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公开(公告)号：CN105204287B
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201510612817.9
申请日：2015-09-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G03F1/68
Abstract: 本发明涉及一种用于光刻掩膜板制作过程的夹具，包括主体部分，所述主体部分呈矩形框架结构；所述主体部分的四个角的内侧设有支撑柱体，所述主体部分的周边设有多个槽口；所述主体部分的四个角上还设有用于安装提杆的螺纹孔。本发明可以使得掩膜板制作过程中的显影、刻蚀和去胶和掩膜板清洗更为方便。
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公开(公告)号：CN104297298A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201410452147.4
申请日：2014-09-05
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N27/02
Abstract: 本发明涉及一种外周血循环肿瘤细胞检测芯片及系统，其中，检测芯片包括衬底，其特征在于，所述衬底上制备有相互连接的叉指电容电路和螺旋电感金属电路；所述叉指电容电路上紧密贴合有单层石墨烯薄膜；所述石墨烯薄膜上贴合有微流控制通道；所述微流控制通道与单层石墨烯薄膜形成了用于筛选出的肿瘤细胞的集成石墨烯微流控管道筛选微芯片；所述单层石墨烯薄膜、叉指电容电路和螺旋电感电路形成一个整体RCL谐振网络；所述螺旋电感电路还充当互耦天线的作用。检测系统包括检测信号读出分析装置和上述的外周血循环肿瘤细胞检测芯片。本发明能够实现对肿瘤细胞的快速、灵敏、准确和低成本的检测。
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公开(公告)号：CN105244291B
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201510552671.3
申请日：2015-09-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/56
Abstract: 本发明涉及种用于三维集成的大厚度光敏BCB的涂覆方法,包括:在晶圆上,先旋涂层光敏BCB,然后放在真空环境中静置;对第层BCB进行曝光前热烘、曝光和固化;在第层上旋涂第二层光敏BCB,并进行光刻、显影和固化;干法刻蚀去除部分BCB,刻蚀厚度为第层BCB的厚度,即可。本发明有效解决了传统二次涂覆中两层BCB的通孔会出现无法顺畅衔接的技术问题。
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公开(公告)号：CN102800986B
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201210272158.5
申请日：2012-08-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01Q15/00
Abstract: 本发明涉及一种基于电谐振的太赫兹双频带超材料，包括衬底和金属层单元，所述金属层单元上设有电磁谐振单元；所述电磁谐振单元包括两个开口谐振环和一个闭合环；所述闭合环位于两个开口谐振环之间；所述金属层单元以周期性阵列的方式铺设在所述衬底上。本发明结构简单，制作成本低，具有强谐振、宽频带、双频点的优点，可以有效地应用于各种要求宽带设计的太赫兹功能器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111244188B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202010060088.1
申请日：2020-01-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/861 , H01L29/267 , H01L21/329
Abstract: 本申请提供一种异质结AlGaAs/GaAs二极管及其制备方法，该二极管包括衬底层、GaAs缓冲层、第一掺杂Si的GaAs层、第二掺杂Si的GaAs层、GaAs本征层、掺杂Be或C的Al0.09Ga0.91As层和掺杂Be或C的GaAs层；衬底层、GaAs缓冲层、高掺杂N+层、低掺杂N层、GaAs本征层、掺杂Be或C的Al0.09Ga0.91As层和掺杂Be或C的GaAs层依次层叠连接。本申请提供的异质结AlGaAs/GaAs二极管中，Al组分和GaAs本征层厚度的优化使该二极管在进一步减小材料的导通电阻的同时保持其较大的耐压能力，同时在掺杂Be或C的Al0.09Ga0.91As层上面增加了高浓度掺杂Be或C的GaAs层，能够有效减小欧姆接触电阻，从而减低二极管的插入损耗，能够有效提高二极管材料的射频性能。
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公开(公告)号：CN111244188A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010060088.1
申请日：2020-01-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/861 , H01L29/267 , H01L21/329
Abstract: 本申请提供一种异质结AlGaAs/GaAs二极管及其制备方法，该二极管包括衬底层、GaAs缓冲层、第一掺杂Si的GaAs层、第二掺杂Si的GaAs层、GaAs本征层、掺杂Be或C的Al0.09Ga0.91As层和掺杂Be或C的GaAs层；衬底层、GaAs缓冲层、高掺杂N+层、低掺杂N层、GaAs本征层、掺杂Be或C的Al0.09Ga0.91As层和掺杂Be或C的GaAs层依次层叠连接。本申请提供的异质结AlGaAs/GaAs二极管中，Al组分和GaAs本征层厚度的优化使该二极管在进一步减小材料的导通电阻的同时保持其较大的耐压能力，同时在掺杂Be或C的Al0.09Ga0.91As层上面增加了高浓度掺杂Be或C的GaAs层，能够有效减小欧姆接触电阻，从而减低二极管的插入损耗，能够有效提高二极管材料的射频性能。
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公开(公告)号：CN105244291A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201510552671.3
申请日：2015-09-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/56
CPC classification number: H01L21/56
Abstract: 本发明涉及一种用于三维集成的大厚度光敏BCB的涂覆方法，包括：在晶圆上，先旋涂一层光敏BCB，然后放在真空环境中静置；对第一层BCB进行曝光前热烘、曝光和固化；在第一层上旋涂第二层光敏BCB，并进行光刻、显影和固化；干法刻蚀去除部分BCB，刻蚀厚度为第一层BCB的厚度，即可。本发明有效解决了传统二次涂覆中两层BCB的通孔会出现无法顺畅衔接的技术问题。
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公开(公告)号：CN105204287A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201510612817.9
申请日：2015-09-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G03F1/68
Abstract: 本发明涉及一种用于光刻掩膜板制作过程的夹具，包括主体部分，所述主体部分呈矩形框架结构；所述主体部分的四个角的内侧设有支撑柱体，所述主体部分的周边设有多个槽口；所述主体部分的四个角上还设有用于安装提杆的螺纹孔。本发明可以使得掩膜板制作过程中的显影、刻蚀和去胶和掩膜板清洗更为方便。
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公开(公告)号：CN102800986A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201210272158.5
申请日：2012-08-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01Q15/00
Abstract: 本发明涉及一种基于电谐振的太赫兹双频带超材料，包括衬底和金属层单元，所述金属层单元上设有电磁谐振单元；所述电磁谐振单元包括两个开口谐振环和一个闭合环；所述闭合环位于两个开口谐振环之间；所述金属层单元以周期性阵列的方式铺设在所述衬底上。本发明结构简单，制作成本低，具有强谐振、宽频带、双频点的优点，可以有效地应用于各种要求宽带设计的太赫兹功能器件。
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