公开(公告)号：CN102800986B

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201210272158.5

申请日：2012-08-02

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 贺连星 ,  孙晓玮 ,  郭万易 ,  李彪 ,  滕腾 ,  孙浩 ,  张祁莲

IPC: H01Q15/00

Abstract: 本发明涉及一种基于电谐振的太赫兹双频带超材料，包括衬底和金属层单元，所述金属层单元上设有电磁谐振单元；所述电磁谐振单元包括两个开口谐振环和一个闭合环；所述闭合环位于两个开口谐振环之间；所述金属层单元以周期性阵列的方式铺设在所述衬底上。本发明结构简单，制作成本低，具有强谐振、宽频带、双频点的优点，可以有效地应用于各种要求宽带设计的太赫兹功能器件。

公开(公告)号：CN102800986A

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN201210272158.5

申请日：2012-08-02

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 贺连星 ,  孙晓玮 ,  郭万易 ,  李彪 ,  滕腾 ,  孙浩 ,  张祁莲

IPC: H01Q15/00

Abstract: 本发明涉及一种基于电谐振的太赫兹双频带超材料，包括衬底和金属层单元，所述金属层单元上设有电磁谐振单元；所述电磁谐振单元包括两个开口谐振环和一个闭合环；所述闭合环位于两个开口谐振环之间；所述金属层单元以周期性阵列的方式铺设在所述衬底上。本发明结构简单，制作成本低，具有强谐振、宽频带、双频点的优点，可以有效地应用于各种要求宽带设计的太赫兹功能器件。

公开(公告)号：CN102779846A

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN201110123487.9

申请日：2011-05-13

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 孙浩 ,  孙晓玮 ,  艾立鹍 ,  滕腾 ,  王伟 ,  李凌云 ,  钱蓉 ,  徐安怀 ,  齐鸣

IPC: H01L29/737 ,  H01L29/08 ,  H01L29/205

Abstract: 本发明提供一种双异质结双极晶体管结构，其依序包括：包含磷与铟的化合物构成的集电区层、基区层、及包含磷与铟的化合物半导体构成的发射区层，其中，所述基区层的材料包含多种都由铟、镓、砷及锑所组成的化合物，且每一种化合物包含的铟、镓、砷及锑组份与其他种化合物所包含的铟、镓、砷及锑都不相同，且每一种化合物中铟的组份与镓的组份比为∶（1-），砷的组份与锑的组份比为∶（1-），且所述基区层的能带结构从发射结处到集电结处由宽变窄，其中，，。该双异质结双极晶体管结构可以在降低发射结导带势垒、缓解阻挡电子注入问题的同时，在基区形成从发射结到集电结的内建电势差，有效减小电子在基区的渡越时间，有利于提高器件的频率特性。