公开(公告)号：CN111244188B

公开(公告)日：2022-04-01

申请号：CN202010060088.1

申请日：2020-01-19

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 孙浩 ,  刘莉 ,  李彩艳 ,  张祁莲 ,  高一强 ,  钱蓉 ,  孙晓玮

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/267 ,  H01L21/329

Abstract: 本申请提供一种异质结AlGaAs/GaAs二极管及其制备方法，该二极管包括衬底层、GaAs缓冲层、第一掺杂Si的GaAs层、第二掺杂Si的GaAs层、GaAs本征层、掺杂Be或C的Al0.09Ga0.91As层和掺杂Be或C的GaAs层；衬底层、GaAs缓冲层、高掺杂N+层、低掺杂N层、GaAs本征层、掺杂Be或C的Al0.09Ga0.91As层和掺杂Be或C的GaAs层依次层叠连接。本申请提供的异质结AlGaAs/GaAs二极管中，Al组分和GaAs本征层厚度的优化使该二极管在进一步减小材料的导通电阻的同时保持其较大的耐压能力，同时在掺杂Be或C的Al0.09Ga0.91As层上面增加了高浓度掺杂Be或C的GaAs层，能够有效减小欧姆接触电阻，从而减低二极管的插入损耗，能够有效提高二极管材料的射频性能。

公开(公告)号：CN111244188A

公开(公告)日：2020-06-05

申请号：CN202010060088.1

申请日：2020-01-19

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 孙浩 ,  刘莉 ,  李彩艳 ,  张祁莲 ,  高一强 ,  钱蓉 ,  孙晓玮

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/267 ,  H01L21/329

Abstract: 本申请提供一种异质结AlGaAs/GaAs二极管及其制备方法，该二极管包括衬底层、GaAs缓冲层、第一掺杂Si的GaAs层、第二掺杂Si的GaAs层、GaAs本征层、掺杂Be或C的Al0.09Ga0.91As层和掺杂Be或C的GaAs层；衬底层、GaAs缓冲层、高掺杂N+层、低掺杂N层、GaAs本征层、掺杂Be或C的Al0.09Ga0.91As层和掺杂Be或C的GaAs层依次层叠连接。本申请提供的异质结AlGaAs/GaAs二极管中，Al组分和GaAs本征层厚度的优化使该二极管在进一步减小材料的导通电阻的同时保持其较大的耐压能力，同时在掺杂Be或C的Al0.09Ga0.91As层上面增加了高浓度掺杂Be或C的GaAs层，能够有效减小欧姆接触电阻，从而减低二极管的插入损耗，能够有效提高二极管材料的射频性能。