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公开(公告)号：CN102593718A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210048679.2
申请日：2012-02-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种中红外激光器的制备方法，包括以下步骤：制备氧化硅光栅层：利用等离子体增强化学气相沉积法在器件表面生长一层氮化硅薄膜；利用全息曝光的方法在氮化硅薄膜上制备全息光栅掩膜；采用反应离子刻蚀的方法将光栅图形转移到氮化硅膜上，形成了一层氮化硅的光栅掩膜；在有台面的位置上制备反馈光栅：选择和台面结构相似的光刻版图，在氮化硅的光栅掩膜上制备光刻胶掩膜图形，并在氮化硅的光栅掩膜上制备光栅刻蚀窗口；利用氮化硅和光刻胶双层掩膜，通过ICP刻蚀的方法在器件表面制备光栅，使得光栅完全覆盖在器件所要制备台面的位置上；制备激光器台面。本发明使得分布反馈激光器的性能有所提高。
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公开(公告)号：CN102540475B
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201210049218.7
申请日：2012-02-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02B27/09
Abstract: 本发明涉及一种用于中红外分布反馈光栅制备的全息曝光光路调整方法，包括以下步骤：通过两个高反镜调整全息曝光系统的入射激光的光路，使入射激光进入全息曝光系统；通过一个反射镜确定入射激光器在曝光平台另一侧的入射点和入射角度，利用反射镜确定的入射点和入射角度作为参考，调整空间滤波器和准直透镜，得到一束扩束的平行光；调整置片台，通过置片台的安装，使扩束后的平行光分为两束相干、平行的光束，两光束在置片台上通过干涉形成明暗相间的条纹。本发明能够减小中红外单模激光器制备工艺的复杂性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103078009B
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201310013303.2
申请日：2013-01-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种光电探测器芯片制作方法，采用湿法刻蚀隔离成型工艺取代现有的化合物半导体光电探测器芯片加工中干法刻蚀隔离成型工艺；采用以双苯基环丁烯钝化工艺取代现有的化合物半导体光电光电探测器芯片加工中化学气相沉积钝化工艺。本发明旨在最大限度地降低光电探测器制作中由于加工工艺引入的附加暗电流。
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公开(公告)号：CN102593718B
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201210048679.2
申请日：2012-02-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种中红外激光器的制备方法，包括以下步骤：制备氧化硅光栅层：利用等离子体增强化学气相沉积法在器件表面生长一层氮化硅薄膜；利用全息曝光的方法在氮化硅薄膜上制备全息光栅掩膜；采用反应离子刻蚀的方法将光栅图形转移到氮化硅膜上，形成了一层氮化硅的光栅掩膜；在有台面的位置上制备反馈光栅：选择和台面结构相似的光刻版图，在氮化硅的光栅掩膜上制备光刻胶掩膜图形，并在氮化硅的光栅掩膜上制备光栅刻蚀窗口；利用氮化硅和光刻胶双层掩膜，通过ICP刻蚀的方法在器件表面制备光栅，使得光栅完全覆盖在器件所要制备台面的位置上；制备激光器台面。本发明使得分布反馈激光器的性能有所提高。
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公开(公告)号：CN102645443A
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201210086690.8
申请日：2012-03-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N23/22
Abstract: 本发明涉及一种光伏探测材料缺陷与器件性能关联性的系统表征方法，包括以下步骤：根据光伏探测材料的种类和特性设计测试芯片和进行制样封装构成测试样品；对所述测试样品的光电特性进行测量表征；在同一测试样品上用电子束感生电流/扫描电镜或阴极荧光/扫描电镜组合的方法进行性能相关缺陷的测量表征和统计分析；根据上述步骤得到的直接相关的测试表征结果，据此对材料缺陷与器件性能关联性进行系统表征。本发明可以避免材料制成器件后的性能与测得的材料缺陷之间的关联性存在的不确定性和随机性的问题。
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公开(公告)号：CN103078009A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201310013303.2
申请日：2013-01-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种光电探测器芯片制作方法，采用湿法刻蚀隔离成型工艺取代现有的化合物半导体光电探测器芯片加工中干法刻蚀隔离成型工艺；采用以双苯基环丁烯钝化工艺取代现有的化合物半导体光电光电探测器芯片加工中化学气相沉积钝化工艺。本发明旨在最大限度地降低光电探测器制作中由于加工工艺引入的附加暗电流。
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公开(公告)号：CN102540475A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210049218.7
申请日：2012-02-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种用于中红外分布反馈光栅制备的全息曝光光路调整方法，包括以下步骤：通过两个高反镜调整全息曝光系统的入射激光的光路，使入射激光进入全息曝光系统；通过一个反射镜确定入射激光器在曝光平台另一侧的入射点和入射角度，利用反射镜确定的入射点和入射角度作为参考，调整空间滤波器和准直透镜，得到一束扩束的平行光；调整置片台，通过置片台的安装，使扩束后的平行光分为两束相干、平行的光束，两光束在置片台上通过干涉形成明暗相间的条纹。本发明能够减小中红外单模激光器制备工艺的复杂性。
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