公开(公告)号：CN102540475A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201210049218.7

申请日：2012-02-28

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 李耀耀 ,  李爱珍 ,  张永刚 ,  丁惠凤 ,  李好斯白音 ,  曹远迎

IPC: G02B27/09 ,  G02B26/08 ,  G02B27/46

Abstract: 本发明涉及一种用于中红外分布反馈光栅制备的全息曝光光路调整方法，包括以下步骤：通过两个高反镜调整全息曝光系统的入射激光的光路，使入射激光进入全息曝光系统；通过一个反射镜确定入射激光器在曝光平台另一侧的入射点和入射角度，利用反射镜确定的入射点和入射角度作为参考，调整空间滤波器和准直透镜，得到一束扩束的平行光；调整置片台，通过置片台的安装，使扩束后的平行光分为两束相干、平行的光束，两光束在置片台上通过干涉形成明暗相间的条纹。本发明能够减小中红外单模激光器制备工艺的复杂性。

公开(公告)号：CN102540475B

公开(公告)日：2014-10-22

申请号：CN201210049218.7

申请日：2012-02-28

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 李耀耀 ,  李爱珍 ,  张永刚 ,  丁惠凤 ,  李好斯白音 ,  曹远迎

IPC: G02B27/09

Abstract: 本发明涉及一种用于中红外分布反馈光栅制备的全息曝光光路调整方法，包括以下步骤：通过两个高反镜调整全息曝光系统的入射激光的光路，使入射激光进入全息曝光系统；通过一个反射镜确定入射激光器在曝光平台另一侧的入射点和入射角度，利用反射镜确定的入射点和入射角度作为参考，调整空间滤波器和准直透镜，得到一束扩束的平行光；调整置片台，通过置片台的安装，使扩束后的平行光分为两束相干、平行的光束，两光束在置片台上通过干涉形成明暗相间的条纹。本发明能够减小中红外单模激光器制备工艺的复杂性。

公开(公告)号：CN102260870B

公开(公告)日：2013-11-06

申请号：CN201110198078.5

申请日：2011-07-15

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 曹远迎 ,  李耀耀 ,  张永刚 ,  顾溢 ,  王凯

IPC: C23F1/02 ,  C30B33/10 ,  H01L21/308 ,  H01L21/467 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明涉及一种亚微米尺寸二维介质柱型光子晶体的制备方法，包括：等离子增强化学气相沉积(PECVD)淀积Si3N4、旋转涂胶、软烘、垂直交叉曝光、曝光后烘焙、分步显影、反应离子刻蚀法(RIE)刻蚀Si3N4、去除光刻胶、电感耦合等离子体刻蚀法(ICP)刻蚀衬底材料、去除Si3N4。本发明弥补了全息干涉难以利用正性光刻胶制得二维介质柱型光子晶体的不足，与电子束曝光等方法相比，具有操作简单、价格低廉、控制精确，且能大面积制备等优点，能够很好的满足了制备亚微米尺寸二维介质型光子晶体的需要，具有良好的应用前景。

公开(公告)号：CN102260870A

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：CN201110198078.5

申请日：2011-07-15

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 曹远迎 ,  李耀耀 ,  张永刚 ,  顾溢 ,  王凯

IPC: C23F1/02 ,  C30B33/10 ,  H01L21/308 ,  H01L21/467 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明涉及一种亚微米尺寸二维介质柱型光子晶体的制备方法，包括：等离子增强化学气相沉积(PECVD)淀积Si3N4、旋转涂胶、软烘、垂直交叉曝光、曝光后烘焙、分步显影、反应离子刻蚀法(RIE)刻蚀Si3N4、去除光刻胶、电感耦合等离子体刻蚀法(ICP)刻蚀衬底材料、去除Si3N4。本发明弥补了全息干涉难以利用正性光刻胶制得二维介质柱型光子晶体的不足，与电子束曝光等方法相比，具有操作简单、价格低廉、控制精确，且能大面积制备等优点，能够很好的满足了制备亚微米尺寸二维介质型光子晶体的需要，具有良好的应用前景。