公开(公告)号：CN117577678A

公开(公告)日：2024-02-20

申请号：CN202311302464.3

申请日：2023-10-10

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 李根 ,  吴亮 ,  吴杨 ,  马灵美 ,  林昊锋

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明涉及一种低关态漏电流GaN HEMT器件及其制备方法，包括：缓冲层(1)；位于所述缓冲层(1)之上的势垒层(2)；位于所述势垒层(2)上方两侧的漏极(3)和源极(4)；所述漏极(3)和源极(4)与所述势垒层(2)接触并形成欧姆接触区域；所述欧姆接触区域为阶梯型结构。本发明通过阶梯型结构保证了电流主要流经通道的良好接触，使得导通时输出特性基本不改变；通过扩展其他通路的长度来降低器件在关断状态下的漏电流，器件漏电流的减小可以提升器件的关断特性，优化其在数字电路应用中的性能。

公开(公告)号：CN116525658A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202310642924.0

申请日：2023-06-01

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 李敏 ,  龚谦 ,  吴亮 ,  钱蓉 ,  马灵美

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/08 ,  H01L29/66 ,  H01L29/778

Abstract: 本发明提供一种HEMT器件及其制备方法，HEMT器件包括：部分被去除的衬底层；位于所述衬底层上的外延层，外延层包括成核层，成核层与衬底层接触；源电极区和漏电极区位于外延层上方的两侧；漏电极区设置有图形化得到的空白区域，空白区域贯通外延层并延伸至衬底层被去除的部分。本发明通过衬底层的部分被去除，可以避免被去除部分的衬底层和成核层之间形成导电层，降低衬底层引入的寄生电阻，减少射频损耗；同时，利用在源漏电极区及其外延层中贯穿的空白区域，可以提高器件的散热能力，控制热效应；另外，设置衬底层为低阻硅衬底，避免高阻硅基GaN外延材料的弯曲问题，以扩展晶圆尺寸。

公开(公告)号：CN119129500A

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202411133016.X

申请日：2024-08-19

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 马灵美 ,  吴亮 ,  林昊锋 ,  吴杨 ,  钱蓉

IPC: G06F30/367 ,  G06F30/39 ,  G06F30/27 ,  G06N3/04

Abstract: 本发明涉及一种基于神经网络的射频螺旋电感可缩放模型构建方法和装置，其中，方法包括：获取不同螺旋电感的物理尺寸参数；对每个螺旋电感建立π型等效电路模型，并获取π型等效电路模型中每个元件的参数；将每个螺旋电感的物理尺寸参数和对应的π型等效电路模型中每个元件的参数作为一组数据，形成数据集，并将数据集分为训练集和测试集；构建神经网络模型，采用训练集对所述神经网络模型进行训练，得到螺旋电感的物理尺寸参数与π型等效电路模型中各个元件的参数的关系式；采用测试集对得到的关系式进行测试，并在测试通过后将得到的关系式带入模型文件，得到射频螺旋电感可缩放模型。本发明能够降低集总元件的参数获取难度，提高器件仿真效率。

公开(公告)号：CN118200963A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202410296489.5

申请日：2024-03-15

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 马灵美 ,  吴亮 ,  林昊锋 ,  吴杨 ,  钱蓉

IPC: H04W24/08 ,  H04Q1/20

Abstract: 本发明公开了一种集成无源器件射频缺陷定位方法，包括对待检验晶圆进行整晶圆射频参数测试获取晶圆测试结果，对晶圆测试结果进行去嵌，获取待检验晶圆中每个无源器件的S参数数据；从每个无源器件的S参数数据中提取预设频点的预设参数作为分析参数，对每种类型下每种尺寸无源器件的分析参数进行分析，获取无源器件中存在缺陷的器件类型及尺寸组合作为缺陷类型尺寸组合；通过对每个缺陷类型尺寸组合下的无源器件分析参数进行分析，获取每个缺陷类型尺寸组合下无源器件中的缺陷器件以及缺陷器件在待检验晶圆中的位置信息。本发明基于晶圆级测试数据中分析参数可视化统计分析方法，有效定位晶圆无源器件中的缺陷器件，实现良率统计与缺陷分析。

公开(公告)号：CN117807835A

公开(公告)日：2024-04-02

申请号：CN202311845692.5

申请日：2023-12-28

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 吴杨 ,  吴亮 ,  李根 ,  马灵美 ,  林昊锋

IPC: G06F30/23 ,  G06F119/08

Abstract: 本发明提供一种多栅指GaN HEMT器件的静态热阻提取方法，该结合二维物理仿真、三维有限元热仿真和红外热成像测试，考虑了多栅指GaN HEMT器件沟道内不均匀的热耗散功率分布以及栅指间和栅指内的电热耦合效应，最终与红外热成像结果进行对比验证，得到了精确的多栅指GaN HEMT热模型。本发明还同时解决了红外热成像法仅能获取器件表面热分布且空间分辨率较低、二维电热仿真忽略沿垂直沟道方向热扩散、三维有限元热仿真忽略栅指间和栅指内电热耦合效应等问题，显著提高了多栅指GaN HEMT器件的静态热阻提取精度。

公开(公告)号：CN117352379A

公开(公告)日：2024-01-05

申请号：CN202311302461.X

申请日：2023-10-10

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 李根 ,  吴亮 ,  吴杨 ,  马灵美 ,  林昊锋

IPC: H01L21/28

Abstract: 本发明涉及一种双T型栅的制备方法，采用光刻以及湿法刻蚀工艺就能实现亚微米尺寸的双T型栅的制造，降低了双T型栅的制备难度，采用盐酸溶液刻蚀也基本不会影响AlGaN表面的粗糙度；相较于传统T型栅，双T型栅的设计使得导体的表面积增加，有助于提高电流在导体表面的分布，降低电阻，从而降低损耗和增加传输效率，有效减少趋肤效应损耗。