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公开(公告)号：CN117742076A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311836321.0
申请日：2023-12-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G03F7/16
Abstract: 本发明涉及一种提高匀胶平整性及均匀性的方法，包括如下步骤：提供任意衬底，将吸附性材料固定在衬底边缘，形成结合体；将结合体吸附在匀胶机上匀胶，即得到表面胶层厚度均匀的衬底。本发明解决了现有光刻技术中因胶层厚度不均匀导致的掩模版和衬底不能完全贴合的问题，相对现有技术，本发明能够显著改善掩模版和待光刻衬底的贴合，操作简单，成本低廉，适合所有尺寸的样品。
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公开(公告)号：CN105204287B
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201510612817.9
申请日：2015-09-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G03F1/68
Abstract: 本发明涉及一种用于光刻掩膜板制作过程的夹具，包括主体部分，所述主体部分呈矩形框架结构；所述主体部分的四个角的内侧设有支撑柱体，所述主体部分的周边设有多个槽口；所述主体部分的四个角上还设有用于安装提杆的螺纹孔。本发明可以使得掩膜板制作过程中的显影、刻蚀和去胶和掩膜板清洗更为方便。
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公开(公告)号：CN102540475A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210049218.7
申请日：2012-02-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种用于中红外分布反馈光栅制备的全息曝光光路调整方法，包括以下步骤：通过两个高反镜调整全息曝光系统的入射激光的光路，使入射激光进入全息曝光系统；通过一个反射镜确定入射激光器在曝光平台另一侧的入射点和入射角度，利用反射镜确定的入射点和入射角度作为参考，调整空间滤波器和准直透镜，得到一束扩束的平行光；调整置片台，通过置片台的安装，使扩束后的平行光分为两束相干、平行的光束，两光束在置片台上通过干涉形成明暗相间的条纹。本发明能够减小中红外单模激光器制备工艺的复杂性。
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公开(公告)号：CN105244291B
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201510552671.3
申请日：2015-09-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/56
Abstract: 本发明涉及种用于三维集成的大厚度光敏BCB的涂覆方法,包括:在晶圆上,先旋涂层光敏BCB,然后放在真空环境中静置;对第层BCB进行曝光前热烘、曝光和固化;在第层上旋涂第二层光敏BCB,并进行光刻、显影和固化;干法刻蚀去除部分BCB,刻蚀厚度为第层BCB的厚度,即可。本发明有效解决了传统二次涂覆中两层BCB的通孔会出现无法顺畅衔接的技术问题。
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公开(公告)号：CN102540475B
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201210049218.7
申请日：2012-02-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02B27/09
Abstract: 本发明涉及一种用于中红外分布反馈光栅制备的全息曝光光路调整方法，包括以下步骤：通过两个高反镜调整全息曝光系统的入射激光的光路，使入射激光进入全息曝光系统；通过一个反射镜确定入射激光器在曝光平台另一侧的入射点和入射角度，利用反射镜确定的入射点和入射角度作为参考，调整空间滤波器和准直透镜，得到一束扩束的平行光；调整置片台，通过置片台的安装，使扩束后的平行光分为两束相干、平行的光束，两光束在置片台上通过干涉形成明暗相间的条纹。本发明能够减小中红外单模激光器制备工艺的复杂性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117699786A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311836323.X
申请日：2023-12-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B32/19 , C01B32/194
Abstract: 本发明涉及一种悬空石墨烯的制备方法，包括在衬底上旋涂剥离胶和光刻胶，经过曝光显影去除光刻胶和多余的剥离胶，将石墨烯和光刻胶的结合体转移到剥离胶上，经过曝光显影出现图形，刻蚀暴露的部分石墨烯，再一次旋涂光刻胶，再经过曝光显影去除多余光刻胶，在露出石墨烯的区域蒸发或溅射一层金属，然后去除光刻胶，最后去除剥离胶，即得。本发明可以精准实现不同形状不同尺寸的石墨烯悬空结构的制备，也可以应用于任意衬底，具有良好的推广应用前景。
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公开(公告)号：CN102593718B
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201210048679.2
申请日：2012-02-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种中红外激光器的制备方法，包括以下步骤：制备氧化硅光栅层：利用等离子体增强化学气相沉积法在器件表面生长一层氮化硅薄膜；利用全息曝光的方法在氮化硅薄膜上制备全息光栅掩膜；采用反应离子刻蚀的方法将光栅图形转移到氮化硅膜上，形成了一层氮化硅的光栅掩膜；在有台面的位置上制备反馈光栅：选择和台面结构相似的光刻版图，在氮化硅的光栅掩膜上制备光刻胶掩膜图形，并在氮化硅的光栅掩膜上制备光栅刻蚀窗口；利用氮化硅和光刻胶双层掩膜，通过ICP刻蚀的方法在器件表面制备光栅，使得光栅完全覆盖在器件所要制备台面的位置上；制备激光器台面。本发明使得分布反馈激光器的性能有所提高。
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公开(公告)号：CN105244291A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201510552671.3
申请日：2015-09-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/56
CPC classification number: H01L21/56
Abstract: 本发明涉及一种用于三维集成的大厚度光敏BCB的涂覆方法，包括：在晶圆上，先旋涂一层光敏BCB，然后放在真空环境中静置；对第一层BCB进行曝光前热烘、曝光和固化；在第一层上旋涂第二层光敏BCB，并进行光刻、显影和固化；干法刻蚀去除部分BCB，刻蚀厚度为第一层BCB的厚度，即可。本发明有效解决了传统二次涂覆中两层BCB的通孔会出现无法顺畅衔接的技术问题。
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公开(公告)号：CN105204287A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201510612817.9
申请日：2015-09-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G03F1/68
Abstract: 本发明涉及一种用于光刻掩膜板制作过程的夹具，包括主体部分，所述主体部分呈矩形框架结构；所述主体部分的四个角的内侧设有支撑柱体，所述主体部分的周边设有多个槽口；所述主体部分的四个角上还设有用于安装提杆的螺纹孔。本发明可以使得掩膜板制作过程中的显影、刻蚀和去胶和掩膜板清洗更为方便。
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公开(公告)号：CN102593718A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210048679.2
申请日：2012-02-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种中红外激光器的制备方法，包括以下步骤：制备氧化硅光栅层：利用等离子体增强化学气相沉积法在器件表面生长一层氮化硅薄膜；利用全息曝光的方法在氮化硅薄膜上制备全息光栅掩膜；采用反应离子刻蚀的方法将光栅图形转移到氮化硅膜上，形成了一层氮化硅的光栅掩膜；在有台面的位置上制备反馈光栅：选择和台面结构相似的光刻版图，在氮化硅的光栅掩膜上制备光刻胶掩膜图形，并在氮化硅的光栅掩膜上制备光栅刻蚀窗口；利用氮化硅和光刻胶双层掩膜，通过ICP刻蚀的方法在器件表面制备光栅，使得光栅完全覆盖在器件所要制备台面的位置上；制备激光器台面。本发明使得分布反馈激光器的性能有所提高。
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