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公开(公告)号：CN109786510B
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN201910180996.1
申请日：2019-03-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/077
Abstract: 本发明涉及一种四元探测器的制备方法，包括提供外延片；以光刻胶为掩膜对外延片进行光刻，获得台面；采用直流反应磁控溅射的方法在台面上淀积氮化铝绝缘接触层，采用电感耦合等离子体化学气相沉积的方法在氮化铝绝缘接触层上淀积氮化硅钝化加固层，从而得到氮化铝和氮化硅双层薄膜；在氮化铝和氮化硅双层薄膜和台面上开刻电极窗口；在电极窗口中制作P型金属电极和N型金属电极，从而得到铟镓砷铋四元探测器。本发明还提供由上述的制备方法得到的铟镓砷铋四元探测器。本发明的氮化铝和氮化硅双层薄膜有效覆盖凸台的侧表面，提升绝缘钝化性能，降低了过渡到凸台的台阶处的漏电流的产生，进而大大提升了探测器的响应率和可靠性。
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公开(公告)号：CN106601839B
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201611153882.0
申请日：2016-12-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L21/02
Abstract: 本发明涉及一种啁啾数字递变结构的低缺陷异变缓冲层，所述缓冲层包含N个层厚相同的周期性过渡层，每个周期内均包含A、B两层材料，且A、B材料的厚度比从N:1依次递变到1:N。本发明利用啁啾数字递变的周期性界面对位错缺陷传递的阻挡效应，实现异变缓冲层表面附近缺陷密度的显著降低，材料结晶质量显著提高，且具有可同时实现晶格和能带双过渡的功能；有望广泛应用于提升Si、GaAs、InP、GaSb等衬底上的异质失配结构激光器、探测器的器件性能。
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公开(公告)号：CN106299015A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610847176.X
申请日：2016-09-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/107 , H01L31/0352
CPC classification number: H01L31/107 , H01L31/0352 , H01L31/035218
Abstract: 本发明涉及一种采用低维量子点倍增层的半导体雪崩光电探测器，在半导体雪崩光电探测器的倍增层中包含有若干层量子点层，所述量子点层具有比倍增层更窄的禁带宽度，且与倍增层材料形成I型能带结构。本发明增益系数显著提升、过剩噪声得到抑制，可广泛应用于增强Si-Ge、GaAs-InAs、InP-InGaAs、InAlAs-InGaAs、GaAs-AlSb等不同波段的雪崩探测器性能，提升高速光通讯、单光子计数、激光雷达、量子信息等雪崩探测器系统的应用水平。
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公开(公告)号：CN105449017A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201510947270.8
申请日：2015-12-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/0248 , H01L31/0304 , H01L31/0352
CPC classification number: H01L31/03046 , H01L31/0248 , H01L31/035236
Abstract: 本发明涉及一种用于实现InGaAs光吸收波长扩展的材料结构，在InP衬底上采用周期性InxGa1-xAs多量子阱耦合超晶格结构，每个超晶格周期包含有一个量子阱层和一个势垒层，采用厚度为a的InxGa1-xAs、0.53
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公开(公告)号：CN104538484B
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201410729324.9
申请日：2014-12-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/107 , H01L31/0232 , H01L31/0352
Abstract: 本发明涉及一种波长扩展型InGaAs雪崩光电二极管的外延结构，所述外延结构采用与衬底晶格匹配的P‑型In0.52Al0.48As材料作为电子倍增层，失配的P‑型InxGa1‑xAs材料作为光吸收层，且采用能带递变和组分递变双过渡层；其中，0.53
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106601839A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201611153882.0
申请日：2016-12-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L21/02
CPC classification number: H01L31/035263 , H01L21/02392 , H01L21/02463 , H01L21/02507 , H01L21/02546
Abstract: 本发明涉及一种啁啾数字递变结构的低缺陷异变缓冲层，所述缓冲层包含N个层厚相同的周期性过渡层，每个周期内均包含A、B两层材料，且A、B材料的厚度比从N:1依次递变到1:N。本发明利用啁啾数字递变的周期性界面对位错缺陷传递的阻挡效应，实现异变缓冲层表面附近缺陷密度的显著降低，材料结晶质量显著提高，且具有可同时实现晶格和能带双过渡的功能；有望广泛应用于提升Si、GaAs、InP、GaSb等衬底上的异质失配结构激光器、探测器的器件性能。
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公开(公告)号：CN105609585A
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201510952593.6
申请日：2015-12-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/1844 , H01L21/02392 , H01L21/02461 , H01L21/02463 , H01L21/02499 , H01L21/02505 , H01L21/0251 , H01L21/02543 , H01L21/02546 , H01L21/02631
Abstract: 本发明涉及一种组分递变过渡层的气态源分子束外延材料生长方法，包括：采用气态源分子束外延生长方法生长异质结一侧或双侧材料中含有两种或以上V族元素的组分递变过渡层，用两个或以上气态源进行生长，III族束源为固态，束流由快门切换实现控制；V族束源为气态，由压力或流量调节V族束流强度或V-III比，获得组分递变过渡层。用本发明的材料生长方法获得的过渡层可以有效地缓解异质结器件中异质界面处的能带尖峰或晶格和组分突变对器件性能带来的负面效应，从而有利于提高器件性能或发展新型器件。
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公开(公告)号：CN104538484A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201410729324.9
申请日：2014-12-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/107 , H01L31/0232 , H01L31/0352
CPC classification number: H01L31/1075 , H01L31/03046 , H01L31/035272
Abstract: 本发明涉及一种波长扩展型InGaAs雪崩光电二极管的外延结构，所述外延结构采用与衬底晶格匹配的P-型In0.52Al0.48As材料作为电子倍增层，失配的P-型InxGa1-xAs材料作为光吸收层，且采用能带递变和组分递变双过渡层；其中，0.53
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公开(公告)号：CN105449017B
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201510947270.8
申请日：2015-12-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/0248 , H01L31/0304 , H01L31/0352
Abstract: 本发明涉及一种用于实现InGaAs光吸收波长扩展的材料结构，在InP衬底上采用周期性InxGa1‑xAs多量子阱耦合超晶格结构，每个超晶格周期包含有一个量子阱层和一个势垒层，采用厚度为a的InxGa1‑xAs、0.53
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公开(公告)号：CN109786510A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201910180996.1
申请日：2019-03-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/077
Abstract: 本发明涉及一种四元探测器的制备方法，包括提供外延片；以光刻胶为掩膜对外延片进行光刻，获得台面；采用直流反应磁控溅射的方法在台面上淀积氮化铝绝缘接触层，采用电感耦合等离子体化学气相沉积的方法在氮化铝绝缘接触层上淀积氮化硅钝化加固层，从而得到氮化铝和氮化硅双层薄膜；在氮化铝和氮化硅双层薄膜和台面上开刻电极窗口；在电极窗口中制作P型金属电极和N型金属电极，从而得到铟镓砷铋四元探测器。本发明还提供由上述的制备方法得到的铟镓砷铋四元探测器。本发明的氮化铝和氮化硅双层薄膜有效覆盖凸台的侧表面，提升绝缘钝化性能，降低了过渡到凸台的台阶处的漏电流的产生，进而大大提升了探测器的响应率和可靠性。
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