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发明公开
一种HEMT器件及其制备方法审中-实审

公开(公告)号：CN116525658A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202310642924.0

申请日：2023-06-01

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 李敏 , 龚谦 , 吴亮 , 钱蓉 , 马灵美

IPC: H01L29/10 , H01L29/08 , H01L29/66 , H01L29/778

Abstract: 本发明提供一种HEMT器件及其制备方法，HEMT器件包括：部分被去除的衬底层；位于所述衬底层上的外延层，外延层包括成核层，成核层与衬底层接触；源电极区和漏电极区位于外延层上方的两侧；漏电极区设置有图形化得到的空白区域，空白区域贯通外延层并延伸至衬底层被去除的部分。本发明通过衬底层的部分被去除，可以避免被去除部分的衬底层和成核层之间形成导电层，降低衬底层引入的寄生电阻，减少射频损耗；同时，利用在源漏电极区及其外延层中贯穿的空白区域，可以提高器件的散热能力，控制热效应；另外，设置衬底层为低阻硅衬底，避免高阻硅基GaN外延材料的弯曲问题，以扩展晶圆尺寸。

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