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公开(公告)号：CN116047960B
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202211703996.3
申请日：2022-12-28
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： G05B19/042
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公开(公告)号：CN118943757A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411057066.4
申请日：2024-08-02
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要： 本发明涉及一种电磁超表面，包括沿电磁波入射方向依次排列的第一导体层、中间介质层以及第二导体层，所述第一导体层包括谐振器，所述谐振器包括一个C型开口环和两个L型导体条，所述C型开口环的中心点位于所述中间介质层的中心，两个所述L型导体条关于所述C型开口环的中心点中心对称。本发明设计尺寸小，结构简单，易于加工，且工作频段宽，极化转换率高。
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公开(公告)号：CN116073845B
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202310007438.1
申请日：2023-01-04
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要： 本发明提供一种UCA收发阵列，其发射UCA和接收UCA的每个天线阵元均以指向平行于UCA所在平面的初始方向为旋转起点、以该天线阵元所在的垂直于UCA所在平面的方向为旋转轴，根据该天线阵元相对于其对应的UCA的中心轴线的方位角进行逆时针旋转来得到其实际的排布方向；所述发射UCA的所有天线阵元的初始方向为共同的第一方向，接收UCA的所有天线阵元的初始方向为共同的第二方向。本发明还提供相应的UCA收发阵列的排布与通信方法。本发明的UCA收发阵列采用UCARAA作为OAM通信的收发天线阵列，以提高OAM通信性能，并且采用圆极化阵元构成，且其排布与通信方法结合相位补偿方法，进一步实现高性能OAM通信。
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公开(公告)号：CN111938635B
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202010795040.5
申请日：2020-08-10
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要： 本申请提供一种脑电极后端连接用凸点、测试板的制备方法及测试结构，该脑电极后端连接用凸点的制备方法包括以下步骤：在脑电极上制备凸点下金属层；凸点下金属层为镍金属层；在凸点下金属层上旋涂一层正性光刻胶；对正性光刻胶进行曝光、显影，暴露出凸点窗口区域；在凸点窗口区域电镀铜层；在铜层上电镀铅锡合金层，铅锡合金层能够覆盖凸点窗口区域；去除正性光刻胶，对凸点下金属层进行干法刻蚀处理，获得蘑菇状焊料柱；通过保护回流，获得球形凸点。本申请根据柔性脑电极的焊盘材质的特性提供的脑电极后端连接用凸点的制备方法，使脑电极可以在较低温度下实现热压互联，避免对器件的损坏。
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公开(公告)号：CN118860057A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410886093.6
申请日：2024-07-03
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： G05F3/08
摘要： 本发明提供一种超导偏置电路及超导电路系统，其中，超导偏置电路包括电流传递模块及电流互感模块；电流传递模块包括n个传递单元，串联于基准电流源和参考地之间，用于接收基准电流并进行传递；电流互感模块包括n个互感单元，分别与n个传递单元一一对应并构成n个偏置组，互感单元基于互感耦合将基准电流转换为偏置电流；其中，n为大于或等于1的自然数。通过本发明提供的超导偏置电路及超导电路系统，解决了现有基于电压源及偏置电阻提供偏置电流的技术方案存在高损耗的问题。
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公开(公告)号：CN118859391A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410851401.1
申请日：2024-06-28
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要： 本发明涉及一种太赫兹反射式闪耀光栅结构，采用沿刻槽面入射的入射方式，包括自上而下的入射区域、光栅区域和透射区域，所述光栅区域包括衬底，所述衬底上设置有锯齿状且周期性重复的波导结构；所述入射区域与透射区域的折射率相同，所述光栅区域中光栅脊的折射率与光栅槽的折射率不同。本发明实现了多模激光的模式分辨。
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公开(公告)号：CN114965833B
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202210604091.4
申请日：2022-05-30
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要： 本发明提供一种微沟道横截面为圆角矩形的玻璃基微色谱柱，在玻璃基底中的微沟道横截面呈圆角矩形结构，这种微沟道具有均匀的“准零流速区”，可使得微色谱柱的固定相涂覆均匀，获得对称度较高的色谱峰，从而更加适合精确定性定量检测；采用飞秒激光或超快激光对预设深度处的玻璃基底进行激光改性并辅助化学湿法刻蚀，可直接在玻璃基底预设深度处制备微沟道，无需采用光刻、DRIE及键合工艺，制备工艺步骤简单，且玻璃本身成本低，可大大降低制造成本，更适合批量生产。
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公开(公告)号：CN118191066B
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410605815.6
申请日：2024-05-16
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： G01N27/414 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
摘要： 本发明属于传感器技术领域，包括一种双栅硅纳米线晶体管传感器及制作方法，在SOI硅片上利用各向异性湿法腐蚀技术在顶硅层中制作出凹槽以及位于凹槽底部的硅纳米线结构，然后在硅纳米线上方制作正栅介质层及正栅电极，并通过刻蚀窗口连通至SOI硅片的底硅层制作出背栅电极，形成在凹槽底部的双栅硅纳米线晶体管传感器，当待测物质改变正栅介质层表面电势时，硅纳米线导电通道的电流会随之变化，实现待测物检测。本发明采用全集成双栅结构能够有效提升电流调控能力，提高器件的灵敏度和信噪比，且器件的主要工作结构位于凹槽底部，能有效降低传感器检测时的流速干扰，便于液体环境检测；且制作工艺兼容CMOS工艺，适合大规模、批量化生产。
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公开(公告)号：CN116217583B
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202310004509.2
申请日：2023-01-03
申请人： 上海前瞻创新研究院有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： C07D491/20 , C09K11/06 , G01N21/64
摘要： 本发明涉及光学传感成像检测技术领域，具体涉及一种萘酰亚胺修饰荧烷及其制备方法及应用。一种萘酰亚胺修饰荧烷，具有如式I所示的通式：#imgabs0#其中，R1和R2各自独立地选自C1‑C2的烷基，R3为C1‑C4的烷基。该萘酰亚胺修饰荧烷的制备方法：将式I‑1化合物与式I‑2化合物反应，获得所述萘酰亚胺修饰荧烷。本发明中的萘酰亚胺修饰荧烷用于制备汞离子探针，能够实现对汞离子的高选择、高灵敏性、原位、实时、比率响应，且检测限可达到10‑9M的数量级。
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公开(公告)号：CN115014538B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202210579632.2
申请日：2022-05-26
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要： 本发明涉及一种基于热释电红外探测器对点源信号目标的检测方法，包括：步骤(1)：获取热释电红外探测器实时检测到的红外信号波形，当红外信号波形满足预设条件时，提取红外信号波形的特征数据；步骤(2)：根据所述红外信号波形的特征数据判断出红外信号波形中的异常波和/或正常波；其中，所述异常波由点源信号目标产生；步骤(3)：当红外信号波形中存在异常波时，则判断异常波是否由同一点源信号目标产生；步骤(4)：判断由同一点源信号目标产生的异常波是否结束；步骤(5)：判断点源信号目标的具体对象。本发明能够有效检测出点源信号目标，并且计算量较小。
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