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公开(公告)号：CN105609582A
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201510867591.7
申请日：2015-12-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/10 , H01L31/0304 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/10 , H01L31/03042 , H01L31/035209 , H01L31/184
Abstract: 本发明涉及一种结合带间和价带子带间吸收的稀铋量子阱探测器及制备方法，探测器以稀铋多量子阱作为吸收层，其中势阱层为p型稀铋III-V族材料，势垒层为不掺杂的不含铋III-V族材料。制备方法包括依次在衬底上生长p型高掺杂不含铋III-V族缓冲层、稀铋多量子阱结构吸收层以及p型高掺杂不含铋III-V族材料上接触层。本发明的探测器可以同时利用带间吸收和价带子带间吸收，增强对光的吸收，也可在太阳电池等利用光吸收的器件中进行应用，具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN105449017A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201510947270.8
申请日：2015-12-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/0248 , H01L31/0304 , H01L31/0352
CPC classification number: H01L31/03046 , H01L31/0248 , H01L31/035236
Abstract: 本发明涉及一种用于实现InGaAs光吸收波长扩展的材料结构，在InP衬底上采用周期性InxGa1-xAs多量子阱耦合超晶格结构，每个超晶格周期包含有一个量子阱层和一个势垒层，采用厚度为a的InxGa1-xAs、0.53
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公开(公告)号：CN103078009B
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201310013303.2
申请日：2013-01-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种光电探测器芯片制作方法，采用湿法刻蚀隔离成型工艺取代现有的化合物半导体光电探测器芯片加工中干法刻蚀隔离成型工艺；采用以双苯基环丁烯钝化工艺取代现有的化合物半导体光电光电探测器芯片加工中化学气相沉积钝化工艺。本发明旨在最大限度地降低光电探测器制作中由于加工工艺引入的附加暗电流。
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公开(公告)号：CN104073876A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201410246865.6
申请日：2014-06-05
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C30B25/18
Abstract: 本发明涉及一种提高异质材料界面质量的分子束外延生长方法，在分子束外延生长异质材料时，先关闭生长前一层材料所需的所有快门，经过t秒后再打开生长后一层材料所需的所有快门，即可；其中，0
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公开(公告)号：CN103779457A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201410052172.3
申请日：2014-02-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: H01L33/305 , C23C16/301 , C23C16/44 , H01L21/02392 , H01L21/02543 , H01L21/02581
Abstract: 本发明公开了一种可获得极宽短波红外发光谱的半导体材料及其制备方法，通过在生长磷化铟（InP）材料时加入少量铋（Bi）元素形成全新的InPBi材料，获得室温下短波红外区域光致发光谱波长覆盖范围极宽的材料。比如当Bi的元素百分含量为1.1％时，其室温光致发光谱的波长覆盖范围可以达到1.3-2.7μm，半峰宽达到650nm。本发明报道的InPBi单晶材料为世界上首次成功合成。此InPBi红外光源材料可采用常规分子束外延、金属有机物化学气相沉积等多种方法进行生长，结构和操作工艺简单，易于控制。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101976696B
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201010292223.1
申请日：2010-09-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/10 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种用于拓展In0.53Ga0.47As探测器及其阵列短波响应的材料体系及其制备，采用禁带宽度大于In0.53Ga0.47As吸收层材料且大于常规InP的含铝砷化物材料作为上下接触层材料体系实现拓展In0.53Ga0.47As探测器及其阵列短波响应。本发明采用宽禁带透明上接触层和下接触层材料体系，可以减小表面复合并提高量子效率，可利用分子束外延方法或金属有机物气相外延方法无需As/P切换而不间断生长，有利于在生长过程中保持平整的表面态，保证材料的高质量生长，可降低器件噪声，具有很好的通用性。
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公开(公告)号：CN102151367B
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201110118258.8
申请日：2011-05-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: A61N5/06
Abstract: 本发明涉及一种微型宽脉冲双波长光感基因刺激装置，包括小规模集成电路、半导体发光器件和开关型驱动电路，所述的小规模集成电路分别与2个大范围独立调节脉冲参数的可调电阻，切换开关和电接口相连，所述的电接口用于监控脉冲波形和参数，所述的切换开关的两端分别连有开关型驱动电路，所述的两个开关型驱动电路分别连有一个半导体发光器件，驱动半导体发光器件发出的两种波长的光脉冲分别经由光纤耦合至光输出接口输出或直接由光纤输出，所述的小规模集成电路通过微型稳压模块与电源相连。本发明既适用于发光二极管LED，也适用于激光二极管LD，还可应用于激光二极管泵浦的固体或光纤激光器，具有很好的普适性和通用性，可以用相当灵活的方式实现。
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公开(公告)号：CN102645443A
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201210086690.8
申请日：2012-03-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N23/22
Abstract: 本发明涉及一种光伏探测材料缺陷与器件性能关联性的系统表征方法，包括以下步骤：根据光伏探测材料的种类和特性设计测试芯片和进行制样封装构成测试样品；对所述测试样品的光电特性进行测量表征；在同一测试样品上用电子束感生电流/扫描电镜或阴极荧光/扫描电镜组合的方法进行性能相关缺陷的测量表征和统计分析；根据上述步骤得到的直接相关的测试表征结果，据此对材料缺陷与器件性能关联性进行系统表征。本发明可以避免材料制成器件后的性能与测得的材料缺陷之间的关联性存在的不确定性和随机性的问题。
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公开(公告)号：CN102226295A
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：CN201110126889.4
申请日：2011-05-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种四元化合物分子束外延组分控制参数设计的方法，包括：(1)利用标定生长试验获得四元化合物材料组分与束源束流强度的关系式；(2)根据组分与束源束流强度的关系来设计生长所需组分材料的生长参数。本发明为分子束外延生长四元化合物半导体的组分调节提供了依据，方便地设计生长参数，实现对包含三种同族元素的四元化合物半导体组分的精确控制，提高新组分外延材料生长的效率。本发明适合于不同的材料体系，具有很好的通用性。
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公开(公告)号：CN101936903A
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN201010262884.X
申请日：2010-08-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种采用双调制方案提高光荧光测试灵敏度的测试系统，引入了第二重调制，包括激光器、光路部件、傅立叶变换光谱仪、锁相放大器。光路部件包括反射镜、透镜和抛物面镜，构成测试光路；激光器具有内部调制功能，其激发的调制激光经过反射镜转换方向后由透镜聚焦照射在被测样品上，被测样品产生的光荧光通过抛物面镜收集转向准直后以宽光束形式送至傅立叶变换光谱仪。锁相放大器的信号输入端与傅立叶变换仪中的前置放大器相连，信号参考输入端与激光器的脉冲发生器相连，输出端与傅立叶变换光谱仪中的电子学系统相连。本发明选择合适的光激发激光器并对其进行调制，同时在信号检测中增加锁相放大和解调，以此提高光荧光测试的灵敏度。
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