学转移方法相比，本方法在旋涂有机胶体之前在石墨烯表面沉积一层金属，阻挡石墨烯和有机胶体的直接接触，有效地避免了转移后有机胶体在石墨烯表面的残留。
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公开(公告)号：CN101514484A
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200910046387.3
申请日：2009-02-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种氢化物气相外延(HVPE)氮化镓(GaN)膜中使用的纳米多孔材料衬底及其制备方法，其特征在于采用复合纳米多孔材料作为厚膜GaN外延生长的衬底，改善晶体质量，同时方便衬底的剥离。先在以Si为衬底的GaN模板上沉积一层金属Al薄层，经电化学的方法形成均匀的多孔网状阳极氧化铝(AAO)，再采用诱导耦合等离子体刻蚀(ICP)等技术，刻蚀得到多孔GaN材料，孔的底部露出Si衬底表面；在此基础上采用腐蚀方法，实现对Si的腐蚀并获得复合纳米多孔结构；通过表面处理，使得Si的表面覆盖SiNx或者SiO2层，以满足后续的外延生长需求。经清洗后，再放入HVPE系统中生长厚膜GaN层。大大简化了光刻制作掩膜的工艺，适合于科学实验和批量生产时采用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105021621B
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201410181069.9
申请日：2014-04-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种石墨烯的表征方法，至少包括以下步骤：提供一形成于衬底上的石墨烯，将所述石墨烯连同其下的衬底一起放入腐蚀性溶液中浸泡预设时间，然后取出所述石墨烯及所述衬底，将所述衬底放置于显微镜下，观测所述衬底上石墨烯的表面形貌，并根据所述石墨烯下方所述衬底的腐蚀程度判断所述石墨烯表面的破损情况。本发明的石墨烯表征方法通过低倍显微镜就可以检验石墨烯表面是否存在微小尺寸的破损，表征范围大、可重复性高、简单易行，可以有效降低表征成本，提高表征效率。
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公开(公告)号：CN104807810B
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201410032320.5
申请日：2014-01-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N21/75
Abstract: 本发明提供一种利用石墨烯判定铜衬底表面晶向的方法，至少包括以下步骤：1）提供一长有化学气相沉积（CVD）石墨烯的铜衬底，所述石墨烯中具有皱褶区域；2）将长有石墨烯的铜衬底置于氧化气氛中进行氧化，皱褶区域下方的铜衬底会被优先氧化形成氧化条纹；3）依据所述铜衬底表面氧化条纹的分布情况判断所述铜衬底的表面晶向。本发明的判定方法重复性高、简单易行，成本较低，可以方便了解用于化学气相沉积法生长石墨烯的多晶铜衬底的表面晶向分布状况。
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公开(公告)号：CN105021621A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201410181069.9
申请日：2014-04-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种石墨烯的表征方法，至少包括以下步骤：提供一形成于衬底上的石墨烯，将所述石墨烯连同其下的衬底一起放入腐蚀性溶液中浸泡预设时间，然后取出所述石墨烯及所述衬底，将所述衬底放置于显微镜下，观测所述衬底上石墨烯的表面形貌，并根据所述石墨烯下方所述衬底的腐蚀程度判断所述石墨烯表面的破损情况。本发明的石墨烯表征方法通过低倍显微镜就可以检验石墨烯表面是否存在微小尺寸的破损，表征范围大、可重复性高、简单易行，可以有效降低表征成本，提高表征效率。
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公开(公告)号：CN103896262A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201410075061.4
申请日：2014-03-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明涉及一种通过无损掺杂提高石墨烯迁移率的方法，包括：配制水合肼溶液，然后将石墨烯样品放入水合肼溶液中1min-12h，取出后吹干，得到无损掺杂石墨烯。本发明重复性高、简单易行，可以大批量修饰石墨烯薄膜，而且对石墨烯薄膜没有破坏作用；本发明能够通过改变水合肼溶液浓度及其与目标衬底的接触时间定性提高石墨烯薄膜的迁移率；本发明克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
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公开(公告)号：CN101488475A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200910046376.5
申请日：2009-02-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/78 , H01L21/20 , H01L21/3065 , H01L21/311 , C01G15/00
Abstract: 本发明涉及一种厚膜氮化镓与衬底蓝宝石自剥离的实现方法，其特征在于采用了带有钝化层超大纳米孔径GaN作为厚膜的模板。在生长厚膜GaN之前，在(0001)面蓝宝石衬底上，沉积一层GaN薄膜，然后在其上蒸发一层金属Al，再采用电化学的方法生成多孔状阳极氧化铝(AAO)，然后将其刻蚀成多孔状，接着往多孔GaN孔中沉积一层介质SiO2或SiNx薄层，这样就在GaN模板上得到了带有钝化层超大纳米孔径的结构，经过清洗后，最后把这个多孔衬底置于HVPE反应腔内生长GaN厚膜。本发明提供的方法避免了光刻制作掩膜的复杂工艺，而且将孔隙尺寸缩小到纳米量级，金属Al和SiO2层均可采用电子束蒸发、溅射等方法来制备。
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