公开(公告)号：CN117807835A

公开(公告)日：2024-04-02

申请号：CN202311845692.5

申请日：2023-12-28

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 吴杨 ,  吴亮 ,  李根 ,  马灵美 ,  林昊锋

IPC: G06F30/23 ,  G06F119/08

Abstract: 本发明提供一种多栅指GaN HEMT器件的静态热阻提取方法，该结合二维物理仿真、三维有限元热仿真和红外热成像测试，考虑了多栅指GaN HEMT器件沟道内不均匀的热耗散功率分布以及栅指间和栅指内的电热耦合效应，最终与红外热成像结果进行对比验证，得到了精确的多栅指GaN HEMT热模型。本发明还同时解决了红外热成像法仅能获取器件表面热分布且空间分辨率较低、二维电热仿真忽略沿垂直沟道方向热扩散、三维有限元热仿真忽略栅指间和栅指内电热耦合效应等问题，显著提高了多栅指GaN HEMT器件的静态热阻提取精度。

公开(公告)号：CN117352379A

公开(公告)日：2024-01-05

申请号：CN202311302461.X

申请日：2023-10-10

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 李根 ,  吴亮 ,  吴杨 ,  马灵美 ,  林昊锋

IPC: H01L21/28

Abstract: 本发明涉及一种双T型栅的制备方法，采用光刻以及湿法刻蚀工艺就能实现亚微米尺寸的双T型栅的制造，降低了双T型栅的制备难度，采用盐酸溶液刻蚀也基本不会影响AlGaN表面的粗糙度；相较于传统T型栅，双T型栅的设计使得导体的表面积增加，有助于提高电流在导体表面的分布，降低电阻，从而降低损耗和增加传输效率，有效减少趋肤效应损耗。

公开(公告)号：CN117577678A

公开(公告)日：2024-02-20

申请号：CN202311302464.3

申请日：2023-10-10

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 李根 ,  吴亮 ,  吴杨 ,  马灵美 ,  林昊锋

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明涉及一种低关态漏电流GaN HEMT器件及其制备方法，包括：缓冲层(1)；位于所述缓冲层(1)之上的势垒层(2)；位于所述势垒层(2)上方两侧的漏极(3)和源极(4)；所述漏极(3)和源极(4)与所述势垒层(2)接触并形成欧姆接触区域；所述欧姆接触区域为阶梯型结构。本发明通过阶梯型结构保证了电流主要流经通道的良好接触，使得导通时输出特性基本不改变；通过扩展其他通路的长度来降低器件在关断状态下的漏电流，器件漏电流的减小可以提升器件的关断特性，优化其在数字电路应用中的性能。