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公开(公告)号：CN106884153B
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201510934979.4
申请日：2015-12-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于干法清洗工艺制备铜衬底的方法，包括步骤：步骤1），提供制备石墨烯用的铜衬底；步骤2），将所述铜衬底置于有氧环境中处理，使所述铜衬底表面氧化，形成氧化层；以及步骤3），去所述铜除衬底表面的氧化层，得到清洁的铜衬底表面。本发明通过氧化石墨烯生长用铜衬底，使得衬底表面层氧化并从衬底脱落，获得适宜高质量石墨烯制备的清洁铜表面，该方法获得的铜衬底可明显降低成核密度，减少石墨烯中的缺陷。本发明的方法重复性高、简单易行，并且可控性强，适合工业化应用的批量化处理。
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公开(公告)号：CN108570710A
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201810468715.8
申请日：2018-05-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种铜晶须的制备方法，包括：1）提供铜基材，将所述铜基材置于硫源溶液中进行硫化反应，以在所述铜基材表面形成铜的硫化物；2）对表面具有铜的硫化物的所述铜基材进行清洗及干燥处理；3）对表面具有铜的硫化物的所述铜基材置于还原气氛中进行还原反应，以在所述铜基材表面生长形成铜晶须。本发明的制备方法重复性高、简单易行，适用于铜晶须的规模批量制备。本发明可以通过控制铜硫化反应的程度以及还原反应的程度来控制铜晶须的生长速度和尺寸。本发明利用不同的铜基材，可实现铜线、铜板、铜粉等上晶须的生长，增强或拓展基材的性能。
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公开(公告)号：CN106884153A
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201510934979.4
申请日：2015-12-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: C23C16/02 , C23C16/26 , C30B25/186 , C30B29/02
Abstract: 本发明提供一种基于干法清洗工艺制备铜衬底的方法，包括步骤：步骤1），提供制备石墨烯用的铜衬底；步骤2），将所述铜衬底置于有氧环境中处理，使所述铜衬底表面氧化，形成氧化层；以及步骤3），去所述铜除衬底表面的氧化层，得到清洁的铜衬底表面。本发明通过氧化石墨烯生长用铜衬底，使得衬底表面层氧化并从衬底脱落，获得适宜高质量石墨烯制备的清洁铜表面，该方法获得的铜衬底可明显降低成核密度，减少石墨烯中的缺陷。本发明的方法重复性高、简单易行，并且可控性强，适合工业化应用的批量化处理。
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公开(公告)号：CN106829943A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201611156543.8
申请日：2016-12-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B32/194
Abstract: 本发明提供一种提高石墨烯膜表面亲水性的方法，包括以下步骤：1)配置表面活性剂溶液；以及2)将石墨烯薄膜与衬底的结合体在所述表面活性剂溶液中放置一定时间。根据本发明提供的方法，利用表面活性剂的亲水疏水基团实现对石墨烯膜表面的亲疏水性的调节，该方法能够简单快速地提高石墨烯膜的亲水性，大大节约了时间成本，并且操作简单，节省了人工成本、材料成本；还具有环境友好性，适宜大幅推广；并且不受石墨烯膜尺寸的限制；由于提高了石墨烯膜的亲水性，还进一步扩大了石墨烯材料的应用领域。
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公开(公告)号：CN106756869A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611130948.4
申请日：2016-12-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: C23C16/26 , C23C16/0272
Abstract: 本发明提供一种无粘连金属密堆生长石墨烯的方法，所述方法包括步骤：步骤1），在金属箔片的第一表面沉积氧化物，金属箔片的第二表面为金属面，将金属箔片按氧化物表面朝向金属面的顺序堆叠或者卷起来，形成金属堆垛或金属卷；步骤2），采用化学气相沉积法于所述金属堆垛或金属卷的金属面上生长石墨烯。本发明的方法重复性高、简单易行，可用于大面积高质量石墨烯的规模批量制备；本发明通过在金属箔片背面沉积氧化物的方法，避免了金属箔片之间的相互粘连，可一次性在CVD设备腔体中放入大量或大面积的金属箔片，极大的提高了石墨烯的生长效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106591798A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201611129914.3
申请日：2016-12-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C23C16/26 , C01B32/186
CPC classification number: C23C16/26
Abstract: 本发明提供一种无粘连插层金属箔片堆垛制备石墨烯的方法，所述方法包括步骤：步骤1），将至少两层金属箔片进行堆垛，各层金属箔片通过插层隔开，形成金属箔片堆垛结构，其中，所述插层为不与所述金属箔片反应的物质；步骤2），采用化学气相沉积法于所述金属箔片堆垛结构的各金属箔片表面生长石墨烯。本发明的方法重复性高、简单易行，可用于大面积高质量石墨烯的规模批量制备；本发明通过插层金属箔片堆垛的方法，避免了金属箔片之间的相互粘连，可一次性在CVD设备腔体中放入大量的金属箔片，极大的提高了石墨烯的生长效率。
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公开(公告)号：CN104975344A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201510401391.2
申请日：2015-07-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及基于氧化亚铜薄膜衬底低成核密度石墨烯单晶的制备方法，其特征在于通过氧化亚铜薄膜衬底，直接制备出低成核密度石墨烯单晶，具体制备步骤包括：(1)氧化亚铜薄膜的制备；(2)低密度石墨烯单晶制备。本发明提出了新的制备工艺，使CVD石墨烯的单晶密度控制更加容易，可以使处理后的铜表面的石墨烯成核密度大大降低，从而提高单晶尺寸，减少石墨烯晶界对薄膜电学性质的影响。本发明所述的制备方法重复性高、简单易行。
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公开(公告)号：CN102915929B
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201210425691.0
申请日：2012-10-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/8232
Abstract: 本发明提供一种石墨烯场效应器件集成方法。该方法在衬底上形成栅电极与对准标记。接下来制备出具有高介电常数的Al2O3薄膜，并利用湿法刻蚀的方法对其进行刻蚀，露出栅电极接触及对准标记。随后将采用化学气相沉积（CVD）方法制备的单层石墨烯薄膜转移到衬底上，并采用等离子体刻蚀系统刻蚀形成墨烯场效应管（GFET）的导电沟道。最后采用EBL的定义源极、漏极电极区域，并采用光学曝光定义金属接触，沉积金属并剥离以实现金属互连。该方法与传统CMOS制造工艺兼容，简化了器件的制备工艺，有利于提高器件的性能。该发明适用于石墨烯基电子器件及大规模碳基集成电路的加工制造工艺。
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公开(公告)号：CN103353276A
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：CN201310237684.2
申请日：2013-06-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01B11/00
Abstract: 本发明涉及一种便于观察金属衬底上CVD石墨烯表面褶皱分布的方法，包括：将长有石墨烯的金属衬底置于氧化性气氛中，以氧化石墨烯褶皱处的金属；然后将氧化后的金属衬底置于光学显微镜下观察，纳米级褶皱分布情况在光学显微镜下清晰显现出来；所述的金属衬底为铜、镍或者铜镍合金。本发明的表征方法重复性高、简单易行，使这些处理前需要超高放大倍数显微镜才能观察到的纳米级褶皱分布在低放大倍数光学显微镜下能够清晰地显现出来。
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公开(公告)号：CN117699786A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311836323.X
申请日：2023-12-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B32/19 , C01B32/194
Abstract: 本发明涉及一种悬空石墨烯的制备方法，包括在衬底上旋涂剥离胶和光刻胶，经过曝光显影去除光刻胶和多余的剥离胶，将石墨烯和光刻胶的结合体转移到剥离胶上，经过曝光显影出现图形，刻蚀暴露的部分石墨烯，再一次旋涂光刻胶，再经过曝光显影去除多余光刻胶，在露出石墨烯的区域蒸发或溅射一层金属，然后去除光刻胶，最后去除剥离胶，即得。本发明可以精准实现不同形状不同尺寸的石墨烯悬空结构的制备，也可以应用于任意衬底，具有良好的推广应用前景。
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