本发明提供一种HEMT器件及其制备方法，HEMT器件包括：部分被去除的衬底层；位于所述衬底层上的外延层，外延层包括成核层，成核层与衬底层接触；源电极区和漏电极区位于外延层上方的两侧；漏电极区设置有图形化得到的空白区域，空白区域贯通外延层并延伸至衬底层被去除的部分。本发明通过衬底层的部分被去除，可以避免被去除部分的衬底层和成核层之间形成导电层，降低衬底层引入的寄生电阻，减少射频损耗；同时，利用在源漏电极区及其外延层中贯穿的空白区域，可以提高器件的散热能力，控制热效应；另外，设置衬底层为低阻硅衬底，避免高阻硅基GaN外延材料的弯曲问题，以扩展晶圆尺寸。