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公开(公告)号：CN102800986B
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201210272158.5
申请日：2012-08-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01Q15/00
Abstract: 本发明涉及一种基于电谐振的太赫兹双频带超材料，包括衬底和金属层单元，所述金属层单元上设有电磁谐振单元；所述电磁谐振单元包括两个开口谐振环和一个闭合环；所述闭合环位于两个开口谐振环之间；所述金属层单元以周期性阵列的方式铺设在所述衬底上。本发明结构简单，制作成本低，具有强谐振、宽频带、双频点的优点，可以有效地应用于各种要求宽带设计的太赫兹功能器件。
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公开(公告)号：CN102820512B
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201210316834.4
申请日：2012-08-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及可用于实现太赫兹特异介质的三种电磁谐振单元结构及方法，其特征在于所述的单元结构为SR1、SR2和SR3中的任一种；其中，SR1由一个“工”字形封闭的金属环组成；SR2是在两个嵌套的闭合金属环之间加两个“T”形金属条组成；SR3将两个开口金属环用金属条相连，内环与相邻单元的外环相连。在砷化镓衬底上，按一定的尺寸分别周期性的排列本发明涉及的三种以金属金为材料的微米级电磁谐振单元，金属金和衬底之间连接采用肖特基接触，使得物质的性质由周期性排列的电磁谐振单元决定，当太赫兹电磁波垂直入射时，介质表现出负的介电常数或磁导率，从而得到三种可用于太赫兹波段的特异介质。从而成功的实现太赫兹特异介质，结构简单，制作成本低，具有宽频带的优点，可有效地应用于太赫兹功能器件的设计。
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公开(公告)号：CN102800986A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201210272158.5
申请日：2012-08-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01Q15/00
Abstract: 本发明涉及一种基于电谐振的太赫兹双频带超材料，包括衬底和金属层单元，所述金属层单元上设有电磁谐振单元；所述电磁谐振单元包括两个开口谐振环和一个闭合环；所述闭合环位于两个开口谐振环之间；所述金属层单元以周期性阵列的方式铺设在所述衬底上。本发明结构简单，制作成本低，具有强谐振、宽频带、双频点的优点，可以有效地应用于各种要求宽带设计的太赫兹功能器件。
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公开(公告)号：CN102820512A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201210316834.4
申请日：2012-08-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及可用于实现太赫兹特异介质的三种电磁谐振单元结构及方法，其特征在于所述的单元结构为SR1、SR2和SR3中的任一种；其中，SR1由一个“工”字型封闭的金属环组成；SR2是在两个嵌套的闭合金属环之间加两个“T”型金属条组成；SR3将两个开口金属环用金属条相连，内环与相邻单元的外环相连。在砷化镓衬底上，按一定的尺寸分别周期性的排列本发明涉及的三种以金属金为材料的微米级电磁谐振单元，金属金和衬底之间连接采用肖特基接触，使得物质的性质由周期性排列的电磁谐振单元决定，当太赫兹电磁波垂直入射时，介质表现出负的介电常数或磁导率，从而得到三种可用于太赫兹波段的特异介质。从而成功的实现太赫兹特异介质，结构简单，制作成本低，具有宽频带的优点，可有效地应用于太赫兹功能器件的设计。
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公开(公告)号：CN202949024U
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201220438872.2
申请日：2012-08-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本实用新型涉及可用于实现太赫兹特异介质的电磁谐振单元结构。其特征在于所述的第一种电磁谐振单元结构由一个“工”字形封闭的金属环组成；第二种电磁谐振单元结构是在两个嵌套的闭合金属环之间加两个“T”形金属条组成；第三种电磁谐振单元结构是将两个开口金属环用金属条相连，内环与相邻单元的外环相连。当太赫兹电磁波垂直入射时，介质表现出负的介电常数或磁导率，从而得到三种电磁谐振单元结构可实现太赫兹波段的特异介质，具有结构简单，制作成本低，并且具有宽频带的优点，可以有效地应用于太赫兹功能器件的设计。
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