-
公开(公告)号：CN118200963A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410296489.5
申请日：2024-03-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种集成无源器件射频缺陷定位方法，包括对待检验晶圆进行整晶圆射频参数测试获取晶圆测试结果，对晶圆测试结果进行去嵌，获取待检验晶圆中每个无源器件的S参数数据；从每个无源器件的S参数数据中提取预设频点的预设参数作为分析参数，对每种类型下每种尺寸无源器件的分析参数进行分析，获取无源器件中存在缺陷的器件类型及尺寸组合作为缺陷类型尺寸组合；通过对每个缺陷类型尺寸组合下的无源器件分析参数进行分析，获取每个缺陷类型尺寸组合下无源器件中的缺陷器件以及缺陷器件在待检验晶圆中的位置信息。本发明基于晶圆级测试数据中分析参数可视化统计分析方法，有效定位晶圆无源器件中的缺陷器件，实现良率统计与缺陷分析。
-
公开(公告)号：CN117807835A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202311845692.5
申请日：2023-12-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06F30/23 , G06F119/08
Abstract: 本发明提供一种多栅指GaN HEMT器件的静态热阻提取方法，该结合二维物理仿真、三维有限元热仿真和红外热成像测试，考虑了多栅指GaN HEMT器件沟道内不均匀的热耗散功率分布以及栅指间和栅指内的电热耦合效应，最终与红外热成像结果进行对比验证，得到了精确的多栅指GaN HEMT热模型。本发明还同时解决了红外热成像法仅能获取器件表面热分布且空间分辨率较低、二维电热仿真忽略沿垂直沟道方向热扩散、三维有限元热仿真忽略栅指间和栅指内电热耦合效应等问题，显著提高了多栅指GaN HEMT器件的静态热阻提取精度。
-
公开(公告)号：CN117352379A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311302461.X
申请日：2023-10-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/28
Abstract: 本发明涉及一种双T型栅的制备方法，采用光刻以及湿法刻蚀工艺就能实现亚微米尺寸的双T型栅的制造，降低了双T型栅的制备难度，采用盐酸溶液刻蚀也基本不会影响AlGaN表面的粗糙度；相较于传统T型栅，双T型栅的设计使得导体的表面积增加，有助于提高电流在导体表面的分布，降低电阻，从而降低损耗和增加传输效率，有效减少趋肤效应损耗。
-
公开(公告)号：CN113381779B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202110662180.X
申请日：2021-06-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海明垒实业有限公司
Abstract: 本发明提供一种超宽带接收机，包括：射频巴伦，将单端射频信号转换为差分射频信号；超宽带变频组件，基于预设频段的本振信号对差分射频信号进行变频并输出差分中频信号；中频巴伦，连接于超宽带变频组件的输出端，将差分中频信号转化为单端中频信号；中频信号处理模块，连接于中频巴伦的输出端，对单端中频信号进行信号处理。本发明可以有效的减小跨频段宽带接收机的体积，减小了搭建宽带接收机的设备量，减小宽带接收机的链路损耗以及功耗，且通过自动增益补偿的形式，大大提高了长期工作时的功率稳定度，从而具备了直接用于系统集成的特点，有效克服了现有技术的缺点。
-
公开(公告)号：CN113552540A
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202110976643.X
申请日：2021-08-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海明垒实业有限公司
IPC: G01S7/02
Abstract: 本发明提供一种三维集成微组装雷达前端模块，包括：载板层，设置有一埋置腔体；信号屏蔽层，设置于所述载板层表面；微波射频电路，设置于所述信号屏蔽层上，且位于所述埋置腔体内；第一层薄膜介质衬底，覆盖于所述信号屏蔽层及所述微波射频电路上；无源传输线，设置于所述第一层薄膜介质衬底上，并通过贯穿所述第一层薄膜介质衬底的通孔与所述微波射频电路电连接；第二层薄膜介质衬底，覆盖于所述无源传输线上；微带贴片天线，设置于所述第二层薄膜介质衬底上，并通过贯穿所述第二层薄膜介质衬底的通孔与所述无源传输线电连接。本发明能实现毫米波探测器收发组件前端模块的小型化与高度集成化。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104092473A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201410373596.X
申请日：2014-07-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种3mm波段接收机及其应用，其中，所述3mm波段接收机至少包括：接收天线，用于接收射频信号；低噪声放大器，用于将所述接收天线接收到的射频信号进行放大；本振信号源，用于产生本振信号；正交混频器，用于将所述低噪声放大器的输出信号和所述本振信号源产生的本振信号进行混频，产生并输出两路正交的中频信号；正交耦合器，用于将所述正交混频器的两路输出信号进行功率合成，产生并输出一路单边带信号；中频放大器，用于将所述正交耦合器输出的单边带信号进行放大。本发明可以大大降低成本和实现难度，同时改变正交混频器的I/Q输出端口和正交耦合器的两个输入端口的连接次序可以实现单边带输出，可以很好地抑制镜像信号。
-
公开(公告)号：CN104062620A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201410338806.1
申请日：2014-07-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R35/00
Abstract: 本发明提供一种功率校准测试系统，包括设定目标功率与目标频段的系统设置装置、连接于所述系统设置装置与功率传感器测量输出功率的功率计、连接于所述功率计产生微波信号的微波矢量网络分析仪、连接于所述微波矢量网络分析仪的倍频器、连接于所述倍频器的三端口定向耦合器、连接于所述微波矢量网络分析仪及所述三端口定向耦合器的谐波混频器。本发明通过实施闭环反馈回路，实现了对待测件输入端口参考面输入功率的实时闭环的监控和调整，可实现任何频段内的功率实时闭环功率校准和电路、器件的精确测量，大大提高了系统的通用型、有效性、一致性及精确性。
-
公开(公告)号：CN102323531A
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN201110139533.4
申请日：2011-05-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明公开了一种毫米波功率放大器的参数自动测试方法与测试系统，该系统包括：待测件毫米波激励信号功率控制单元与待测件毫米波激励信号发生单元相连，待测件毫米波激励信号检测单元与待测件毫米波激励信号功率控制单元相连，待测件的输入端与待测件毫米波激励信号检测单元相连，输出端与待测件输出信号检测单元相连；待测件直流信号供给单元与待测件相连，测试系统控制单元分别与待测件毫米波激励信号发生单元、待测件毫米波激励信号检测单元、待测件直流信号供给单元、和待测件输出信号检测单元控制相连。本发明实现了多个毫米波功率参数自动测试，克服了测试设备缺乏的困难，避免了手工测试效率低、精确度低、不确定因素多等缺点。
-
公开(公告)号：CN102307070A
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN201110139551.2
申请日：2011-05-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H04B17/00
Abstract: 本发明公开了一种毫米波段非接触式传输特性的自动测试系统与测试方法，该方法包括：初始化毫米波段非接触式传输特性的自动测试系统；校准毫米波段非接触式传输特性的自动测试系统，完成无待测件情况下的空间传输特性测试，获得校准状态下的测试信息；完成有待测件情况下的传输特性测试，获得测试状态下的测试信息；获得发射端与接收端在每一个频率值下对应的功率信息；将测试状态下获得的功率信息减去校准状态下获得的功率信息，显示出待测件传输特性的测试曲线。本发明实现了76GHz～77GHz传输特性参数的自动测试，克服了毫米波测试手段与测试设备缺乏的困难，避免了测试设备成本昂贵，体积庞大，不易实现自动控制等缺点。
-
公开(公告)号：CN119647167A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411655726.9
申请日：2024-11-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06F30/23 , G06T17/20 , G06F30/17 , G16C60/00 , G06F111/10 , G06F119/08 , G06F119/06 , G06F113/08
Abstract: 本发明涉及一种GaN HEMT射频器件动态热特性表征方法，包括：获取GaN HEMT射频器件的结构参数；根据所述GaN HEMT射频器件的结构参数建立三维有限元热模型；根据所述GaN HEMT射频器件的红外热成像测试结果对所述三维有限元热模型的材料参数进行调整；基于所述三维有限元热模型，在不同环境温度和耗散功率下进行仿真，获取所述GaN HEMT射频器件的热阻，得到热阻与环境温度和耗散功率的关系；基于热阻与环境温度和耗散功率的关系并结合所述GaN HEMT射频器件的瞬态脉冲电流响应，建立所述GaN HEMT射频器件Foster形式的的三阶RC热子网络模型。本发明能够迅速表征器件在不同工况下的瞬态热特性。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
55
records
(took 0.068 seconds)
