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公开(公告)号：CN111244188B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202010060088.1
申请日：2020-01-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/861 , H01L29/267 , H01L21/329
Abstract: 本申请提供一种异质结AlGaAs/GaAs二极管及其制备方法，该二极管包括衬底层、GaAs缓冲层、第一掺杂Si的GaAs层、第二掺杂Si的GaAs层、GaAs本征层、掺杂Be或C的Al0.09Ga0.91As层和掺杂Be或C的GaAs层；衬底层、GaAs缓冲层、高掺杂N+层、低掺杂N层、GaAs本征层、掺杂Be或C的Al0.09Ga0.91As层和掺杂Be或C的GaAs层依次层叠连接。本申请提供的异质结AlGaAs/GaAs二极管中，Al组分和GaAs本征层厚度的优化使该二极管在进一步减小材料的导通电阻的同时保持其较大的耐压能力，同时在掺杂Be或C的Al0.09Ga0.91As层上面增加了高浓度掺杂Be或C的GaAs层，能够有效减小欧姆接触电阻，从而减低二极管的插入损耗，能够有效提高二极管材料的射频性能。
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公开(公告)号：CN111244188A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010060088.1
申请日：2020-01-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/861 , H01L29/267 , H01L21/329
Abstract: 本申请提供一种异质结AlGaAs/GaAs二极管及其制备方法，该二极管包括衬底层、GaAs缓冲层、第一掺杂Si的GaAs层、第二掺杂Si的GaAs层、GaAs本征层、掺杂Be或C的Al0.09Ga0.91As层和掺杂Be或C的GaAs层；衬底层、GaAs缓冲层、高掺杂N+层、低掺杂N层、GaAs本征层、掺杂Be或C的Al0.09Ga0.91As层和掺杂Be或C的GaAs层依次层叠连接。本申请提供的异质结AlGaAs/GaAs二极管中，Al组分和GaAs本征层厚度的优化使该二极管在进一步减小材料的导通电阻的同时保持其较大的耐压能力，同时在掺杂Be或C的Al0.09Ga0.91As层上面增加了高浓度掺杂Be或C的GaAs层，能够有效减小欧姆接触电阻，从而减低二极管的插入损耗，能够有效提高二极管材料的射频性能。
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公开(公告)号：CN111985555A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN202010834819.3
申请日：2020-08-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种毫米波三维全息图像去噪方法，包括：对目标进行毫米波扫描，获得原始三维全息图像；对原始三维全息图像进行高通滤波，获取前景图像；对前景图像各点的特征进行线性变换；对线性变换后各点的反射强度特征进行非线性变换；依据变换后的各特征对前景图像的各点进行K-means聚类，获取K-means聚类后的前景图像；依据聚类后的前景图像的各点，提取原始三维全息图像中的对应点，生成去噪后的图像；去除去噪后的图像中的离群点，得到最终图像。本发明兼顾各点空间位置特性和反射强度特性，可有效去除毫米波全息图像中的噪声，降低数据量；同时保证前景图像的连通性，完整地保持了目标的空间几何信息。
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公开(公告)号：CN111985555B
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN202010834819.3
申请日：2020-08-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种毫米波三维全息图像去噪方法，包括：对目标进行毫米波扫描，获得原始三维全息图像；对原始三维全息图像进行高通滤波，获取前景图像；对前景图像各点的特征进行线性变换；对线性变换后各点的反射强度特征进行非线性变换；依据变换后的各特征对前景图像的各点进行K‑means聚类，获取K‑means聚类后的前景图像；依据聚类后的前景图像的各点，提取原始三维全息图像中的对应点，生成去噪后的图像；去除去噪后的图像中的离群点，得到最终图像。本发明兼顾各点空间位置特性和反射强度特性，可有效去除毫米波全息图像中的噪声，降低数据量；同时保证前景图像的连通性，完整地保持了目标的空间几何信息。
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